Elektronski Elementi in Vezja

Robert Lorencon
ELEKTRONSKI ELEMENTI
IN VEZJA
Mnenja, predloge, namige… sporočite na naslov:
MAYA STUDIO, d.o.o., Ziherlova 38, Ljubljana
Tel.: (01) 42 95 255, Tel. & Fax: (01) 28 39 617
http://www.maya-studio.com
info@maya-studio.com
Lektorirala: Iva Sivec

Oblikovanje in stavek: Robert Lorencon
Naslovnica: MAYA STUDIO
CIP - Kataložni zapis o publikaciji

Narodna in univerzitetna knižnjica, Ljubljana
621.382(075.3)
372.862.138.2(075.3)
LORENCON, Robert
Elektronski elementi in vezja / [[besedilo in] risbe] Lorencon
Robert. - Ljubljana : Studio Maya, 1996
ISBN 961-221-010-1
62311168
 1996, 2003 Robert Lorencon, STUDIO MAYA

Vse pravice pridržane. Noben del te izdaje ne sme biti reproduciran, shranjen ali prepisan v
katerikoli obliki oz. na katerikoli način, bodisi elektronsko, mehansko, s fotokopiranjem,
snemanjem ali kako drugače, brez predhodnega pisnega privoljenja lastnika avtorskih pravic
(copyrighta).
KAZALO
KAZALO
1. UVOD 1
1.1. ELEMENTI ..................................................................................................1
1.2. VEZJA ..........................................................................................................2
1.2.1. Generatorji.............................................................................................2
1.2.2. Osnovna pravila vezij.............................................................................3
1.2.3. Četveropoli...........................................................................................11
1.2.4. Linearizacija.........................................................................................12
VPRAŠANJA ....................................................................................................13
NALOGE ...........................................................................................................13
2. POLPREVODNIKI 15
2.1. PREVODNOST MATERIALOV ...........................................................16
2.2. POLPREVODNIKI ...................................................................................17
2.2.1. Elektroni in vrzeli ................................................................................18
2.2.2. Polprevodnik s primesmi.....................................................................19
2.2.3. N-tip polprevodnika ............................................................................19
2.2.4. P-tip polprevodnika .............................................................................20
2.2.5. Večinski in manjšinski nosilci elektrine .............................................21
2.3. PN SPOJ......................................................................................................21
VPRAŠANJA ....................................................................................................24
III
ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA
3. DIODE 25
3.1. DELOVANJE DIODE .............................................................................26
3.1.1. Zaporna smer diode ............................................................................26
3.1.2. Tok nasičenja diode.............................................................................26
3.1.3. Prevodna smer diode...........................................................................27
3.1.4. Napetost kolena ...................................................................................28
3.2. LASTNOSTI DIOD...................................................................................29
3.2.1. Električni preboj diode .......................................................................29
3.2.2. Diferencialna upornost diode.............................................................30
3.2.3. Kapacitivnost diode .............................................................................33
3.2.4. Preklopne lastnosti diod......................................................................34
3.2.5. Trošenje moči diode in odvajanje toplote .........................................35
3.3. USMERNIKI..............................................................................................36
3.3.1. Polvalni usmernik ................................................................................37
3.3.2. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom .....................................39
3.3.3. Mostični polnovalni usmernik ............................................................42
3.3.4. Usmerniki za trofazni napetostni sistem ...........................................44
3.3.5. Množilniki napetosti............................................................................44
3.3.6. Zaporedna in vzporedna vezava diod ................................................46
3.3.7. Valovitost in glajenje napetosti ..........................................................47
3.3.8. Diode pri omejevanju napetosti .........................................................52
3.3.9. Dioda kot analogno stikalo.................................................................53
3.4. POSEBNE VRSTE DIOD........................................................................55
3.4.1. Prebojna dioda.....................................................................................55
3.4.2. Kapacitivna (varicap) dioda................................................................58
3.4.3. PIN dioda .............................................................................................59
3.4.4. Tunelska dioda.....................................................................................60
3.4.5. Schottkyjeva dioda...............................................................................61
3.4.6. Svetleča dioda (LED)..........................................................................62
3.4.7. Fotodioda in sončna celica..................................................................63
3.4.8. Laserska dioda .....................................................................................64
VPRAŠANJA ....................................................................................................66
NALOGE ...........................................................................................................67
IV
KAZALO
4. BIPOLARNI TRANZISTOR 69
4.1. SIMBOL IN ZGRADBA ..........................................................................69
4.2. DELOVANJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA............................71
4.2.1. Analiza tokov v tranzistorju................................................................72
4.2.2. Različne orientacije tranzistorja.........................................................76
4.2.3. Nadomestno vezje bipolarnega tranzistorja ......................................77
4.2.4. Vhodna in izhodna karakteristika bipolarnega tranzistorja.............81
4.2.5. Tokovno in napetostno ojačenje ........................................................83
4.2.6. Breme, delovna premica in delovna točka.........................................84
4.3. NASTAVITEV DELOVNE TOČKE......................................................87
4.3.1. Nastavitev delovne točke z uporom na bazi ......................................89
4.3.2. Nastavitev delovne točke z delilnikom napetosti..............................90
4.4. STABILIZACIJA DELOVNE TOČKE..................................................92
4.4.1. Stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom ............................92
4.4.2. Stabilizacija delovne točke z diodo ....................................................96
4.4.3. Stabilizacija delovne točke z napetostno povratno zanko................97
4.5. OJAČEVALNIKI PRI NIZKIH FREKVENCAH ................................98
4.5.1. Tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem....................................98
4.5.2. Tranzistor v orientaciji s skupnim kolektorjem...............................100
4.5.3. Tranzistor v orientaciji s skupno bazo .............................................103
4.5.4. Napetostni sledilnik...........................................................................105
4.5.5. Diferencialni ojačevalnik ..................................................................106
4.6. VEČSTOPENJSKI OJAČEVALNIKI ..................................................111
4.6.1. Skupno ojačenje.................................................................................111
4.6.2. Prilagoditev ojačevalnih stopenj.......................................................112
4.6.3. Frekvenčna propustnost....................................................................115
4.6.4. Enosmerna povezava ojačevalnikov.................................................115
4.6.5. RC povezava ojačevalnikov ..............................................................120
4.6.6. LC povezava ojačevalnikov...............................................................124
4.6.7. Transformatorska povezava ojačevalnikov......................................125
4.6.8. Povezava ojačevalnikov s selektivnim transformatorjem ...............126
4.6.9. Decibeli...............................................................................................127
4.6.10. Šum ojačevalnika .............................................................................128
V
4.7. OJAČEVALNIKI PRI VISOKIH FREKVENCAH............................130

4.7.1. Kapacitivnost baza-emitor ................................................................130
4.7.2. Kapacitivnost kolektor-baza .............................................................131
4.7.3. Vpliv kapacitivnosti na ojačenje .......................................................131
4.7.4. Kaskadni ojačevalnik.........................................................................137
4.8. MOČNOSTNI OJAČEVALNIKI ..........................................................138
4.8.1. Izkoristek ojačenja moči ...................................................................138
4.8.2. Popačenje ...........................................................................................139
4.8.3. A razred ojačevalnika........................................................................140
4.8.4. B razred ojačevalnika ........................................................................142
4.8.5. AB razred ojačevalnika .....................................................................144
4.8.6. C razred ojačevalnika ........................................................................146
4.9. PREKLOPNE LASTNOSTI TRANZISTORJA..................................147
4.9.1. Preklopni časi.....................................................................................149
4.9.2. Induktivno breme ..............................................................................150
4.9.3. Kapacitivno breme.............................................................................151
VPRAŠANJA ..................................................................................................155
NALOGE .........................................................................................................156
5. UNIPOLARNI TRANZISTORJI 159

5.1. JFET ..........................................................................................................160
5.1.1. Delovanje JFET.................................................................................161
5.1.2. Karakteristika JFET ..........................................................................163
5.1.3. Nadomestno vezje JFET ...................................................................165
5.1.4. Nastavitev in stabilizacija delovne točke JFET ...............................166
5.1.5. Orientacije JFET ...............................................................................169
5.1.6. Vezja z JFET in bipolarnim tranzistorjem ......................................170
5.1.7. JFET kot upor....................................................................................171
5.1.8. JFET kot dioda ..................................................................................173
5.1.9. MESFET ............................................................................................173
5.1.10. HFET................................................................................................174
VI
KAZALO
5.2. MOSFET...................................................................................................174
5.2.1. MOSFET z induciranim kanalom ....................................................175
5.2.2. MOSFET z vgrajenim kanalom........................................................177
5.2.3. Nastavitev delovne točke MOSFET ................................................178
5.2.4. MOSFET z dvoje vrati ......................................................................178
5.2.5. Močnostni MOSFET.........................................................................179
5.2.6. CMOS tranzistorja ............................................................................181
5.2.7. FAMOS tranzistor.............................................................................182
5.2.8. Tranzistor z izoliranimi vrati ali IGBT ............................................183
VPRAŠANJA ..................................................................................................184
NALOGE .........................................................................................................185
6. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI 187

6.1. ENOSPOJNI TRANZISTOR ALI UJT................................................187
6.2. ENOSPOJNI TRANZISTOR Z MO NOSTJO PROGRAMIRANJA
ALI PUT ...................................................................................................190
6.3. DVOSMERNA DIODA .........................................................................191
6.4. DIODNI TIRISTOR ...............................................................................192
6.5. DVOSMERNI DIODNI TIRISTOR ALI DIAC.................................193
6.6. TIRISTOR ................................................................................................195
6.6.1. Zaporno neprevodni tiristor ali SCR...............................................195
6.6.2. Tiristor z možnostjo ugašanja ali GTO............................................197
6.6.3. Tetrodni tiristor ali SCS ....................................................................197
6.6.4. Zaporno prevodni tiristor ali RCT...................................................198
6.7. TRIAC.......................................................................................................198
6.8. NAČIN UPORABE TIRISTORJA IN TRIACA.................................199
VPRAŠANJA ..................................................................................................203
VII
7. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA 205

7.1. OPERACIJSKI OJAČEVALNIK..........................................................207
7.1.1. Lastnosti operacijskega ojačevalnika ...............................................207
7.1.2. Invertirajoči ojačevalnik....................................................................208
7.1.3. Neinvertirajoči ojačevalnik ...............................................................209
7.1.4. Seštevalnik in odštevalnik .................................................................211
7.1.5. Sprememba koeficienta ojačenja......................................................211
7.1.6. Mostični ojačevalnik..........................................................................212
7.1.7. Primerjalnik........................................................................................212
7.1.8. Primerjalnik s histerezo.....................................................................214
7.1.9. Napetostno-tokovni pretvornik ........................................................216
7.1.10. Napetostni in tokovni izvor.............................................................216
7.1.11. Izvor simetrične napetosti...............................................................217
7.1.12. Okenski diskriminator.....................................................................218
7.1.13. Integrator .........................................................................................218
7.1.14. Diferenciator....................................................................................219
7.1.15. Značilni podatki operacijskega ojačevalnika.................................219
7.1.16. Operacijski ojačevalnik z enojnim napajanjem .............................221
7.1.17. Kompenzacija operacijskega ojačevalnika ....................................222
7.2. MOČNOSTNI INTEGRIRANI OJAČEVALNIKI.............................225
7.3. NAPETOSTNI REGULATORJI ..........................................................229
7.4. TEHNOLOGIJA MONOLITNIH INTEGRIRANIH VEZIJ ..........231
7.4.1. Difuzija primesi..................................................................................233
7.4.2. Oksidacija ...........................................................................................234
7.4.3. Fotolitografija ....................................................................................234
7.4.4. Epitaksija............................................................................................235
7.4.5. Metalizacija ........................................................................................235
VPRAŠANJA ..................................................................................................235
NALOGE .........................................................................................................236
VIII
KAZALO
8. VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI 239

8.1. VAKUUMSKI ELEMENTI ...................................................................240
8.1.1. Termična emisija elektronov ............................................................240
8.1.2. Vakuumska dioda ..............................................................................241
8.1.3. Vakuumaska trioda ...........................................................................242
8.1.4. Vakuumaska tetroda .........................................................................244
8.1.5. Vakuumska pentoda..........................................................................245
8.1.6. Ojačevalniki z vakuumskimi elementi..............................................246
8.1.7. Katodna ali žarkovna cev ..................................................................250
8.2. PLINSKI ELEMENTI.............................................................................253
8.2.1. Tlivka ..................................................................................................253
8.2.2. Tiratron ..............................................................................................254
8.2.3. Ignitron...............................................................................................255
VPRAŠANJA ..................................................................................................256
NALOGE .........................................................................................................256
9. DODATEK 257
9.1. TERMOELEKTRIČNI PRETVORNIKI.............................................257
9.1.1. Termistorji..........................................................................................258
9.1.2. Polprevodniška dioda in tranzistor ..................................................259
9.1.3. Termočlen ..........................................................................................259
9.1.4. Monolitni termoelektrični pretvorniki.............................................259
9.2. OPTOELEKTRIČNI PRETVORNIKI.................................................260
9.2.1. Fotoupor.............................................................................................260
9.2.2. Fotodioda ...........................................................................................260
9.2.3. Fototranzistor ....................................................................................260
9.2.4. Fototiristor ali LASCR .....................................................................261
9.2.5. Optični spojniki..................................................................................261
9.3. PIEZOELEKTRIČNI PRETVORNIK.................................................262
9.4. HALLOVA SONDA ...............................................................................263
IX
9.5. PRIKAZOVALNIKI ...............................................................................264

9.5.1. LED prikazovalniki ...........................................................................264
9.5.2. Prikazovalniki s tekočimi kristali ali LCD .......................................264
9.5.3. Vakuumski fluorescenčni prikazovalniki.........................................266
9.5.4. Plazma prikazovalniki .......................................................................266
9.6. CCD ...........................................................................................................267
VPRAŠANJA ..................................................................................................268
10. TABELE 269

10.1. USMERNIKI..........................................................................................270
10.2. ORIENTACIJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA .....................271
10.3. ORIENTACIJE UNIPOLARNEGA TRANZISTORJA .................272
10.4. ORIENTACIJE VAKUUMSKE TRIODE ........................................273
10.5. POGOSTO UPORABLJENE ENAČBE ............................................274
10.5.1. Diode ................................................................................................274
10.5.2. Usmerniki.........................................................................................274
10.5.3. Bipolarni tranzistor..........................................................................275
10.5.4. Unipolarni tranzistorji.....................................................................275
10.5.5. Operacijski ojačevalnik ...................................................................276
10.5.6. Vakuumeske elektronke .................................................................276
10.6. ENAČBE ZNAČILNIH VEZIJ ...........................................................277
10.6.1. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom .................................277
10.6.2. Polnovalni mostični usmernik.........................................................277
10.6.3. Ojačevalnik z bipolarnim npn tranzistorjem .................................278
10.6.4. Ojačevalnik z JFET .........................................................................279
10.6.5. Operacijski ojačevalnik ...................................................................279
10.6.6. Vakuumska trioda ...........................................................................281
10.7. SIMBOLI ................................................................................................282
10.8. PREDPONE ...........................................................................................284
INDEKSNO KAZALO 285
X
UVOD
Poglavje 1
UVOD
Preden začnemo spoznavati elektronske elemente in vezja, je prav, da se za

trenutek ustavimo pri nekaterih osnovnih pravilih vezij – z njimi se bomo
pogosto srečevali skozi vso knjigo.
1.1. ELEMENTI
Elektronski elementi so osnovni gradniki vsakega vezja. Imajo bodisi dva, tri
ali več priključkov. Zaprti so v kovinska, plastična ali keramična ohišja, na
katerih so osnovne označbe elementa, podane z znaki ali barvami.
Elementi, ki sestavljajo vezje, so lahko pasivni ali aktivni. Pasivni elementi
električno energijo le porabijo (upor, dioda) ali jo akumulirajo (kondenzator,
tuljava). Vezje, sestavljeno iz pasivnih elementov, lahko signale le preoblikuje,
ne more pa jih ojačati ali generirati – to nalogo opravljajo aktivni elementi
(tranzistorji).
1
Elementi so lahko linearni ali nelinearni, časovno spremenljivi ali nespremen-

ljivi. Nelinearni elementi so tisti, ki imajo nelinearno povezavo med tokom in
napetostjo (slika 1.1), kot npr. dioda in tranzistor.
I I
U U
Slika 1.1. Linearna karakteristika upora ter nelinearna karakteristika diode.
1.2. VEZJA
Električna vezja so sestavne enote električnih naprav. Te imajo lahko različne
funkcije (ojačevalniki, preoblikovalniki, generatorji, …). Vezje mora biti
načrtovano in izdelano tako, da bo v danem okolju opravljalo predpisano
funkcijo. Pri tem moramo upoštevati tudi vse zunanje vplive, ki jim je vezje
izpostavljeno (temperatura, vlaga, sevanje, tresljaji, plini, …).
1.2.1. Generatorji
Pogosto si izračun zapletenega vezja poenostavimo tako, da ga za določeno
delovno območje nadomestimo s preprostejšim, nadomestnim vezjem. V nado-
mestnih vezjih srečamo naslednje elemente: upore, kondenzatorje, tuljave in
generatorje.
IG
UG Slika 1.2. Napetostni in

tokovni generator.
2
UVOD
Najpogosteje uporabimo idealne napetostne in tokovne generatorje. Idealen

pomeni, da se napetost pri napetostnem generatorju ali tok pri tokovnem
generatorju ne spreminja, ne glede na velikost bremena. Poznamo tudi krmi-
ljeni generator. Izhodno veličino krmiljenega generatorja lahko spreminjamo s
pomočjo izbrane napetosti ali toka.
1.2.2. Osnovna pravila vezij

Če želimo izračunati elemente v vezju, moramo poznati osnovna pravila in
teoreme vezij. Oglejmo si nekaj najvažnejših:
Ohmov zakon pravi, da je električni tok, ki teče skozi nek element, so-
razmeren padcu napetosti na tem elementu in obratno sorazmeren upornosti
elementa. Ali z enačbo:
U
I= Ohmov zakon
R
Prvi Kirchhoffov∗ zakon: V vsakem vozlišču vezja je vsota pritekajočih
tokov enaka vsoti odtekajočih tokov. To je tudi logično, saj se električni tok ne
more nabirati v vozlišču ali pa v njem nastajati. Pri izračunu moramo paziti na
izbrane smeri tokov.
Drugi Kirchhoffov zakon: V vsakem zaključenem tokokrogu (zanki) je
vsota pritisnjenih napetosti po velikosti enaka vsoti vseh padcev napetosti v
tem tokokrogu. Ali drugače: ob upoštevanju smeri padcev napetosti je vsota
vseh padcev napetosti v zaključeni zanki enaka nič.
Prvi primer
Izračunajmo tokove vezja s po-
R1
močjo prvega in drugega Kirch-
hoffovega zakona!
200
UB R2 R3
300 200
10V
∗
izg. kirhof
3
Postopek za izračun vezja je naslednji:

Najprej v vezje vrišemo smeri tokov. Smeri izberemo poljubno oz. pred-
postavimo, v katero smer bodo tekli. Ko bomo posamezni tok izračunali, nam
bo predznak povedal, ali je bila naša predpostavka pravilna (pozitivni pred-
znak) ali pa teče tok v nasprotni smeri (negativni predznak).
R1 I1 I3
I2
R2 R3
UB
Izračunati moramo vse tri tokove: I1, I2 in I3, zato potrebujemo tri neodvisne
enačbe. Po prvem Kirchoffovem zakonu dobimo enačbo za vozlišče:
I1 = I 2 + I 3
Sedaj v vezje vrišemo še padce napetosti na vseh elementih. Smer padca
napetosti mora biti na porabnikih ista kot (predpostavljena) smer toka, na
virih (generatorjih) pa nasprotna.
R1
U1 R2 R3
UB U2 U3
Nato poiščemo enačbe v zaključenih zankah. Vezje jih ima tri, zato jih lahko
po drugem Kirchhoffovem zakonu napišemo:
4
UVOD
R1
Prva zanka:
U1 R2 R3
UB U2 U3
R1
Druga zanka:
U1 R2 R3
UB U2 U3
R1
Tretja zanka:
U1 R2 R3
UB U2 U3
Uporabimo samo prvi dve enačbi in skupaj z vozliščno rešimo vezje:

I 3 = I1 − I 2 vstavimo v enačbo I 2 ⋅ R2 = I 3 ⋅ R3 in dobimo:
R3
I 2 ⋅ R2 = ( I1 − I 2 ) ⋅ R3 ⇒ I 2 = I1 ⋅ , to pa vstavimo v enačbo:
R2 + R3
R2 ⋅ R3
U B = I1 ⋅ R1 + I 2 ⋅ R2 in dobimo: U B = I1 ⋅ R1 + I1 ⋅
R2 + R3
Tako, dobili smo rešitev za tok I1, ki ga izračunamo iz zadnje enačbe:
UB
I1 = = 31,25mA
R ⋅R
R1 + 2 3
R2 + R3
Preostala dva tokova znašata: I2=12,5mA ter I3=18,75mA.
5
Drugi primer
Sedaj poskušajmo rešiti nekoliko težji primer, ki vsebuje dva vira napetosti.
Ponovno moramo izračunati vse tri tokove v vezju.
R1 I1 I3 R3
300 I2 200
UB1 R2 UB2
10V 500 4V
Najprej si moramo označiti smeri tokov in padce napetosti. Nato postavimo

vozliščne ter zančne enačbe, kot je narisano na sliki.
I1 − I2 + I3 = 0
−U B1 +U R1 +U R 2 = 0
−U R2 −U R3 +U B 2 = 0
Če ne vemo, ali se padci napetosti v enačbi seštevajo ali odštevajo, potem

naredimo po vrsti naslednje:
1. v vezje vrišemo vse padce napetosti in jih označimo (UB1, UR1...),
2. v zaključeni zanki, kjer bomo seštevali padce napetosti, si izberimo smer
seštevanja (poljubno – v smeri urinih kazalcev ali nasprotno),
3. seštejmo padce napetosti in sicer tako, da pri tistih vrisanih padcih
napetosti, ki so nasprotni naši smeri seštevanja, uporabimo negativni
predznak, pri isto usmerjenih pa pozitivnega,
4. vsota je enaka nič.
Tako smo dobili tri neodvisne enačbe za tri neznane tokove:
I2 = I1 + I3
U B 1 = I 1 ⋅ R1 + I 2 ⋅ R 2
U B2 = I 2 ⋅ R2 + I 3 ⋅ R3
6
UVOD
Rešitev naloge je: I1=16,13mA, I2=10,32mA in I3=-5,8mA. Negativni pred-

znak pred tokom I3 pomeni, da le-ta v resnici teče v nasprotno smer, kot smo si
jo izbrali.
Tellegenov teorem združuje oba Kirchhoffova zakona in pravi, da je v

vsakem vezju vsota vseh moči enaka nič. Za primer na strani 3 lahko napišemo
enačbo:
(− U B + U R1 ) ⋅ I 1 +U R 2 ⋅ I 2 +U R 3 ⋅ I 3 = 0
Theveninov in Nortonov teorem veljata le za linearna vezja. Prvi pravi, da

lahko vsako poljubno linearno vezje spremenimo v vezje, ki vsebuje en sam
napetostni vir in eno samo zaporedno vezano upornost. Nortonov teorem pa
pravi, da lahko vsako poljubno linearno vezje spremenimo v vezje, ki vsebuje
en sam tokovni vir in eno samo vzporedno vezano upornost.
a) b)
linearno RTh
aktivno U0 I0 RNo
vezje
Slika 1.3. Nadomestno vezje po Theveninu ter Nortonu.
Primer
Iz danega vezja izpeljimo nadomestno vezje po
R1 R3 Theveninu in Nortonu!
Theveninovo vezje: Najprej izračunajmo nape-

UB R2 tost, ki ga bo imel Theveninov napetostni vir.
Izračunamo ga na izhodu vezja, ko so izhodne
sponke odprte. (Na uporu R3 v tem primeru ni
padca napetosti, saj skozenj ne teče tok!):
7
R2 300Ω
U 0 =U B ⋅ = 10 V ⋅ = 6V
R1 + R 2 200Ω + 300Ω
Sedaj izračunajmo še zaporedno upornost RTh. Dobimo jo tako, da izmerimo

upornost vezja na izhodnih sponkah. Napetostni vir, ki je v našem primeru
idealen, ima upornost 0, zato lahko namesto njega narišemo kratek spoj
(nasprotno pa ima idealen tokovni generator upornost neskončno veliko).
Upornost znaša:
200Ω ⋅ 300Ω
RTh = R 3 + R 1 R 2 = 200Ω + = 320Ω
200Ω + 300Ω
Dvojna vzporedna črta v enačbi pomeni, da računamo upora po vzporedni
vezavi.
200 200
10V 300 6V 320
200 200 6V
300 320
Nortonovo vezje: Najprej izračunamo tok, ki ga bo imel Nortonov tokovni vir.

Izhod vezja kratko sklenemo in izračunamo tok:
UB 10 V
I1 = = = 31,25mA
RN 320Ω
U B − I 1 ⋅ R1
I0 =I3 = = 18,75mA
R3
Upornost RNo izračunamo enako kot upornost RTh.
8
UVOD
200 200
10V 300 18,5mA
200 200 18,5mA 320
300 320
Teorem o superpoziciji pravi, da je v vsakem linearnem vezju, ki ga

vzbujamo sočasno z več signali, odziv kjerkoli v vezju enak vsoti odzivov, ki jih
dobimo pri posameznem vzbujanju. To pride prav, ko preračunavamo vezja, ki
vsebujejo več virov.
Primer
Izračunajmo napetost UX iz vezja na sliki s pomočjo superpozicije!
a) b)
R1 R2 R1 R2 R1 R2
U1 300 200 U2 U1 300 200 300 200 U2
UX +4V -2,4V
10V 4V 10V 4V
Najprej izračunamo napetost UX, ko je priključen samo prvi vir. Drugi

napetostni vir zanemarimo (ker ima upornost 0, narišemo kratek spoj):
R2 200Ω
U X 1 = U1 ⋅ = 10V ⋅ = 4V
R1 + R2 300Ω + 200Ω
Sedaj izračunajmo še drugo napetost tako, da zanemarimo prvi vir:
9
R1 300Ω
U X2 =U 2 ⋅ = −4 V ⋅ = −2 , 4 V
R1 + R 2 300Ω + 200Ω
Po teoremu o superpoziciji lahko obe napetosti seštejemo in dobimo:

U X =U X 1 +U X2 = 4 V − 2,4 V = 1,6 V
Substitucijski teorem: Vsak element vezja smemo nadomestiti s primerno

izbranim virom in obratno, ne da bi spremenili napetost ali tok v obravnavani
veji.
Millerjev teorem: Z njim si lahko poenostavimo vezja. Pravi, da lahko
impedanco Z izločimo iz vezja in nastali vezji ločimo, tako da velja (impedanco
Z smo zaradi poenostavitve nadomestil z upornostjo R):
R I I I R
R1 =
U
1+ 2
U1
U1 U2 U1 R1 R2 U2
R
R2 =
U
1+ 1
U2
I1 I2 I1 I2  I 
R1 = R ⋅  1 + 2 
 I1 
U1 R U2 U1 R1 R2 U2  I 
R2 = R ⋅  1 + 1 
 I2 
Slika 1.4. Pretvorba po Millerjevem teoremu.
10
UVOD
1.2.3. Četveropoli
Pri vezjih imamo največkrat opravka s četveropoli. Le-ti imajo en par vhodnih
in en par izhodnih sponk. Lastnosti četveropola so podane z medsebojnimi
odvistnostmi štirih spremenljivk: u1, i1, u2 in i2. Dve sta odvisni, ostali dve pa
neodvisni. Odvisnosti podajajo štirje četveropolni parametri. Glede na to,
kako izberemo enačbe, govorimo o impedančnih, admitančnih, verižnih ali
hibridnih parametrih. Seveda lahko vedno iz enega tipa parametrov prera-
čunamo parametre drugega tipa.
tip četveropola četveropolni enačbi

u1 = z11 ⋅ i1 + z12 ⋅ i2
impedančni
u2 = z21 ⋅ i1 + z22 ⋅ i2
i1 i2 i1 = y11 ⋅ u1 + y12 ⋅ u2
admitančni
i2 = y21 ⋅ u1 + y22 ⋅ u2
u1 vezje u2
u1 = A ⋅ u2 − B ⋅ i2
verižni
i1 = C ⋅ u2 − D ⋅ i2
Slika 1.5. Smeri tokov in i1 = g11 ⋅ u1 + g12 ⋅ i2

hibridni g
napetosti na sponkah u2 = g 21 ⋅ u1 + g 22 ⋅ i2
četveropola.
u1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ u2
hibridni h
i2 = h21 ⋅ i1 + h22 ⋅ u2
Posamezni parameter je lahko vhodni (povezuje vhodni veličini), izhodni

(povezuje izhodni veličini) ter prenosni (povezuje vhodno in izhodno veličino).
Če želimo na primer izraziti vhodno impedanco četveropola z11 iz četveropol-
ne enačbe: u1=z11xi1+z12xi2, se enačba glasi:
u1
z11 = i2 = 0
i1
Vrednost parametra dobimo tako, da pripišemo drugemu členu enačbe vred-

nost 0 – v našem primeru mora biti izhodni tok i2=0. Z drugimi besedami to
pomeni, da so izhodne sponke odprte. Kjer bomo srečali u=0, bo to pomenilo
kratko sklenjene sponke.
11
1.2.4. Linearizacija
Pri nelinearnih elementih je odvisnost med tokom in napetostjo, kot že ime
pove, nelinearna. Odvisnost običajno podaja zapletena enačba. Kadar tak
element vzbujamo s spremenljivo napetostjo (na primer sinusno), ima tok, ki
teče skozi element, ustrezno popačeno (spremenjeno) obliko. Če nelinearni
element vzbujamo z dovolj majhnim signalom, je sprememba oblike mnogo
manjša. Za majhne signale lahko kratek odsek U-I karakteristike nelinearnega
elementa lineariziramo oziroma nadomestimo s premico. Njen nagib znaša:
∆U
r= diferencialna upornost
∆I
dioda upor
tok [A]
iD
iR
napetost [V] Slika 1.6. Odsek karakteri-

uR
uD stike, ki smo ga linearizirali.
Če si na krivulji izberemo točko (t.i. mirovno delovno točko), lahko skoznjo

narišemo tangento, ki sedaj predstavlja lineariziramo karakteristiko elementa.
Postopek linearizacije pogosto uporabljamo, ko preračunavamo vezja s pol-
prevodniškimi elementi (diodo, tranzistorjem, MOS tranzistorjem...), ki jih
krmilimo z majhnimi signali. Enačbe s tem močno poenostavimo.
12
UVOD
VPRAŠANJA
1. Ali je upor pasiven ali aktiven element? Zakaj?
2. Kakšna je razlika med linearnimi in nelinearnimi elementi?
3. Kaj je »idealen« generator? Ali ga lahko naredimo?
4. Kaj nam povesta prvi in drugi Kirchhoffov zakon o vezjih?
5. Kakšna je smer padca napetosti na virih in kakšna na upornostih glede na
izbrano smer toka?
6. Ali si lahko poljubno linearno vezje predstavimo kot generator in upor-
nost? Kateri teorem govori o tokovnem generatorju? Kako je pri tem
vezana upornost: zaporedno ali vzporedno?
7. Kaj je četveropol? Kako določimo parameter h12?
8. Koliko neodvisnih enačb in koliko parametrov potrebujemo za opis
četveropola?
9. Kaj je linearizacija? Kakšen je pogoj, da lahko karakteristiko elementa
lineariziramo?
10. Kaj je diferencialna upornost? V katerem primeru se razlikuje od statične
upornosti?
NALOGE
1. Ugotovite smer toka skozi upor v vezju in izračunajte velikost toka! (Odg.:
20mA)
200
U1 U2
10V 6V
2. Izračunajte vrednost napetostnega vira in upornost upora za Theveninovo

ter vrednost tokovnega vira in upornost upora za Nortonovo vezje! (Odg.:
4,8V, 120Ω, 40mA, 120Ω)
13
R1 200
UB R2 R3
8V 500 300
3. Za naslednje vezje izračunaj četveropolna parametra z11 in z22! (Odg.:

250Ω, 210Ω)
i1 R1 i2
200
u1 R2 R3 u2
500 300
14
POLPREVODNIKI
Poglavje 2
POLPREVODNIKI
Leta 1911 je britanski fizik Ernest Rutherford ugotovil, da je atom sestavljen iz

pozitivno nabitega jedra, ki vsebuje praktično vso maso atoma, ter negativno
nabitih delcev, elektronov, ki krožijo okrog njega. Jedro sestavljajo protoni
(pozitivno nabiti delci), in nevtroni, ki nimajo naboja. Število pozitivnih
protonov v jedru je enako številu negativnih elektronov, ki krožijo okrog jedra.
Tako je atom navzven električno nevtralen. Elektroni krožijo okoli jedra na
različnih, natanko določenih orbitah. Natančneje je kroženje okrog jedra
opisal danski fizik Niels Bohr leta 1913. Ugotovil je, da imajo elektroni lahko
le točno določene diskretne energije; elektron, ki bi imel neko vmesno
energijo, ne obstaja.
Energijo merimo v eV (elektron voltih); 1eV je potreben, da premaknemo en
elektron za napetostni potencial enega volta. Govorimo lahko le o razlikah
energij med elektroni v atomu, ne pa o njihovih absolutnih vrednostih. Nično
energijo pripišemo mirujočemu elektronu, ki ni vezan na jedro. Tako imajo
15
elektroni, ki so vezani v atomu, negativno energijo. Ko atomu dovedemo

energijo, preskočijo elektroni v stanja z višjo energijo – pravimo, da je atom
vzbujen. Ko npr. elektron vodikovega atoma preskoči iz prvega vzbujenega
stanja zopet v normalno stanje, odda foton valovne dolžine 1,216 angstroma
(10-10 m, področje ultravijolične svetlobe).
2.1. PREVODNOST MATERIALOV

Prevodnost materialov je odvisna od števila prostih elektrin, ki se lahko po
materialu prostorsko gibljejo. Atomi dobrih prevodnikov ionizirajo že pri zelo
nizkih temperaturah, kar pomeni, da kroži po materialu veliko število prostih
elektronov. Ko na prevodni material priključimo napetost, začnejo elektroni
zaradi električne sile potovati. Ker imajo negativni naboj, se gibljejo od nega-
tivnega proti pozitivnemu potencialu. Tako steče električni tok.
Nasprotno pa so v izolantih valenčni elektroni trdneje vezani na jedro atoma.
Zaradi tega je v materialu le minimalno število prostih elektronov, prevodnost
teh materialov izredno nizka.
Dogajanje lahko opišemo z energijami. Zunanjo oblo, kjer v atomu krožijo
elektroni, imenujemo valenčna obla. Pravimo, da se elektroni, ki krožijo na tej
zunanji obli, energijsko nahajajo v valenčnem pasu. To tudi pomeni, da imajo
premalo energije, da bi lahko zapustili atom. Če želimo, da elektron zapusti
atom, mora imeti vsaj toliko energije, da preskoči iz valenčnega v prevodni
energijski pas. Med valenčnim in prevodnim energijskim pasom je t.i.
prepovedani pas, ki je zelo pomemben za določanje električnih lastnosti ma-
terialov.
prevodniki polprevodniki izolanti prosti elektroni

prevodni pas
W prepovedani pas
valenčni pas
elektroni vezani na valenčne oble atomov
Slika 2.1. Razpored energijskih pasov.
16
POLPREVODNIKI
Na sliki 2.1 vidimo energijske pasove za prevodnik, polprevodnik in izolant.

Čim širši je prepovedani pas, tem večjo energijo moramo dovesti atomu, da
elektron preskoči iz valenčnega v prevodni pas. Razlika med prevodniki,
polprevodniki in izolanti je prav v velikosti energije, ki je potrebna, da atom
ioniziramo ter pridobimo prosti elektron.
2.2. POLPREVODNIKI
Atomi polprevodniških materialov imajo štiri elektrone na zunanji obli, zato
pravimo, da so štirivalenčni. V prostoru se atomi razporedijo simetrično v
monokristalno mrežo, kjer vzpostavijo med seboj posebne vezi, ki jim pravimo
kovalentne vezi. Vsak od atomov prispeva vsakemu sosedu po en elektron iz
zunanje oble. Ker ima vsak atom po štiri sosede, to pomeni, da krožijo na zu-
nanji obli poleg njegovih štirih še štirje sosedovi elektroni. Skupaj torej osem.
Na ta način so zunanje oble atomov izpolnjene.
Čisti polprevodnik ima pri nizkih dovedenih energijah lastnost izolanta, pri
dovolj veliki dovedeni energiji pa se obnaša kot slab prevodnik. To lastnost
imajo štirivalenčni elementi silicij, germanij in ogljik ter nekatere kemične
spojine elementov med II. in VI. skupino periodičnega sistema, kot so na
primer GaAs, GaN, GaP, InSb, CdO, CdS ter ZnSe.
valenčni
elektron
jedro
Slika 2.2. Zgradba polpre-

vodniškega materiala.
Polprevodniki so materiali, ki imajo posebne električne lastnosti. Pri zelo nizki

temperaturi so izolanti, pri višji temperaturi pa se obnašajo kot slabi prevod-
niki. V elektronski industriji je kot polprevodnik najpogosteje uporabljen
silicij.
17
2.2.1. Elektroni in vrzeli

Povedali smo že, da pri primerno veliki dovedeni energiji (dovolj je že sobna
temperatura) določeno število atomov v polprevodniku ionizira. To pomeni,
da imajo elektroni dovolj energije, da zapustijo svoj atom in postanejo prosti.
Pobegli elektron pusti za seboj v atomu praznino, torej primanjkljaj enega
elektrona, ki ji pravimo vrzel. Atom postane pozitiven ion, toda že pri nizkih
energijah se zgodi, da v to praznino vskoči elektron iz sosednjega atoma. V
tega sedaj vskoči elektron iz naslednjega soseda in tako naprej. Vrzel se tako
prosto premika iz atoma na atom in prispeva k prevodnosti materiala. Zato si
lahko vrzel predstavljamo kot pozitiven gibljiv delec, ki ima naboj po vrednosti
enak elektronu.
Iz vsakega ioniziranega atoma dobimo par: prosti elektron in vrzel. Tako kot
nastajajo oziroma se generirajo, tudi izginjajo. Temu pojavu pravimo rekombi-
nacija, ki se zgodi vsakič, ko elektron izgubi toliko energije, da pade v valenčni
pas. Pri tem izgine elektron v prevodnem in vrzel v valenčnem pasu.
Generacija in rekombinacija je lahko neposredna ali posredna. Pri neposredni
rekombinaciji se elektron iz prevodnega pasu rekombinira z vrzeljo v
valenčnem pasu. Razliko energije odda kot foton. Pri posredni rekombinaciji
pa se elektron ali vrzel ujameta v energijskem pasu, ki leži med prevodnim in
valenčnim, nastane pa zaradi nečistoč v polprevodniku – takim mestom pravi-
mo pasti ali rekombinacijski centri. Tu ostaneta ujeta določen čas, dokler se ne
srečata in dejansko rekombinirata. Do prave rekombinacije torej pride z
določeno zamudo.
V električnem polju potujejo prosti elektroni k pozitivnejšemu potencialu,
vrzeli pa k negativnejšemu. Tej šibki prevodnosti, ki jo ima čisti polprevodnik,
pravimo intrinsična prevodnost. Če se temperatura polprevodnika poveča, se v
njem tvori večje število prostih elektronov in vrzeli, zato se prevodnost
poveča.
Prevodnost polprevodnika je odvisna od števila prostih elektronov in vrzeli. Ko

elektron zapusti atom polprevodnika, pusti za sabo vrzel, ki prav tako prispeva
k prevodnost polprevodnika.
18
POLPREVODNIKI
2.2.2. Polprevodnik s primesmi

Pomembno spremembo v električni lastnosti polprevodnika dosežemo s tako
imenovanim dopiranjem. Pri tem postopku v strukturo polprevodnika doda-
jamo primesi – atome tujih elementov –, ki zaradi različnega valenčnega števila
močno izboljšajo prevodnost. Take primesi so lahko petvalenčne ali pa
trivalenčne. Poglejmo si lastnosti polprevodnika za oba primera.
2.2.3. N-tip polprevodnika

Ko se ustvarja kristal polprevodnika, se lahko na različna mesta v njegovi
strukturi namesto atomov polprevodnika vselijo atomi tuje primesi. Če to
mesto zasede petvalenčni atom (atom, ki ima pet elektronov na zunanji obli),
se štirje valenčni elektroni spojijo v kovalentne vezi s silicijevimi atomi, peti
valenčni elektron pa ne. Ta elektron ima tako majhno vezalno energijo (to je
energija, s katero je elektron vezan na atom), da se že pri nizki dovedeni
energiji odtrga od atoma. Za sabo pusti nepremičen pozitiven ion, sam pa se
lahko prosto giblje po materialu.
Si Si Si Si
Si Si P Si
prosti
elektron
Slika 2.3. Petvalenčna
Si Si Si Si
primes v polprevodniku.
Večje število primesi povzroči povečanje števila prostih elektronov, ki občutno

povečajo prevodnost polprevodnika. Petvalenčne primesi, kot so fosfor, arzen
in antimon, dajo svoj elektron, zato jih imenujemo donorji. Čim več jih je,
boljša je prevodnost polprevodnika. Ker prevladujejo kot nosilci električnega
toka negativni elektroni, se tak polprevodnik imenuje n-tip polprevodnika.
19
2.2.4. P-tip polprevodnika

Če se v štirivalenčni polprevodnik vselijo trivalenčni atomi primesi (atomi, ki
imajo tri elektrone na zunanji obli), se vsi trije elektroni spojijo v valenčne vezi
z obkrožajočimi silicijevimi atomi. Četrta kovalentna vez ostane prazna, kar
povzroči, da že pri sobni temperaturi prileti vanjo elektron iz okolice. Ta pa
pusti za seboj gibljivo vrzel. Atom primesi se tedaj spremeni v nepremičen
negativen ion z enim elektronom več v valenčni obli. Ker so ionizacijske
energije teh primesi zelo majhne, so vsi atomi pri normalnih temperaturah
ionizirani. To pomeni, da so v polprevodniku sedaj gibljive vrzeli, ki omogo-
čajo prevodnost.
Si Si Si Si
vrzel
Si Al Si Si
Slika 2.4. Trivalenčna

Si Si Si Si
primes v polprevodniku.
Trivalenčne primesi, kot so bor, aluminij, galij in indij, »jemljejo« elektrone (in
ustvarijo gibljive vrzeli), zato jim pravimo akceptorji. Ker prevladujejo kot
nosilci električnega toka pozitivne vrzeli, se tak polprevodnik imenuje p-tip
polprevodnika.
Če polprevodniku dodajamo primesi petvalenčnih atomov, se v polprevodniku

poveča število prostih elektronov. Če pa dodajamo primesi trivalenčnih
atomov, se poveča število vrzeli. Tako dobljena polprevodnika imenujemo
polprevodnik n-tipa oz. polprevodnik p-tipa.
20
POLPREVODNIKI
2.2.5. Večinski in manjšinski nosilci elektrine

Poleg prostih elektronov, ki jih v n-tipu polprevodnika ustvarijo primesi (v p-
tipu vrzeli), ne smemo zanemariti – četudi majhnega – deleža elektronov in
vrzeli, ki se ustvarijo v polprevodniku zaradi dovedene energije. Rojevanje teh
nabojev je odvisno od temperature, zato se večini polprevodniških elementov
karakteristike s temperaturo spreminjajo. Ker se število prostih elektrin v
polprevodniku s temperaturo veča, se istočasno veča tudi prevodnost.
Elektrine, ki jih polprevodnik pridobi zaradi primesi, so v veliki večini, zato jim
rečemo večinski nosilci elektrine. To so elektroni v n-tipu ter vrzeli v p-tipu
polprevodnika, njihovo število pa ni odvisno od temperature. Prevodnosti
zaradi teh elektrin pravimo ekstrinsična prevodnost.
V polprevodniku pa se rojevajo tudi pari elektron-vrzel, ki jih je manj kot
večinskih nosilcev eleketrine, njihovo število pa je odvisno od temperature.
Elektrinam, ki so v polprevodniku v manjšini, rečemo, da so manjšinski nosilci
elektrine. V n-tipu so to vrzeli, v p-tipu pa elektroni.
V n-tipu polprevodnika so elektroni večinski, vrzeli pa manjšinski nosilci

elektrine. Nasprotno so v p-tipu polprevodnika vrzeli večinski, elektroni pa
manjšinski nosilci elektrine.
2.3. PN SPOJ
Ko v polprevodniku ustvarimo področja z različnimi koncentracijami primesi
donorjev in akceptorjev, se meja, ki loči z donorji bogatejše področje od
področja, bogatejšega z akceptorji, imenuje pn spoj.
Zamislimo si, da spojimo skupaj dva polprevodnika, prvi je n-tip, drugi pa p-
tip. Ko sta daleč narazen, je v n-tipu enakomerna koncentracija prostih
elektronov, v p-tipu pa vrzeli. V trenutku spojitve pa različna koncentracija
elektronov in vrzeli v obeh tipih povzroči difuzijski tok: prosti elektroni
namreč iz n-tipa odtekajo v p-tip polprevodnika, ker jih je tam manj. Tako
pustijo za sabo pozitivne ione, ki so nepomični in zato ostanejo v n-tipu. Enako
se zgodi z vrzelmi, ki odtekajo iz p-tipa v n-tip, ker jih je tam manj. Za njimi
ostanejo v p-tipu polprevodnika negativni ioni, ki so nepomični. Difuzijski tok
21
je torej tok, ki ga povzroči neenakomerna koncentracija prostorskega naboja.

Elektrine odtekajo iz področja, kjer jih je več, v področje, kjer jih je manj.
n-tip p-tip
prosti elektron
pozitiven ion
vrzel
negativen ion
Slika 2.5. Difuzijski tok skozi pn spoj.
Elektroni, ki zapustijo N-tip polprevodnika, pustijo za seboj pozitivne ione;

podobno vrzeli iz p-tipa pustijo za seboj negativne ione. Prostorski naboj je
sedaj neenakomerno razporejen, posledica tega pa je električno polje, ki ima
smer od pozitivnega naboja (zaradi pozitivnih ionov) v n-tipu proti negativ-
nemu naboju (zaradi negativnih ionov) v p-tipu polprevodnika.
Električna poljska jakost tega polja je tem večja, čim več elektrin preide iz
enega v drugi tip. Po smeri pa nastalo električno polje deluje na proste
elektrine zaviralno, tako da pri določeni vrednosti zaustavi odtekanje. Vzpo-
stavi se ravnovesno stanje.
ED
n-tip p-tip
Slika 2.6. Električno polje v

zaporni plasti.
Električna nevtralnost se poruši le v ozkem predelu med n in p-tipom polpre-

vodnika, ki ji pravimo zaporna plast oz. prehodno ali osiromašeno področje
22
POLPREVODNIKI
(angl. depletion layer). Osiromašeno zato, ker se v njem ne zadržujejo proste

elektrine. To področje je širše tam, kjer je koncentracija primesi manjša.
Električna poljska jakost v zaporni plasti povzroča spremembo električnega
potenciala, ki raste v smeri iz p-tipa k n-tipu polprevodnika. Tej potencialni
razliki pravimo difuzijska napetost ali kontaktna napetost in je odvisna
predvsem od materiala, ki ga uporabimo za polprevodnik ter od koncentracij
primesi v p in n-tipu polprevodnika:
k⋅T N ⋅N
UD = ⋅ ln A 2 D ,
q ni
kjer je:
UD difuzijska napetost,
k Boltzmannova konstanta (1.38x10-23 Ws/K),
T absolutna temperatura v K,
q absolutna vrednost naboja elektrona (1.6x10-19 As),
NA koncentracija akceptorjev v p-tipu (1/cm3),
ND koncentracija donorjev v n-tipu (1/cm3),
ni koncentracija prostih elektrin v 1 cm3 čistega polprevodnika.
ED
p n
gostota
krajevnega NA
naboja ND
električna
poljska
jakost Slika 2.7. Potek gostote
-E
prostorskega naboja,
električni električne poljske jakosti
UD
potencial in potenciala.
23
Ko v polprevodniku ustvarimo pn spoj, stečejo elektroni iz n v p-tip (ker jih je

tam manj) ter vrzeli iz p v n-tip polprevodnika. Ker se zaradi tega poruši
električna nevtralnost, se v prehodnem področju med n in p-tipom ustvari
električno polje. Temu področju pravimo zaporna plast ali osiromašeno
področje.
VPRAŠANJA
1. Kaj pomenita valenčni in prevodni pas? Kdaj so elektroni v prvem, kdaj pa
v drugem?
2. Kako sta povezani med seboj prevodnost materialov in širina prepove-
danega pasu?
3. Kdaj lahko preskoči elektron iz valenčnega v prevodni pas? Kaj se zgodi,
ko se vrne nazaj?
4. Naštej nekaj polprevodnikov!
5. Kaj je rekombinacija?
6. Kaj je vrzel?
7. Kaj se zgodi, ko polprevodniku dodamo 3 ali 5-valentne primesi? Kaj
pomeni izraz »3-valentni«?
8. Kaj so donorji in kaj akceptorji?
9. Opiši razliko med n-tipom in p-tipom polprevodnika!
10. Kaj so manjšinski nosilci elektrine in kaj večinski?
11. Kaj se zgodi v trenutku, ko ustvarimo pn spoj?
12. Zakaj nastane med p in n polprevodnikom električno polje? V katero
smer je usmerjeno? Zakaj?
13. Kaj je difuzijski tok?
14. Kaj je zaporna plast?
24
DIODE
Poglavje 3
DIODE
Polprevodniška dioda je najstarejši polprevodniški element. Narejena je kot

spoj p in n-tipa polprevodnika. Priključka diode imenujemo anoda in katoda.
Prve diode so izdelovali kot t.i. točkaste diode. Kovinsko žico so zavarili na
površino polprevodnika n-tipa. Pri zvaru so atomi iz žice zaradi visoke tempe-
rature prodrli nekoliko v polprevodnik in ustvarili p-tip.
Najpogosteje srečamo usmerniške diode, vendar pa poznamo še veliko drugih
vrst diod.
K K
n
p
Slika 3.1. Simbol in zgrad-
A A ba diode.
25
3.1. DELOVANJE DIODE

Nastanek pn spoja smo si ogledali že v predhodnem poglavju. Diodo si lahko
predstavimo kot ventil, ki prepušča električni tok samo v eno smer. Zato lahko
na diodo priključimo napetost v prevodno ali pa v zaporno smer.
3.1.1. Zaporna smer diode

Povedali smo že, da je v okolici pn spoja področje brez prostih nosilcev elek-
trin, ki se imenuje zaporna plast, in da tam vlada električno polje. Elektron, ki
bi hotel iz n-tipa v p-tip, bi na svoji poti zašel v omenjeno električno polje, kjer
bi ga električna sila potegnila zopet v n-tip. Enako bi se zgodilo z vrzeljo, ki bi
potovala iz p-tipa polprevodnika.
Če na diodo priključimo električni vir tako, da je katoda na pozitivnem, anoda
pa na negativnem potencialu (slika 3.2), bo ta napetost še povečala električno
polje v pn spoju in tako še bolj preprečila potovanje elektronov proti
pozitivnemu polu ter vrzeli proti negativnemu polu vira. Tok skozi diodo ne bi
stekel.
E D +E B
n p
UB
Slika 3.2. Zaporna smer diode.
3.1.2. Tok nasičenja diode

Pri zaporni priključeni napetosti vseeno teče skozi diodo majhen tok. Povzro-
čijo ga predvsem generacije nosilcev naboja v zaporni plasti ter manjšinski
nosilci naboja, ki difundirajo skozi zaporno plast. Oba tokova sta zelo majhna
(nekaj nA za silicij in nekaj µA za germanij) in se s spremembo zaporno
26
DIODE
priključene napetosti le malo spreminjata. Oba toka običajno obravnavamo

skupaj – govorimo o toku nasičenja diode. Ker je tak tok odvisen od rojevanja
elektrin (parov elektron-vrzel) v zaporni plasti, se s povečanjem temperature
zvišuje tudi tok nasičenja. Ta narašča eksponentno s temperaturo: pri silicijevi
diodi se podvoji že, če povišamo temperaturo za 7K.
zaporna napetost
UR [ V ] 30 20 10
300K
zaporni tok
350K 1
2
3
IR [ A ]
Slika 3.3. Tok nasičenja diode.
Pri delovanju elektronskih elementov je tok nasičenja nezaželjen, saj pomeni

spreminjanje tokov v vezju s temperaturo. Uporaben pa je lahko za merjenje
temperature ali osvetlitve.
3.1.3. Prevodna smer diode

Če anodo priključimo na pozitivni pol vira, katodo pa na negativni, smo diodo
priključili v prevodno smer. Tako priključena napetost se odšteva od difuzijske
napetosti, ki vlada na pn spoju: UD -UBAT.
E D -E B
n p
UB
Slika 3.4. Prevodna smer diode.
27
Ker se zmanjša napetost preko zaporne plasti, se zmanjša tudi zaviralno

električno polje. Čim večja je napetost vira, tem manjše je zaviralno električno
polje in vse več je elektronov in vrzeli, ki sedaj prehajajo iz enega v drugi tip
polprevodnika. Ko zunanja napetost povsem nevtralizira notranjo difuzijsko
napetost, zaporne plasti ni več in tok skozi diodo naglo narašča.
3.1.4. Napetost kolena

Zaradi električnega polja v pn spoju sta p in n plast na različnih električnih
potencialih. Razliki potencialov preko zaporne plasti pravimo potencialni
prag. Od njega je odvisna višina napetosti, ki jo moramo priključiti na pn spoj,
da bo dioda prevajala. Napetosti, kjer začne tok v prevodni smeri strmo nara-
ščati, pravimo napetost kolena. Odvisna je predvsem od materiala polprevod-
nika ter od števila primesi in je za germanij (Ge) približno 0,3V, za silicij (Si)
0,7V in za galijev arzenid (GaAs) 1,2V.
IF [mA]
Ge Si
prevodni tok
20
10
Slika 3.5. Napetost kolena

0,5 1,0 UF [ V ]
prevodna napetost germanijeve in silicijeve
diode.
Ko prekoračimo napetost kolena, začne tok skozi diodo strmo naraščati.

Dioda postaja vse prevodnejša, kar tudi pomeni, da lahko prevelik tok uniči
spoje znotraj diode, ki bo zato nehala prevajati.
28
DIODE
Dioda je sestavljena iz pn spoja polprevodnika in dveh priključkov: anode in

katode. V prevodni smeri prevaja šele pri napetosti kolena, v zaporni pa teče
skozi diodo le zelo majhen tok.
3.2. LASTNOSTI DIOD

Spoznali bomo nekaj značilnih lastnosti polprevodniških diod, kot so prebojna
napetost, kapacitivnost in podobno.
3.2.1. Električni preboj diode

Dioda v zaporni smeri ne prevaja električnega toka. Tok, ki teče skozi zaporno
plast, je zanemarljivo majhen. Ko pa je priključena napetost diode velika,
dioda prebije in zaporni tok strmo naraste. Če tega toka ne omejimo, diodo
uničimo. Dopustna temenska vrednost zapornega toka je mnogo manjša od
prevodne temenske vrednosti.
Zaporna plast diode, v kateri vlada električno polje, je zelo tanka. Zato
prebojne napetosti niso nujno visoke; podatke najdemo v katalogih.
URM
UR [ V] 90 60 30
20
40
60
I R [ A]
Slika 3.6. Električni preboj diode v zaporni smeri.
Električni preboj nastane zaradi dveh vzrokov:

Zenerjev preboj: Ko napetost večamo, se veča tudi električno polje v pn
spoju. Z njim postaja tudi sila na elektrine vse večja. Pri določeni zaporni
napetosti, ko je sila na atome v zaporni plasti že dovolj velika, se pričnejo
29
elektroni trgati iz valenčnih obel atomov in stečejo proti n-tipu. Atomi, ki tako
ionizirajo, močno povečajo koncentracijo elektrin v zaporni plasti in s tem tok
v zaporno smer diode. Do izrazitega zenerjevega pojava pride, če ima pol-
prevodnik veliko primesi in zato zelo ozko zaporno plast.
Plazovita ionizacija: Pri dovolj veliki zaporni napetosti imajo elektrine, ki
potujejo skozi prehodno področje pn spoja, velike kinetične energije. Ko se
elektron zaleti v atom, lahko atom zaradi trka in predane energije ionizira. Trk
elektrona izbije iz valenčne oble atoma nov elektron. Tako nastane v
prehodnem področju novi par elektron-vrzel. Ko postane električno polje v
prehodnem področju dovolj močno, lahko en sam elektron sproži plaz novih
elektronov: vsak novo pridobljeni elektron v električnem polju močno pospeši
in ob trku ionizira nov atom. Pojavu pravimo plazovita ionizacija (angl.
avalanche breakdown), tok v zaporni smeri diode pa se naglo poveča.
Slika 3.7. Plazovita

ionizacija.
Ko z zaporno priključeno napetostjo dosežemo mejno vrednost diode, le-ta

prebije. Če toka skozi diodo ne omejimo, jo uničimo. Dioda lahko prebije
zaradi Zenerjevega efekta ali plazovite ionizacije.
3.2.2. Diferencialna upornost diode

Dioda je nelinearen element, zato je lahko izračun v vezjih zapleten. Če pa so
signali, s katerimi krmilimo diodo, dovolj majhni, lahko upornost diode
lineariziramo. To pomeni, da si za majhen signal predstavljamo diodo kot
ohmski upor. Najprej si oglejmo razliko med statično in dinamično upornostjo
diode.
30
DIODE
Statična upornost je razmerje med priključeno enosmerno napetostjo in

enosmernim tokom, ki teče skozi element ali vezje: R=U/I. Dinamična
upornost pa je razmerje med priključeno izmenično napetostjo in izmeničnim
tokom, ki teče skozi element ali vezje: r=u/i. Enačba velja le za majhne
spremembe napetosti in toka, ko lahko kratek odsek krivulje nadomestimo z
odsekom premice – uporabimo linearizacijo.
IF
rD
UF
U
Slika 3.8. Statična in dinamična upornost na nelinearnem elementu.
Pri ohmskem uporu sta obe upornosti enaki, medtem ko pri nelinearnem
elementu ne. Majhna izmenična napetost povzroči na bolj strmi krivulji
nelinearnega elementa večjo spremembo toka (in s tem manjšo dinamično
upornost), kot bi jo sicer ohmski upor (glej sliko 3.8). Pri nizkih frekvencah je
napetostno tokovna karakteristika diode opisana z enačbo:
 q⋅U 
I D = IS ⋅  e k ⋅ T − 1 ,
 
 
kjer je: IS tok nasičenja diode,

q absolutna vrednost naboja elektrona (1.6x10-19 As),
k Boltzmannova konstanta (1.38x10-23 Ws/K),
T absolutna temperatura v K.
31
Če iz enačbe izpeljemo diferencialno upornost r=u/i za prevodno smer diode,

potem dobimo:
k⋅T
r=
q ⋅ (I D + IS )
Če je tok diode ID dovolj velik, je v primerjavi z njim tok nasičenja IS zelo

majhen, zato ga lahko zanemarimo. Definiramo lahko tudi napetostni
ekvivalent UT, ki ima pri sobni temperaturi vrednost okrog 25 mV.
k⋅T
UT =
q
Končno dobimo enačbo za diferencialno upornost diode:

UT 25mV
r≅ =
ID ID
V zaporni smeri teče le tok nasičenja IS, ki se z zaporno napetostjo le malo

zveča. Zato je diferencialna upornost v tej smeri navadno zelo velika in je v
večini vezij njen vpliv zanemarljiv.
Primer
Izračunajmo diferencialno upornost diode v prevodni smeri pri toku ID=0,2A!
25mV 25mV
r= = = 0,125Ω
ID 0,2A
32
DIODE
3.2.3. Kapacitivnost diode

Pri višjih frekvencah ter pri hitrih preklopih se moramo soočiti tudi s kapacitiv-
nostjo, ki jo ima dioda. Kapacitivnost diode v prevodni smeri se po vrednosti
razlikuje od kapacitivnosti v neprevodni smeri. Poznamo dve kapacitivnosti:
Difuzijska kapacitivnost: Dioda ima v prevodni smeri zaradi kopičenja
elektrin kapacitivnost, ki ji pravimo difuzijska kapacitivnost. Enačba za difuzij-
sko kapacitivnost se glasi:
q ⋅ ID τ 1 τ
CD = ⋅ = ⋅
k⋅T 2 r 2
Odvisna je od diferencialne upornosti r ter od življenjske dobe (τ) manjšinskih
nosilcev elektrine, ki podaja povprečni čas trajanja manjšinskih elektrin – od
njihovega nastanka pa do rekombinacije. Manjšinske elektrine so tisti elek-
troni ali vrzeli, ki so v danem tipu polprevodnika v manjšini (na primer v n-tipu
prevladujejo prosti elektroni, zato so vrzeli manjšinski nosilci elektrine).
Zmanjšanju τ pripomorejo dodatki atomov zlata, ki delujejo kot rekombina-
cijski centri ali pasti. Difuzijska kapacitivnost znaša nekaj nF (nano faradov).
Spojna kapacitivnost: V zaporni smeri deluje zaporna plast diode kot
dielektrik pri kondenzatorju. Kapacitivnosti, ki jo tako povzroči prehodno
področje, pravimo spojna kapacitivnost. Ker sprememba zaporne napetosti
vpliva na debelino zaporne plasti, se z napetostjo spremeni tudi spojna
kapacitivnost. Čim večja je zaporna napetost na diodi, tem širša je zaporna
plast in manjša je spojna kapacitivnost. Spojna kapacitivnost znaša nekaj pF
(piko faradov).
C S [ pF ]
6
4
2
p n
10 20 UR [ V]
Slika 3.9. Vpliv zaporne napetosti na spojno kapacitivnost.
33
3.2.4. Preklopne lastnosti diod

Pri vzbujanjih z impulzi deluje dioda kot stikalo: v prevodno smer prevaja, v
zaporno pa je njen tok zanemarljivo majhen. Ko diodo krmilimo z impulzi
pravokotne oblike, opazimo, da tok skozi diodo ne sledi popolnoma željeni
obliki. Tok steče za kratek trenutek tudi v zaporno smer diode. Razlog je v
nakopičenih elektrinah, ki so se v diodi nabrali med tem, ko je bila priključena
v prevodni smeri.
UVH
UF
t
UR
IF
pn -pno
UVH R
IF t
10%
t
IR tS tF
t RR
Slika 3.10. Razmere pri preklopu iz prevodne v zaporno smer diode.
Ko se napetost generatorja nenadoma spremeni tako, da je dioda priključena v

zaporno smer, se obrne tudi tok v zanki (slika 3.10). V trenutku preklopa je v
n-tipu veliko vrzeli, v p-tipu pa veliko elektronov, ki so se tam nakopičili v
času, ko je dioda prevajala. Ker ta presežek koncentracije iz prehodnega
področja ne izgine takoj, teče tok v zaporno smer diode še nekaj časa.
Proizvajalec daje naslednje podatke: čas kopičenja tS, čas upadanja tF ter vsoto
obeh – čas preklopa tRR (angl. reverse recovery time). Diode, ki so posebej
narejene za hitre preklopne čase, so SRD (angl. step-recovery-diodes).
Dioda ima tako v zaporni kot tudi v prevodni smeri kapacitivnost, ki je v

prevodni smeri neprimerno večja. Ko diodo preklopimo iz prevodne v zaporno
smer, se zaradi nakopičenih elektrin ne zapre takoj.
34
DIODE
3.2.5. Trošenje moči diode in odvajanje toplote

Delovna temperatura je temperatura okolice, v kateri dioda obratuje. Če skozi
diodo teče tok ID, potem se v spoju troši moč P=IDxUD. Ta povzroči segrevanje
spoja, ki ga lahko previsoka temperatura uniči. Zaradi tega postaneta
pomembni sposobnost odvajanja toplote in delovna temperatura. Celotna
izgubna moč je dana z enačbo:
TJ − T A
PTOT = izgubna moč na diodi ,
Θ TOT
kjer je: TA temperatura okolice,

TJ dopustna maksimalna temperatura spoja, ki je za Ge
največ 90 °C, za Si pa največ 150 °C,
ΘTOT totalna toplotna (termična) upornost, izražena v °C/W,
PD izgubna moč na diodi (srednja moč).
S pomočjo totalne toplotne upornosti izvemo, s kolikšno močjo smemo diodo

obremeniti pri dani temperaturi okolice, da ne presežemo dopustne tempera-
ture spoja (TJ=TA+PTOTxΘTOT). To upornost izdatno znižajo hladilna telesa.
Iz enačbe je razvidno, da se dioda pregreje tudi zaradi dviga temperature
okolice. Da do tega ne bi prišlo, moramo pri višji temperaturi okolice znižati
izgubno moč na diodi. Proizvajalci navadno podajajo karakteristiko, ki prikaže
povezavo med temperaturo okolice in dopustno izgubno močjo (slika 3.11).
PD [ W ] 40
30
20
10
0 TA [ OC ]
25 50 75 100 125 150
Slika 3.11. Odvisnost dopustne moči od temperature okolice.
35
Za konec še pregled nekaj karakterističnih parametrov diode:

URRM največja trenutna ponovljiva zaporna napetost
URSM največja trenutna neponovljiva zaporna napetost
URWM največja trenutna periodična zaporna napetost pri sinusni obliki
napetosti frekvence 50 ali 60 Hz
IFAV srednja vrednost najvišjega trajno dovoljenega toka v prevodni smeri
IFRMS največji trenuten ponovljiv tok v prevodni smeri
IFSM največji trenuten neponovljiv tok v prevodni smeri
TJ maksimalna temperatura spoja
ΘJA termična upornost med spojem in ohišjem
tRR čas preklopa diode
3.3. USMERNIKI
Dioda je kot nalašč za usmerniška vezja, saj je njena poglavitna lastnost, da
prevaja električni tok samo v eno smer. Usmerniško vezje pretvarja izmenični
tok (angl. alternate current, AC) v enosmernega (angl. direct current, DC).
IF
R+rD
IIZH
UG UIZH R IIZH
UR UF
UG
Slika 3.12. Polvalni usmernik z diodo.
36
DIODE
Diodam, ki so narejene za usmernike, pravimo usmerniške diode. Pri usmer-

niku na sliki 3.12 teče v pozitivni polperiodi tok skozi diodo in breme R. Dioda
ima v prevodni smeri zelo majhno upornost, zato največkrat upoštevamo samo
upornost bremena. Dioda bo začela prevajati pri napetosti, ki je višja od
napetosti kolena. Pri silicijevi diodi znaša kolenska napetost okrog 0,7V.
V negativni polperiodi dioda ne prevaja, tok skoznjo je zanemarljivo majhen.
Oblika toka skozi porabnik je zato enaka samo pozitivni polovici sinusne
napetosti na vhodu vezja.
Ker usmernik prevaja samo v pozitivni polperiodi, mu pravimo polvalni
usmernik. Poznamo pa tudi usmernike, ki usmerijo obe polperiodi. Tem pravi-
mo polnovalni usmerniki.
3.3.1. Polvalni usmernik

Ker dioda prepušča tok samo v pozitivni polperiodi, smo izmenični tok na
izhodu usmerili. Toda enosmerni tok iz usmernika ni enakomeren, temveč
močno utripa, zato tak način usmerjanja ni posebno uporaben.
V pozitivni polperiodi steče električni tok iz transformatorja skozi diodo in
breme. Na bremenu ustvari padec napetosti v obliki sinusne polperiode. V
negativni polperiodi dioda ne prevaja, zato toka v breme ni. Vsa napetost
transformatorja je sedaj na diodi v zaporni smeri.
IIZH UIZH
220V UIZH R UM
USR
t
Slika 3.13. Polvalno usmerniško vezje s porabnikom.
Pri izmeničnih signalih imamo največkrat podatke o efektivnih vrednostih

napetosti in toka (angl. root-mean-square, RMS), predvsem to velja pri
omrežni napetosti.
37
Efektivna vrednost napetosti in toka izhajata iz opravljenega dela: efektivna

vrednost izmeničnega toka je tista velikost enosmernega toka, ki bi dal pri
enakih pogojih in v enakem času enako toploto. Za signal sinusne oblike velja:
UM
U EF = efektivna vrednost napetosti, kjer je U M temenska napetost.
2
I
I EF = M efektivna vrednost toka, kjer je I M temenski tok.
2
Pri usmerjenem toku pa nas zanima predvsem srednja vrednost napetosti in
toka (angl. average). To je povprečna vrednost napetosti in toka v nekem
časovnem intervalu. Tako je srednja vrednost sinusnega signala v eni periodi
enaka nič, srednja vrednost enosmernega konstantnega signala pa enaka
enosmerni vrednosti. Pri polvalnem usmerjenem signalu je srednja vrednost
enaka:
UM
U SR = srednja vrednost napetosti, kjer je U M temenska napetost.
π
IM
I SR = srednja vrednost toka, kjer je I M temenski tok.
π
Pri nižjih napetostih je srednja napetost na izhodu nekoliko nižja od izraču-
nane. Upoštevati moramo namreč tudi padec napetosti na diodi, ki znaša za
silicijevo diodo okrog 0,7V.
Diode za usmernik izbiramo s pomočjo katalogov, kjer najdemo podatke o
njihovi vzdržljivosti. Zato moramo pri načrtovanju usmernika upoštevati vse
tokove in napetosti, ki jih bodo morale diode prenesti. Te so predvsem:
1. V prevodni smeri morajo prenesti tako srednji IFAV kot maksimalni ali
temenski tok IFRMS. Ta tok teče tudi skozi porabnik, zato ga ni težko
izračunati.
2. Dioda v zaporni smeri ne prevaja, zato mora prenesti vso napetost trans-
formatorja. Pri previsokih zapornih napetostih se v zaporni plasti diode
sproži plazovita ionizacija. Če se to zgodi, steče skozi diodo velik tok, ki jo
uniči. Največjo zaporno napetost URM, ki jo mora dioda prenesti, izraču-
namo iz temenske napetosti negativne polperiode:
U RM = U EF ⋅ 2 < U RRM
38
DIODE
3. Električna moč, ki se troši na diodi, povzroči njeno segrevanje. Ko je

potrošnja moči na diodi prevelika, se zaradi visoke temperature dioda uniči.
To moč izračunamo kot produkt srednjega toka in padca napetosti na diodi
v prevodni smeri:
PD = U D ⋅ I D ≈ 0,7 V ⋅ I D
Primer
Izračunajmo enosmerno napetost in tok skozi breme
polvalnega usmernika! Kolikšno zaporno napetost
mora vzdržati dioda?
220V 12V 20
Temensko napetost, ki jo potrebujemo za izračun
srednje vrednosti, dobimo iz efektivne:
U M = U EF ⋅ 2 = 12V ⋅ 1,41=16,97V
Oblika napetosti na bremenu je polvalna, zato jo izračunamo po enačbi:

UM 16,97 V
U SR = = = 5,4 V
π π
Električni tok pa izračunamo iz napetosti na bremenu:
U SR 5,4 V
I SR = = = 0,27 A
RB 20Ω
Dioda mora v zaporni smeri zdržati temensko napetost transformatorja:
U RM = U M = 16,97 V
3.3.2. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom

Boljši od polvalnih usmernikov so polnovalni usmerniki. Ker usmerijo obe
polperiodi izmeničnega signala, imajo boljši izkoristek in povzročajo manjše
utripanje toka skozi breme. Kot prvega bomo spoznali usmernik s sredinskim
odcepom transformatorja.
39
UIZH
RL IIZH UMP
220V
USR
UIZH
t
Slika 3.14. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom.
Delovanje usmernika si oglejmo najprej v eni, nato še v drugi polperiodi! V

času pozitivne polperiode izmeničnega signala steče tok I1 skozi diodo D1,
breme RL in sredinski odcep nazaj v transformator. Ker je na diodi D2 zaporna
napetost, ta ne prevaja, zato skozi njo in spodnjo polovico navitja trans-
formatorja tok ne teče. Tok teče samo skozi zgornjo polovico navitja. V času
negativne polperiode steče tok I2 skozi diodo D2, breme RL in sredinski odcep
nazaj v transformator. Zaporna napetost na diodi D1 sedaj prepreči, da bi tok
tekel tudi skozi zgornjo polovico navitja.
Skozi breme teče tok v obeh polperiodah vedno v isto smer. Srednja vrednost
napetosti na bremenu USR je ravno dvakrat večja kot pri polnovalnem
usmerniku in znaša:
U MP
U SR = 2 ⋅ srednja vrednost napetosti
π
I MP
I SR = 2 ⋅ srednja vrednost toka
π
Temensko vrednost napetosti UMP in toka IMP upoštevamo le za polovico
navitja transformatorja, saj v vsaki polperiodi teče tok le skozi polovico
celotnega navitja!
Če upoštevamo tokovno zanko – transformator, dioda D1 in dioda D2 –, velja,
da je vsota vseh padcev napetosti v zanki enaka nič (drugi Kirchhoffov zakon).
Ker pa je ena od diod prevodna, pomeni, da mora druga dioda prenesti
celotno zaporno napetost transformatorja, ne pa polovice:
U RM = U M = U EF ⋅ 2 zaporna napetost diode
Frekvenca izhodnega signala je ravno dvakrat večja od frekvence vhodnega
signala. Pri omrežni frekvenci 50Hz je na izhodu signal frekvence 100Hz.
40
DIODE
Primer
Izračunajmo enosmerno napetost in tok na bremenu
polnovalnega usmernika s sredinskim odcepom, če
6V 20 transformator pretvori 220V na 2×6V! Kolikšno
220V zaporno napetost morata vzdržati diodi?
6V
Najprej izračunajmo temensko vrednost napetosti

polovice navitja:
U MP = U EF ⋅ 2 = 6 V ⋅ 2 = 8,485 V
Sedaj lahko izračunamo še enosmerno napetost in tok na bremenu:
U MP 8,485 V
U SR = 2 ⋅ = 2⋅ = 5,4 V
π π
U SR 5,4 V
I SR = = = 270mA
RB 20Ω
Največja zaporna napetost, ki jo morata diodi vzdržati, je enaka temenski
vrednosti napetosti celotnega navitja:
U RM = 2 ⋅ U MP = 16,97 V
Primer
Kolikšno napetost mora imeti sekundarno navitje transformatorja s sredinskim
odcepom, da bo na izhodu polnovalnega usmernika napetost USR=12V?
Izračun začnemo tako, da najprej izračunamo potrebno temensko vrednost
napetosti polovice navitja transformatorja:
π π
U MP = U SR ⋅ = 12 V ⋅ = 18,85 V
2 2
Nato izračunamo še efektivno vrednost napetosti na polovici navitja transfor-
matorja:
41
U MP 18.85 V
U EF = = = 13,3V
2 2
Transformator mora pretvoriti 220V na 2×13,3V (skupaj 26,6V), diodi pa
morata v zaporni smeri vzdržati napetost 2xUMP=37,7V.
3.3.3. Mostični polnovalni usmernik

Z mostičnim polnovalnim usmernikom dosežemo polnovalno usmerjanje brez
uporabe sredinskega odcepa na transformatorju. Sestavljen je iz štirih usmer-
niških diod, vezanih v mostiček (pravimo mu tudi Greatzov mostiček).
UIZH
IIZH UM
220V
USR
UIZH R
t
Slika 3.15. Mostični polnovalni usmernik.
Delovanje si spet oglejmo v posameznih polperiodah. V času pozitivne

polperiode steče tok iz transformatorja skozi diodo D1, breme R in nazaj skozi
diodo D3 v transformator (slika 3.16 a). Na diodah D2 in D4 je zaporna
napetost, zato ne prevajata. V času negativne polperiode pa steče tok iz
transformatorja skozi diodo D2, breme R in nazaj skozi diodo D4 v trans-
formator (slika 3.16 b). Sedaj je zaporna napetost na diodah D1 in D3, zato ne
prevajata.
42
DIODE
a) b)
Slika 3.16. Prevajanje mostička v a) pozitivni in b) negativni polperiodi.
V vsaki polperiodi dve nasproti ležeči diodi prevajata, ostali dve pa ne. Zato je
padec napetosti na mostičku vedno enak dvema padcema napetosti na diodi
(okrog 1,4V). Zaporna napetost, ki jo morajo diode prenesti, je enaka
temenski napetosti na transformatorju. Srednji vrednosti napetosti in toka na
izhodu sta enaki kot pri prejšnjem vezju, le da sedaj upoštevamo temensko
vrednost napetosti in toka celotnega navitja transformatorja:
UM
U SR = 2 ⋅ srednja vrednost napetosti, kjer je U M temenska napetost.
π
IM
I SR = 2 ⋅ srednja vrednost toka, kjer je I M temenski tok.
π
Mostično vezje lahko sestavimo iz štirih diod, lahko pa ga dobimo že nareje-
nega. Ta ima štiri sponke: dve z oznakami »∼ ∼« za vhod ter dve z oznakami
»+ -« za izhod. Na ohišju je tudi oznaka, ki pomeni mejno vrednost napetosti
in toka: npr. oznaka B80C4700/3300 pomeni, da je zaporna napetost lahko
največ 80V, največji tok s hlajenjem 4700 mA, brez hlajenja pa 3300 mA.
Primer
Izračunajmo napetost in tok na bremenu
polnovalnega usmernika! Kolikšno zaporno
napetost morajo zdržati diode?
220V 12V
20
U M = U EF ⋅ 2 = 12 V ⋅ 2 = 16,97 V
UM 16,97 V
U SR = 2 ⋅ = 2⋅ = 10,8 V
π π
43
U SR 10,8 V
I SR = = = 540mA
RB 20Ω
U RM = U M = 16,97 V
3.3.4. Usmerniki za trofazni napetostni sistem

Ti usmerniki so lahko tako s sredinskim odcepom (slika 3.17 a) kot z mostič-
nim vezjem (slika 3.17 b). Frekvenca izhodnega signala je pri prvem trikrat, pri
drugem vezju pa kar šestkrat večja od omrežne, kar pomeni, da je usmerjanje
boljše kot pri enofaznem sistemu.
a) b)
UIZH UIZH
UIZH
Slika 3.17. Usmerniki za trofazni napetostni sistem: a) s sredinskim odcepom, b) z

mostičnim vezjem.
3.3.5. Množilniki napetosti

Poleg samega usmerjanja lahko z usmerniškim vezjem napetost tudi poveča-
mo. Na ta način prihranimo pri navitju transformatorja. Vezja pa so občutlji-
vejša na različne vrednosti bremen.
Villardovo podvojitveno vezje (slika 3.18 a) je polvalni usmernik. V času
negativne polperiode teče tok iz transformatorja skozi diodo D1 in konden-
zator C1. Zaradi diode D2 tok ne teče skozi breme, temveč polni kondenzator
C1 na napetost U. V času pozitivne polperiode teče tok skozi kondenzator C1,
diodo D2 ter kondenzator C2. Kondenzator C2 se polni iz dveh napetostnih
virov: transformatorja in kondenzatorja C1, ki se je v predhodni polperiodi
napolnil. Zato se kondenzator C2 napolni na napetost 2xU.
44
DIODE
a) C1 D2 b)
D1 C1
D1 C2 UIZH UIZH
D2 C2
Slika 3.18. Množilnika napetosti: a) Villardovo podvojitveno vezje in b) Delonovo

podvojitveno vezje.
Delonovo podvojitveno vezje (slika 3.18 b) je polnovalni usmernik. V času

pozitivne polperiode teče tok skozi diodo D1 in kondenzator C1; kondenzator
C1 se napolni na napetost U. V času negativne polperiode pa teče tok skozi
kondenzator C2 in diodo D2; kondenzator C2 se napolni na napetost U. Ker sta
kondenzatorja na izhodu vezana zaporedno, se padca napetosti obeh konden-
zatorjev seštevata. Tako je na izhodu napetost 2xU.
+
5U
4U
+
Slika 3.19. Kaskadni usmernik.
45
Za doseganje višjih napetosti, nekaj kilovoltov, uporabljamo kaskadni usmer-

nik (slika 3.19). Ta je sestavljen iz več stopenj (kaskad), ki služijo za podva-
janje napetosti. Če zanemarimo izgube, je napetost na izhodu tolikokrat višja,
kolikor je stopenj (kaskad).
Diode izmenoma polnijo kondenzatorje tako, da dobimo (določen čas po vklo-
pu vezja!) na izhodu seštevek posameznih padcev napetosti na kondenzatorjih.
Pri kaskadnem usmerniku moramo predvsem paziti na prebojne napetosti
diod in kondenzatorjev, ki morajo biti primerno visoke.
3.3.6. Zaporedna in vzporedna vezava diod

Kadar uporabimo diode pri napetostih, ki presegajo dovoljeno zaporno nape-
tost diod, jih vežemo več zaporedno. Ker je tok v zaporni smeri skozi vse diode
enak, so zaradi odstopanj v karakteristikah posameznih diod padci napetosti
različni (slika 3.20). Neenakomerno porazdeljena zaporna napetost lahko
povzroči preboj katere od diod. To preprečimo z upori in kondenzatorji, ki jih
vežemo vzporedno k vsaki diodi. Upori služijo za uravnoteženje različnih
zapornih upornosti diod. Upornost upora naj bo manjša od upornosti diod v
zaporni smeri. Kondenzatorji pa služijo za uravnoteženje različnih preklopnih
časov diod. Izberemo diode istega tipa (z enakimi zapornimi lastnostmi) in jih
zaradi temperaturne uravnave pritrdimo na skupno hladilno telo.
UR [ V] 150 100 50
D1
I0
D2
I0
UR
IR [ A]
Slika 3.20. Zaporedna vezava diod.
46
DIODE
Pri velikih prevodnih tokovih vežemo več diod vzporedno. Ker imajo diode
različne prevodne karakteristike (slika 3.21), ne teče skozi vse diode enak tok.
To preprečimo z vezavo upora ali induktivnosti zaporedno z vsako diodo.
Izberemo diode istega tipa (z enakimi prevodnimi lastnostmi) ter jih vse
pritrdimo na skupno hladilno telo.
IF [ A ] D1 D2
2
IF
1
U0 Slika 3.21. Vzpo-

0,5 U0 1,0 UF [ V]
redna vezava diod.
3.3.7. Valovitost in glajenje napetosti

Na izhodu usmernikov ne dobimo čisto konstantne napetosti, temveč ta zaradi
izmenične napetosti na vhodu še vedno nekoliko niha. Tako je poleg enosmer-
ne komponente napetosti prisoten še delež izmenične. Kvaliteta usmernika je
odvisna od razmerja med izmenično in enosmerno komponento napetosti na
izhodu usmernika. Temu razmerju pravimo valovitost (angl. ripple).
UIZH
UR
USR
Slika 3.22. Določanje valovitosti.
47
pojem enačba
faktor valovitosti (angl. ripple factor) U
FR = R
U SR
faktor oblike (angl. form factor) U
FF = EF
U SR
usmerniško razmerje (angl. rectification ratio) P
RR = IZH
PVH
učinkovitost (angl. efficiency) P
η = IZH ⋅ 100
PVH
kjer je: U0 srednja vrednost napetosti na izhodu,

UR efektivna vrednost izmenične komponente
napetosti na izhodu,
UEF efektivna vrednost napetosti na izhodu,
PVH izmenična moč na vhodu,
PIZH enosmerna moč na izhodu.
Čim manjša je valovitost, tem manj je nihanja izhodne napetosti in boljši je

usmernik. Za primer si oglejmo vrednost valovitosti pri osnovnih usmernikih:
tip usmernika faktor valovitosti

polvalni 1,21
polnovalni 0,48
trofazni usmernik s sredinskim odcepom 0,18
trofazni mostični usmernik 0,042
Zmanjšanje faktorja valovitosti dosežemo z uporabo filtrov. Oglejmo si

uporabo najenostavnejšega – RC filtra (slika 3.23). Kondenzator, ki služi za
glajenje napetosti, priključimo vzporedno z bremenom.
48
DIODE
Dioda prevaja, ko je napetost na transformatorju višja od napetosti na

kondenzatorju (od točke A do točke B na sliki 3.23). Tok, ki teče skozi diodo,
nadaljuje pot skozi kondenzator in breme. V tem času se v kondenzatorju
kopiči elektrina.
Ko pa napetost na transformatorju pade pod napetost na kondenzatorju,
dioda ne prevaja več (od točke B do točke A na sliki 3.23). Elektrina, ki se je
medtem nabrala na kondenzatorju, se sedaj prazni skozi breme. Zaradi
kondenzatorja nihanje napetosti na bremenu ni več tako izrazito.
UIZH
B B
ID
A A
C UIZH RB
t
ID
Slika 3.23. Glajenje napetosti s kondenzatorjem.
Kako hitro se kondenzator polni ali prazni, je odvisno od časovne konstante:

τ = R ⋅C ,
kjer je R upornost, skozi katero se kondenzator C polni ali prazni. Velika
časovna konstanta τ pomeni počasnejše praznjenje in manjše utripanje
napetosti na bremenu. Majhna časovna konstanta τ pa pomeni hitro praznje-
nje kondenzatorja in večje utripanje napetosti na bremenu. Pri usmerniku na
sliki 3.23 se kondenzator polni preko diode, prazni pa preko bremena. Ker je
upornost diode rD največkrat mnogo manjša od upornosti bremena, se kon-
denzator hitreje polni kot prazni. Hitrost praznjenja in s tem velikost utripanja
izhodne napetosti je odvisna od produkta upornosti bremena in kapacitivnosti
49
kondenzatorja. Pri večjih tokovih skozi breme (manjša upornost bremena)

potrebujemo zato večjo kapacitivnost, če želimo imeti enako učinkovito
glajenje kot pri manjših tokovih.
UIZH UIZH
C=1000 F R=100
C=500 F R=50
t t
Slika 3.24. Vpliv kapacitivnosti in toka skozi breme na obliko napetosti.
Srednjo napetost na izhodu lahko izračunamo s pomočjo poenostavitev. Pri

dovolj veliki kapacitivnosti kondenzatorja (ωRC>>1) bomo eksponencialno
padanje napetosti nadomestili s premico. Če je UM temenska napetost, UTizm
pa napetost od temena do temena (angl. peak-to-peak) izmenične komponen-
te napetosti, lahko napišemo:
U Tizm
U SR = U M −
2
UIZH
UT
t1 t2
T
Slika 3.25. Poenostavitev
t pri izračunu napetosti.
50
DIODE
Naj bo t1 čas polnjenja, t2 pa čas praznjenja kondenzatorja. V času t2 bo

kondenzator izgubil ISRxt2 naboja, torej bo napetost nihanja:
I SR ⋅ t2
UTizm =
C
Če je glajenje napetosti dovolj učinkovito, bo čas polnjenja t1 zelo majhen, čas
praznjenja t2 pa se bo bližal času ene periode t2=1/f za polvalni usmernik ali
času ene polperiode t2=1/2f za polnovalnega. Tako je:
I SR
U SR = U M − za polvalni usmernik
2⋅ f ⋅C
I SR
U SR = U M − za polnovalni usmernik
4⋅ f ⋅C
Primer
Izračunajmo kapacitivnost kondenzatorja C, da bo
0,1A
utripanje napetosti na izhodu UT znašalo 2V.
Napetost transformatorja je 10V, tok bremena
220V 10V 0,1A, omrežna frekvenca pa f=50Hz! Kolikšna je
C
izhodna napetost USR?
I SR 0,1A
C= = = 1000 µF
f ⋅ UT 50Hz ⋅ 2V
U M = U EF ⋅ 2 = 10 V ⋅ 2 = 14,14V
U 2V
U SR = U M − T = 14,14V − = 13,14 V
2 2
51
3.3.8. Diode pri omejevanju napetosti

Zaradi napačne priključitve, inducirane napetosti v vodih ali električne spraz-
nitve se lahko napetost na vhodu vezja nevarno poveča in uniči vezje. To lahko
preprečimo z ustrezno vezavo diod, ki omeji napetosti na vhodu vezija. Na sliki
3.26 je enostavno vezje z diodama, ki začneta prevajati, brž ko vhodna
napetost preseže napetost kolena diod. Prva začne prevajati, ko je na vhodu
napetost večja od +0,7V, druga pa pri -0,7V. Upor služi zato, da ne bi s
prevelikim prevodnim tokom uničili diod.
UIZH
R
0,7V
UG UIZH t
-0,7V
Slika 3.26. Preprosto omejevalno vezje z diodama.
Da bi omejili različne napetosti, moramo diodi spremeniti napetost, pri kateri

prevaja. To naredimo s pomočjo napetostnega vira, ki ga vežemo zaporedno z
diodo. Napetostni vir obrnemo tako, da se prišteje k napetosti kolena diode
(pozitivni pol vira je priključen na katodo diode). Na sliki 3.27 a) je
omejevalnik z diodo, kjer začne dioda prevajati šele, ko je vhodna napetost
višja od napetosti vira in napetosti kolena diode: 4,3V+0,7V=5V.
V tem primeru smo omejili samo pozitivno napetost. Navzdol omejimo
napetost tako, da vežemo še eno diodo in napetostni vir v nasprotno smer. Na
sliki 3.27 b) je vezje, ki omeji napetost na +5V in -2V. Na sliki 3.27 c) pa je
omejevalnik, ki ga pogosto srečamo na vhodu digitalnih vezij. Dioda D1 začne
prevajati, ko vhodna napetost preseže +5,7V, dioda D2 pa pri -0,7V.
52
DIODE
a) b) c)
R R
+5V
4,3V 4,3V 1,3V
Slika 3.27. Omejevalniki napetosti.
3.3.9. Dioda kot analogno stikalo

Diode uporabljamo tudi kot stikala za izmenične signale. Če je signal dovolj
majhen, bo tekel skozi diodo samo tedaj, ko bo nanjo priključena enosmerna
napetost v prevodni smeri. Brž ko na diodo priključimo zaporno (enosmerno)
napetost, prehod signala ni več mogoč. Diodam, ki služijo za krmiljenje
signalov, pravimo signalne diode.
A
+10V, -10V
R1
C2
B C
C1
R2
Slika 3.28. Analogno

stikalo z diodo.
Stikalo na sliki 3.28 vklopimo tako, da na anodo (priključek A) priključimo

pozitivno napetost, ki je višja od napetosti kolena diode. Dioda se tedaj odpre
in prevaja tako enosmerni tok kot tudi majhen izmenični signal iz vhoda
(priključek B). Ko pa na anodo diode (priključek A) priključimo negativno
napetost, se dioda zapre. Ker je sedaj njena upornost rR zelo velika, predstavlja
53
veliko oviro tudi za izmenični signal. Kondenzatorja C1 in C2 preprečita, da bi

enosmerni tok, s katerim krmilimo diodo, stekel drugam.
Boljše vezje (pravimo mu tudi vzorčevalnik) ima obliko mostička (slika 3.29).
Ko na vhod med sponkama A in B priključimo pozitivno napetost UAB, se vse
štiri diode odprejo. Zaradi konstantnih padcev napetosti na diodah je
izmenična napetost na izhodu UIZH enaka izmenični napetosti na vhodu UVH.
Ko pa med sponki A in B priključimo negativno napetost, se diode zaprejo in
na izhodu je napetost 0. Vezje je primerno tudi za večje izmenične napetosti.
UAB
A +UAB
t
R1
UG
C
t
UG UIZH UIZH
R2
t
B -UAB
Slika 3.29. Diodni vzorčevalnik.
54
DIODE
3.4. POSEBNE VRSTE DIOD

Poleg usmerniških diod poznamo še vrsto drugih diod, ki prav tako služijo
najrazličnejšim namenom. Nekaj najpomembnejših bomo spoznali v naslednjih
odstavkih.
Slika 3.30.
Različne oblike
diod.
3.4.1. Prebojna dioda

Prebojne diode (ali tudi Z-diode oz. Zenerjeve diode) uporabljamo v zaporni
smeri pri napetostih, ki presegajo prebojno napetost diode, kar je – v nasprotju
z usmerniško diodo – tu dopustno. Prevodna karakteristika je podobna
karakteristiki usmerniške silicijeve diode. Pri zaporni napetosti, ki je nižja od
prebojne, teče majhen zaporni tok v vrednosti nekaj nA (nano amperov).
Ko pa prekoračimo zaporno napetost preboja (Z-napetost), začne zaporni tok
strmo naraščati. Vsako dodatno povečanje zaporne napetosti povzroči strmo
povečanje zapornega toka. Zaradi tega moramo tok ustrezno omejiti, saj je
dopustni tok v zaporni smeri občutno nižji od dopustnega toka v prevodni
smeri. Prebojne diode za napetosti do 5V, prevajajo v zaporno smer zaradi
Zenerjevega efekta, nad to napetostjo pa zaradi plazovitega preboja. Prav
zaradi prvega pojava so te diode dobile ime Zenerjeve diode (čeprav Zenerjev
efekt velja samo za tiste do 5V). Prebojno napetost določijo pri izdelavi diode
z ustreznim dopiranjem (dodajanjem primesi) in znaša nekje od 1,8V pa do
200V.
55
IF
UZ
UR UF
IR
Slika 3.31. Simbola in karakteristika prebojne diode.
Dioda ima v področju Zenerjevega preboja negativni temperaturni koeficient,

v področju plazovite ionizacije pa pozitivnega.
Prebojne diode najpogosteje uporabljamo za stabilizacijo napetosti – v zaporni
smeri v področju, ki mu pravimo stabilizacijsko področje. Na sliki 3.32 je
preprosto stabilizacijsko vezje z uporom in prebojno diodo. Ta deluje kot
stabilizator le, če je napetost na diodi v stabilizacijskem področju. Zato mora
biti vhodna napetost UVH večja od prebojne napetosti diode UZ. Ko vhodno
napetost zvečamo, se strmo poveča tok skozi diodo (kar je razvidno že iz
karakteristike, ki je v stabilizacijskem območju zelo strma). Zaradi tega se
zveča tudi tok skozi upor R in padec napetosti UR. Izhodna napetost pa le
malo naraste.
U
R UR
UVH UIZH
I
IR
Slika 3.32. Stabilizator napetosti s prebojno diodo.
56
DIODE
Prebojno diodo najpogosteje uporabljamo za stabilizacijo napetosti, kjer izko-

riščamo strmo naraščanje toka v prebojnem področju diode.
Za koliko se izhodna napetost spremeni, če spremenimo napetost na vhodu, je

odvisno predvsem od strmine krivulje diode v stabilizacijskem področju. Del
območja lahko lineariziramo in podamo kot diferencialno upornost rZ. Sedaj je
sprememba izhodne napetosti podana z enačbo:
∆U IZH rZ r
= ≅ Z ,
∆UVH R + rZ R
kjer je R zaporedno vezan upor. Pomembna podatka za doseženo stabilizacijo

sta še gladilni faktor G ter faktor stabilizacije S:
∆UVH R
G= = +1
∆U IZH rZ
∆UVH
UVH  R  U
S= =  + 1 ⋅ IZH
∆U IZH  rZ  UVH
U IZH
Zaporedno vezani upor izberemo tako, da ne prekoračimo dopustne izgubne
moči prebojne diode. Upornost mora biti v mejah:
UVH max − U IZH U − U IZH
< R < VH min ,
I Z max + I IZH min I Z min + I IZH max
kjer za najmanjši tok skozi diodo IZmin vzamemo nekje od 5% do 10% maksi-
malnega IZmax.
Primer
Izračunajmo upornost zaporednega upora R tako, da prebojna dioda pri
neobremenjenem vezju ne bo prekoračila dopustne izgubne moči, ki znaša
PZ=0,5W (slika 3.32)! Največja vhodna napetost znaša UVH=15V, napetost na
izhodu pa UZ=8V.
Najprej izračunajmo, kolikšen je tok diode pri dopustni izgubni moči:
57
PZ 0,5 W
IZ = = = 62,5mA
UZ 8V
Sedaj lahko izračunamo upornost upora R:
U R UVH − U Z 15V − 8V
R= = = = 112 Ω
IR IZ 62,5mA
3.4.2. Kapacitivna (varicap) dioda

Dioda, ki jo priključimo v zaporno smer, se obnaša kot majhen kondenzator.
Tej kapacitivnosti pravimo spojna kapacitivnost diode. V zaporni smeri deluje
zaporna plast kot dielektrik, dobro prevodni p in n področji pa kot plošči
majhnega kondenzatorja. Zaporna plast se z večanjem pritisnjene zaporne
napetosti širi, podobno, kot če bi razmikali plošči kondenzatorja. Zaradi tega
se spojna kapacitivnost z zaporno napetostjo manjša. Le-ta je odvisna od
izvedbe diod in znaša nekje od 0,1 do 10pF (piko faradov).
C [ pF ]
UR [ V]
10 20 30
Slika 3.33. Simbol in potek kapacitivnosti z zaporno napetostjo kapacitivne diode.
Kapacitivno diodo uporabljamo povsod tam, kjer želimo z napetostjo spremi-

njati kapacitivnost v vezju, kot npr. v nihajnem krogu na sliki 3.34. Zaporedno
vezani kondenzator CS prepreči, da bi stekel tok skozi tuljavo zaradi napetosti
UUGL, s katero uglašujemo diodo. Da bi bil vpliv CS čim manjši, mora imeti
58
DIODE
neprimerno večjo kapacitivnost, kot jo ima dioda. Z večanjem uglaševalne

napetosti UUGL se kapacitivnost diode niža in s tem se resonančna frekvenca
nihajnega kroga viša. Na ta način s spremembo napetosti uglašujemo
resonančne kroge.
CS
R
UUGL Slika 3.34. Vzporedni

nihajni krog s kapacitivno
diodo.
Kapacitivne ali varaktorske (varicap) diode izkoriščamo za generiranje višjih

harmonskih frekvenc v vezjih za pomnoževanje frekvence. To nam omogoča
nelinearna odvisnost spojne kapacitivnosti od zaporno priključene napetosti.
Zaradi nelinearnosti se iz signala z osnovno frekvenco generirajo signali z
višjimi frekvencami, ki so mnogokratniki osnovne – višjeharmoniki. S pri-
mernim filtrom nato izločimo željeno višjeharmonsko frekvenco.
Kapacitivno ali varaktorsko diodo uporabljamo kot spremenljiv kondenzator,

saj se ji kapacitivnost v zaporni smeri z večanjem zaporne napetosti manjša.
3.4.3. PIN dioda

PIN dioda je narejena tako, da ima med p in n področjem še področje brez
primesi: intrinsično področje. Tu se ob preklopu zadržujejo elektrine dalj časa
kot pri usmerniški diodi. Pri preklopu napetosti iz prevodne v zaporno smer bo
tok skozi diodo tekel še nekoliko časa, zato PIN diode niso primerne za
usmernike. Uporabljamo jih pri visokih frekvencah, kjer jim prevodno upor-
nost krmilimo s prevodnim tokom – upornost jim namreč s tokom upada.
Poleg tega jih uporabljamo kot stikalne diode za signale visokih frekvenc. Ko
je dioda priključena v prevodni smeri, se zaradi nakopičenih elektrin tudi pri
večjih izmeničnih signalih ne zapre. Tako je visokofrekvenčni signal manj
popačen.
59
PIN dioda ima med p in n področje, kjer ni primesi. Pri preklopu se elektrine v
tem področju zadržujejo dlje kot pri ostalih diodah. Uporabljamo jo kot tokov-
no spremenljiv upor ter kot stikalno diodo za visoke frekvence.
3.4.4. Tunelska dioda

Tunelske diode so diode z ekstremno visoko dopiranima polprevodniškima
področjema. Poglejmo najprej, kaj se dogaja, ko na diodo priključimo napetost
v zaporni smeri. Zaradi velikega števila nosilcev elektrin prihaja do njihovega
tuneliranja (prehajanja) skozi zaporno plast. V zaporni smeri teče velik tok že
pri nizki priključeni napetosti.
V prevodni smeri se tok s pritisnjeno napetostjo strmo veča do določene
vrednosti. Nato karakteristika preide v področje negativne upornosti (od točke
A do točke B na sliki 3.35). Področje negativne karakteristike pomeni, da se z
večanjem prevodne napetosti prevodni tok manjša. Ko doseže najnižjo vred-
nost (točka B), preide karakteristika v običajno prevodno karakteristiko.
Tunelska dioda nima zapornih lastnosti.
IF
UR B UF
IR
Slika 3.35. Simbol in karakteristika tunelske diode.
Uporabljamo jo kot zelo hitro stikalo, njeno področje negativne upornosti pa

uporabljamo v oscilatorjih zelo visokih frekvenc razreda GHz (gigahertzov).
60
DIODE
Poznamo tudi backward diode, ki imajo zaradi tunelskega efekta v zaporni

smeri zelo nizko prebojno napetost in jim zato v zaporni smeri tok hitreje
narašča kot v prevodni. Uporabljamo jih v usmernikih, detektorjih ali v
mešalnih vezjih, le da je tu vloga anode in katode obrnjena.
Tunelska dioda ima zaradi izjemno velike količine primesi in ozke zaporne
plasti drugačno karakteristiko kot navadna dioda. V njeni prevodni karakte-
ristiki izkoriščamo predvsem področje z negativno upornostjo. Tunelske diode
uporabljamo kot zelo hitra stikala ter za oscilatorje zelo visokih frekvenc.
3.4.5. Schottkyjeva dioda

Podobno kot pn spoj se obnese tudi spoj med kovino in polprevodnikom.
Zaradu različnih energijskih nivojev kovine in polprevodnika se na njunem
spoju ustvari potencialni prag oz. kontaktna napetost. Ker med kovino in n-
tipom polprevodnika potujejo le elektroni, to pomeni, da pri prevajanju
sodelujejo večinski naboji (elektroni). Zaradi tega pri Schottkyjevi diodi ni
zakasnitev zaradi presežkov manjšinskih nabojev in diode uporabljamo povsod
tam, kjer je potrebna velika hitrost delovanja.
Schottky diode, ki jih uporabljamo za usmernike visokih napetosti, so zgrajene
iz GaAs (galijev arzenid) polprevodnika (GaAs Schottky power diodes) in
imajo visoke dopustne prebojne napetosti (preko 800V).
Slika 3.36. Simbola

Schottkyjeve diode.
Spoju polprevodnika s kovino pravimo Schottkyjev spoj. Taka dioda ima zelo
dobre preklopne lastnosti in majhno prevodno napetost. Schottkyev spoj
uporabljamo tudi v drugih elementih (foto diodah, MESFET in podobno).
61
3.4.6. Svetleča dioda (LED)

Svetleča dioda (angl. light emitting diode, LED) spreminja električno energijo
v svetlobo. Ko diodo priključimo v prevodno smer, se presežki nabojev, ki
prehajajo preko pn spoja, rekombinirajo. Pri rekombinaciji se prosti elektroni
vračajo iz prevodnega zopet v valenčni pas in s tem oddajajo energijo. Valovna
dolžina oddanega valovanja je odvisna od količine energije, ki se je sprostila
pri rekombinaciji. Za valovanje v področju vidne svetlobe silicijev polprevod-
nik ni uporaben. Najpogosteje uporabljamo polprevodnike iz GaAs (infra-
rdeče), GaAsP (med rdečo in rumeno) ter GaP (med rdečo in zeleno). Barva
oddane svetlobe je odvisna od širine prepovedanega pasu (glej sliko 2.1.); čim
širši je, tem višja je frekvenca (oz. krajša valovna dolžina oddane svetlobe).
K
Slika 3.37. Svetleča
dioda (LED).
Svetleče diode najpogosteje uporabljamo za kontrolne lučke, v numeričnih

prikazovalnikih (angl. 7-segment display) ali pri optičnih spojnikih (angl. opto-
coupler). Optični spojnik je vezje, sestavljeno iz svetleče diode in svetlobno
občutljivega polprevodniškega elementa. Električni signal se pretvarja v
svetlobnega in nazaj v električnega. Optični spojnik tako galvansko loči vhodne
od izhodnih priključkov.
Svetleča dioda ali LED izkorišča oddajanje svetlobe, ki nastane zaradi

rekombinaciji, ko je dioda priključena v prevodno smer. Uporabimo jo kot
signalno lučko, v prikazovalnikih, optičnih spojnikih ter v komunikacijskih
vezjih.
62
DIODE
3.4.7. Fotodioda in sončna celica

Ko prehodno področje med p in n-tipom polprevodnika osvetlimo, dobijo
mnogi elektroni dovolj energije, da preskočijo iz valenčnega v prevodni pas.
Zaradi tega se ustvarijo proste elektrine, pari elektron-vrzel, ki v električnem
polju stečejo vsak na svojo stran. Osvetlitev prehodnega področja ustvari maj-
hen tok skozi to področje.
UR
0 lx
500 lx
1000 lx
IR
Slika 3.38. Simbol fotodiode in njena karakteristika v zaporni smeri.
Pri fotodiodi se na zgoraj opisan način poveča zaporni tok. Najpogosteje je

silicijeva, ima večjo površino pn spoja kot navadna dioda ter odprtino, skozi
katero prehaja svetloba. Ojačevalne fotodiode (angl. avalanche photodiodes)
izkoriščajo plazovito ionizacijo za ojačitev toka, ki ga povzroči svetloba. Pri
dovolj veliki zaporni napetosti povzročijo elektrine, ki nastajajo zaradi sve-
tlobe, plazovito ionizacijo; tok se v zaporni smeri diode naglo poveča.
A IF
IS
p
ED UR
n UF
P MAX
K osvetljena IR
Slika 3.39. Sončna celica ter njena karakteristika.
Podobno kot fotodioda deluje tudi sončna celica. Zaradi elekričnega polja, ki
vlada v zaporni plasti, stečejo elektroni, ki se v tem področju odtrgajo iz
valenčnih obel atomov, v n-tip. Prav tako stečejo nastale vrzeli v p-tip. To
63
povzroči negativen električni potencial na priključku n-tipa (katodi) in

pozitiven na priključku p-tipa (anodi). Če na sončno celico priključimo breme,
steče skozenj električni tok v smeri od anode h katodi diode.
Če si ogledamo karakteristiko osvetljene diode (na sliki 3.39), ugotovimo, da
seže tudi v četrti kvadrant, kjer imamo opraviti s pozitivno prevodno
napetostjo UF ter negativnim zapornim tokom IR. Njun produkt (električna
moč) ima zato negativen predznak. To pomeni, da dioda v tem delu
karakteristike proizvaja električno energijo. Sončna celica je narejena tako, da
se njen pn spoj razprostira na celotni površini celice, ki je zelo velika in znaša
nekje od 5 do 7,5cm.
Če zaporno plast diode osvetlimo, se v njej tvorijo prosti elektroni in vrzeli, ki

zaradi električnega polja stečejo vsak na svojo stran. Tako se v diodi z osvetlit-
vijo poveča zaporni tok.
3.4.8. Laserska dioda

Laserska svetloba je ozek snop svetlobe, ki je za razliko od sončne svetlobe
monokromatska in koherentna: monokromatska pomeni, da so vsi fotoni
enake valovne dolžine, koherentna pa to, da je elektromagnetno valovanje
fotonov v fazi.
Oglejmo si, kako dobimo lasersko svetlobo. Upoštevati moramo tri pojave, ki
potekajo med elektroni in fotoni:
1. Absorpcija: elektron se povzpne na višji energijski nivo s pomočjo energije
fotona (slika 3.40 a).
elektron + foton = vzbujen elektron
2. Spontana emisija: obraten proces; vzbujen elektron preide na nižji energij-

ski nivo tako, da odda foton (slika 3.40 b).
vzbujen elektron = elektron + foton
3. Stimulirana emisija: foton vpliva na vzbujen elektron tako, da se ta povrne

na nižji energijski nivo (slika 3.40 c).
vzbujen elektron + foton = elektron + foton + foton
64
DIODE
Oba fotona stimulirane emisije sta koherentna, torej je njuno elektromagnetno

valovanje v fazi. Pogoj za tvorbo laserske svetlobe je med drugim veliko število
vzbujenih elektronov, ki povzročijo stimulirano emisijo. Ko vzbujeni atom
absorbira foton, odda dva fotona, ki sta v fazi. Ta zadeneta druga dva vzbujena
atoma, ki spet oddata vsak po dva fotona, itd.
a) b) c) prevodni
pas
valenčni
pas
Slika 3.40. Potek a) absorpcije, b) spontane emisije in c) stimulirane emisije.
Omenjeni pojav je mogoče doseči v prevodno priključenem pn spoju (podobno

kot pri svetleči diodi), ki mora imeti visoko koncentracijo primesi v p in n-tipu
polprevodnika. Stranici diode sta natančno polirani, tako da se od njiju
svetloba odbija. Prehodno področje diode je torej narejeno kot optični
resonator, odbita svetloba pa povzroča stimulirano emisijo. Na tisti strani, kjer
ima polirana stranica slabšo odbojnost, se del fotonov odbije nazaj v spoj in
povzroča nadaljnjo stimulirano emisijo, drugi del pa uide v obliki laserske
svetlobe.
prevodni pas
n
laserska valenčni pas
svetloba zrcali
Slika 3.41. Laserska dioda.
65
VPRAŠANJA
1. Zakaj dioda v zaporni smeri ne prevaja električnega toka? Kaj je tok nasi-
čenja diode?
2. Kaj je napetost kolena? Zakaj dioda v prevodni smeri prevaja šele pri
določeni napetosti? Kolikšna je ta napetost za silicij in germanij?
3. Kaj je plazovita ionizacija? Ali diode prebijejo še na kakšen drug način?
4. Kaj je spojna kapacitivnost in od česa je odvisna?
5. Zakaj nastane difuzijska kapacitivnost pri diodi in kakšen je njen vpliv na
preklopne lastnosti diod?
6. Kako deluje mostični polnovalni usmernik?
7. Koliko diod in kondenzatorjev mora imeti kaskadni usmernik, če želimo
imeti 8-krat višjo napetost?
8. Kje srečamo Delonovo vezje?
9. Zakaj vežemo več diod zaporedno, kakšna je slabost take vezave in kako
jo odpravimo?
10. Zakaj vežemo več diod vzporedno, kakšna je slabost take vezave in kako
jo odpravimo?
11. Kaj označuje pojem »valovitost« pri usmernikih? Kako jo najlažje zmanj-
šamo?
12. Kaj se zgodi z napetostjo na bremenu usmernika, če zvečamo kapacitiv-
nost kondenzatorja, ki služi za glajenje?
13. Kako lahko uporabimo diodo kot analogno stikalo?
14. V kakšen namen najpogosteje uporabljamo prebojno diodo?
15. Kako spreminjamo kapacitivnost pri kapacitivni diodi?
16. Kje uporabimo PIN diode?
17. Kakšna je značilnost tunelske diode? Kje jo zato lahko uporabimo?
18. Kako se imenuje dioda, ki je izdelana iz spoja med kovino in polpre-
vodnikom? Kakšna je njena lastnost?
19. Zaradi česa svetleča dioda sveti?
20. Kako sončna celica pretvarja energijo v električno?
21. Kaj je stimulirana emisija in kje jo lahko uporabimo?
66
DIODE
NALOGE
1. Kolikšna je lahko največja izgubna moč na silicijevi diodi in kolikšen je
prevodni tok, če je delovna temperatura 30°C? Totalna toplotna upornost
znaša 100°C/W, največja dopustna temperatura polprevodniškega spoja pa
je 150°C. (Odg.: 1,2W, 1,7A)
2. Kolikšno napetost mora imeti sekundar transformatorja, da bo na izhodu
mostičnega usmernika 10V? (Odg.: 11,1V)
3. Kolikšna je napetost na izhodu mostičnega usmernika s kondenzatorjem
za glajenje napetosti C=500µF a) brez bremena ter b) z bremenom
R=100Ω? Kolikšna je temenska vrednost izmenične komponente nape-
tosti v drugem primeru? Napetost na sekundarju transformatorja znaša
10V. (Odg.: 14,14V, 12,85V, 2,57V)
4. Nariši omejevalno vezje z diodami, ki naj omeji vhodno napetost na +3V
in -1V!
5. Izračunaj zaporedno vezani upor pri stabilizatorju napetosti s prebojno
diodo, da pri najvišji vhodni napetosti UVH=20V dioda ne prekorači
dovoljene izgubne moči PD=0,25W! Napetost na izhodu je UIZH=9V, tok
porabnika pa niha od 10 do 50mA. (Odg.: 291Ω)
67
68
BIPOLARNI TRANZISTOR
Poglavje 4
BIPOLARNI
TRANZISTOR
Bipolarni tranzistor, ki sta ga leta 1947 odkrila ameriška fizika

Bardeen in Brattain, je zgrajen iz dveh pn spojev. Ugotovila sta,
da je tok skozi prvi pn spoj, ki je priključen v zaporni smeri, odvi-
sen od toka skozi drugi spoj, ki je priključen v prevodno smer. Ta-
ko je nastal polprevodniški element, ki služi za ojačenje signalov.
4.1. SIMBOL IN ZGRADBA

Bipolarni tranzistor dobimo z združitvijo treh plasti polprevod-
nika. Kombiniramo jih lahko na dva načina: pnp ter npn, zato tudi
tranzistorje delimo na ta dva tipa.
Na vsako polprevodniško plast je pritrjen po en priključek. Ime-
nujejo se emitor (E), baza (B) in kolektor (C). V simbolu za
tranzistor ima emitor obliko puščice, po njeni smeri lahko ugotovimo tip
tranzistorja. Če kaže puščica navznoter, je tranzistor pnp, če pa kaže puščica
navzven, potem je tranzistor npn.
69
C C
C C
p n
B B n B B p
p n
E E
E E
Slika 4.1. Bipolarna tranzistorja: pnp in npn.
Bipolarni tranzistor nam služi najpogosteje kot ojačevalnik ali kot stikalo. V
prvem primeru je sposoben ojačati majhne spremembe toka na vhodu, zato
tudi pravimo, da je to aktivni element. Kot stikalo ga najpogosteje najdemo v
digitalni tehniki, kjer od njega zahtevamo, da se glede na vhodni signal čim
hitreje odpre ali pa zapre.
Tranzistor je izdelan na ploščici polprevodnika, ki je pritrjena v plastičnem ali
kovinskem ohišju, iz njega pa molijo tri sponke. Ohišje je pri močnejših
tranzistorjih oblikovano tako, da lahko nanj pritrdimo hladilni element, ki
preprečuje pregrevanje tranzistorja. Če je na ploščici polprevodnika združenih
več tranzistorjev in je ploščica zaptra v eno ohišje, takemu vezju pravimo
integrirano vezje.
Slika 4.2. Raznolike oblike

bipolarnega tranzistorja.
70
4.2. DELOVANJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA

Tranzistor vsebuje dva pn spoja, ki ju lahko priključimo v prevodni ali v
zaporni smeri. Prvi spoj je med emitorjem in bazo, imenujemo ga emitorski
spoj, drugi pa med kolektorjem in bazo – kolektorski spoj. Tranzistor deluje v
tako imenovanem aktivnem področju le, če je emitorski spoj priključen v
prevodni smeri, kolektorski pa v zaporni smeri. Na sliki 4.3 si oglejmo tokove,
ki tečejo zaradi napetostnih virov UBE in UCB.
JeL
JvBE
E JvL C
n p n
IE JeEB JeBC IC
B
IB Slika 4.3. Tokovi
v npn bipolarnem
tranzistorju.
UBE UCB
Ko na emitorski spoj priključimo napetost UBE v prevodni smeri, začnejo

elektroni iz emitorja prehajati v bazo (JeBE), vrzeli pa iz baze v emitor (JvBE).
Skozi emitorski spoj steče emitorski tok IE. Pri izdelavi tranzistorja so primesi
v polprevodniških plasteh dodane tako, da je število elektronov, ki prehaja iz
emitorja v bazo, neprimerno večje od števila vrzeli v bazi. Zaradi tega nastane
v bazi višek elektronov, ki pa, ko bomo videli, ne zaključijo svoje poti skozi
bazo.
Med kolektorjem in bazo je zaporna napetost UCB, ki prepreči, da bi elektroni
iz kolektorja stekli v bazo, vrzeli pa iz baze v kolektor. Kolektor je na pozi-
tivnejšem električnem potencialu kot baza, zato privlači elektrone, ki so prišli
iz emitorja v področje baze in so tu manjšinski nosilci elektrine.
Ko je emitorski spoj prevodno polariziran, priteka v bazo iz emitorja veliko
število elektronov. Zaradi zaporne napetosti med kolektorjem in bazo UCB pa
71
stečejo v kolektor in povzročijo kolektorski tok IC (JeBC). To je mogoče le, če

je baza zelo tanka. V nasprotnem primeru bi se večina elektronov rekombi-
nirala (zapolnila vrzeli) vzdolž baze. Nekaj elektronov, ki jih emitor emitira v
bazo, sicer zaključi pot v bazi z rekombinacijo in tvori bazni tok IB, a večino jih
pritegne kolektor. Opis velja za npn tranzistor; v pnp tranzistorju potujejo od
emitorja h kolektorju vrzeli, napetostna vira pa morata biti obrnjena v
nasprotno smer.
Bipolarni tranzistor dela v aktivnem področju tako, da je spoj med emitorjem

in bazo priključen v prevodno smer, spoj med bazo in kolektorjem pa v zapor-
no smer. Tedaj elektrine, ki stečejo zaradi prevodne napetosti iz emitorja v
bazo, nadaljujejo pot v kolektor, ker jih privleče zaporno priključena napetost
kolektorskega spoja.
4.2.1. Analiza tokov v tranzistorju

Zaradi prevodne napetosti na emitorskem spoju UBE steče emitorski tok IE.
Število elektrin, ki jih emitor pošilja v bazo, je odvisno od napetosti UBE. Pri
npn tranzistorju so potujoče elektrine elektroni, pri pnp pa vrzeli.
Zaporna napetost UCB med kolektorjem in bazo povzroči, da elektrine, ki
prihajajo iz emitorja v bazo, stečejo v kolektor in tvorijo kolektorski tok IC.
Zaradi spremembe napetosti UCB se tokovi le malo spremenijo.
Koliko elektrin se med potjo v bazi rekombinira in tvori bazni tok IB, je
odvisno predvsem od širine baze. Čim širša je baza, večji je bazni tok IB in
manjši je kolektorski tok IC. Pri dovolj široki bazi kolektorski tok ne bi več
tekel in tranzistor bi deloval le še kot dva ločena pn spoja (ali dve diodi).
C C
IC UCB
IB
B B UCE
IE UBE Slika 4.4. Označbe tokov in

E E napetosti na tranzistorju.
72
Med kolektorjem in bazo se pretakajo še manjšinski nosilci elektrin ter pari

elektronov in vrzeli, ki nastajajo v baznem prehodnem področju (JeL in JvL na
sliki 4.3). Ker je ta tok majhen, ga bomo na začetku zanemarili.
Pomeni: UBE napetost med bazo in emitorjem

UCB napetost med kolektorjem in bazo
UCE napetost med kolektorjem in emitorjem
IB bazni tok
IC kolektorski tok
IE emitorski tok
Kolektorski tok IC je nekoliko manjši od emitorskega IE (IC = IE - IB). Raz-

merje med IC in IE podaja faktor, ki mu pravimo tokovno ojačenje:
IC
α= kratkostični tokovni ojačevalni faktor
IE
Ker tranzistor najpogosteje uporabimo tako, da je vhod na bazi, izhod pa na

kolektorju, določimo ojačevalni faktor med kolektorskim in baznim tokom:
IC α
β= = kratkostični tokovni ojačevalni faktor
IB 1 − α
Oba faktorja sta kratkostična zato, ker veljata, ko je izhod kratkostičen (upor-
nost bremena je 0). Kolektorski tok je skoraj enak emitorskemu, zato ima
faktor ojačenja α vrednost blizu 1 (okrog 0,99) in je vedno manjši od 1. Ker je
bazni tok majhen, je faktor ojačenja β mnogo večji od 1 (tipično 100). Če je
vhodni priključek baza, izhodni pa kolektor, ima ojačevalec s tranzistorjem
veliko tokovno ojačenje. Faktor tokovnega ojačenja β se od tranzistorja do
tranzistorja močno razlikuje, tudi pri tranzistorjih istega tipa, ker je odvisen od
tehnoloških izvedb tranzistorja. Zaradi fizikalnih dogajanj v bazi je β nekoliko
odvisen tudi od velikosti kolektorskega toka.
73
Prvi primer
IC Izračunajmo tokova IC, IB ter β, če sta IE=10mA in α=0,99!

IB
IE I C = α ⋅ I E = 0,99 ⋅ 10mA = 9,9mA

I B = I E − I C = 10mA − 9,9mA = 0,1mA = 100 µA
I C 9,9mA
β= = = 99
I B 0,1mA
Drugi primer
Izračunajmo tok IB ter faktorja α in β, če sta tokova IC=15mA in IE=15,2mA!
I B = I E − I C = 15,2 mA − 15mA = 0,2mA
IC 15mA
α= = = 0,9868
I E 15,2mA
I 15mA
β= C = = 75
I B 0,2mA
Tretji primer
IE IC Izračunajmo tokova IC in IE ter faktor β, če je tranzistor pri-
ključen tako, kot kaže slika! Bazni tok IB=0,1mA, α=0,988.
IB α 0,988
β= = = 82 ,33
1 − α 1 − 0,988
I C = β ⋅ I B = 82 ,33 ⋅ 0,1mA = 8,233mA
I E = I C + I B = 8,233mA +0,1mA = 8,333mA
74
V dosedanji razlagi smo zanemarili kolektorski tok manjšinskih nosilcev

elektrine ICB0, ki je v primerjavi s kolektorskim tokom zelo majhen in mu
pravimo tok nasičenja. Ta tok je sestavljen iz toka manjšinskih elektrin, ki
izvirajo iz baze in kolektorja, ter iz parov elektron-vrzel, ki nastanejo v pre-
hodnem področju kolektorskega spoja. Ker je ionizacija atomov v prehodnem
področju in s tem nastajanje parov elektron-vrzel odvisna od dovedene
energije, se ta tok s temperaturo ali osvetlitvijo spreminja. Čim višja je
temperatura kolektorskega spoja, več atomov v prehodnem področju ionizira
in s tem nastaja večje število prostih elektronov in vrzeli. Ta tok je pri si-
licijevem tranzistorju reda velikosti nA (nano amper) in se pri dvigu tempera-
ture za 7K podvoji.
Enačba za kolektorski tok je sedaj:
I C = α ⋅ I E + I CB0 ali
,
I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CB0
kjer lahko drugi člen nadomestimo s kolektorskim tokom ICE0:

I CE 0 = ( β + 1) ⋅ I CB0
I C = β ⋅ I B + I CE 0
Ker je kolektorski tok nasičenja ICE0 mnogo večji od toka ICB0, je večji tudi
njegov vpliv, ko se spreminja zaradi dovedene energije iz okolice.
ICB0 [ nA]
100
10
1
0.1 Slika 4.5. Odvisnost toka
0 50 100 150 TJ [ oC ] nasičenja od temperature.
75
Za označevanje vseh preostalih tokov bipolarnega tranzistorja uporabljamo

dodaten indeks:
0 neimenovan priključek je odprt,

S priključka sta kratkosklenjena,
R med obema priključkoma je upornost,
V med priključkoma je prednapetost v zaporni smeri.
ICE0 ICES ICB0
UCE0 UCES UCB0
Slika 4.6. Primer priključitve tranzistorja za meritev preostalih tokov v tranzistorju.
4.2.2. Različne orientacije tranzistorja

Tranzistor lahko kot ojačevalnik vežemo na tri različne načine. Ker imajo
ojačevalniki štiri sponke (dve za vhod in dve za izhod), tranzistor pa samo tri,
je ena sponka tranzistorja skupna za vhod in izhod. Način, na katerega je
tranzistor v vezju priključen (ali orientiran), poimenujemo po skupni sponki.
Tako poznamo tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem (slika 4.7 a),
skupno bazo (slika 4.7.b) in skupnim kolektorjem (slika 4.7 c).
IC IE
a) b) IE IC c)
IB IB
UCE UBE UCB UCE
UBE UCB
Slika 4.7. Načini priključitve tranzistorja.
76
4.2.3. Nadomestno vezje bipolarnega tranzistorja

Delovanje tranzistorja si najlažje predstavimo z nadomestnim vezjem, kjer
nastopajo enostavnejši elementi. Nadomestno četveropolno vezje ali model
tranzistorja lahko izpeljemo iz fizikalnega delovanja. Na sliki 4.8 a) je naj-
enostavnejši model, kjer je med vhodnima priključkoma dioda, ki nadomesti
prevodno priključeni spoj med bazo in emitorjem. Na izhodnih priključkih pa
je tokovni generator, ki nadomesti delovanje zaporno priključenega kolektor-
skega spoja. Tokovni generator je krmiljen z vhodnim tokom IB (IC=βxIB).
a) IB IC b) IB IC
B C B C
IB rBE IB
E E
Slika 4.8. Preprosti nadomestni vezji bipolarnega tranzistorja.
Pri majhnih in počasnih signalih lahko model lineariziramo in namesto diode

upoštevamo diferencialno upornost rBE (slika 4.8 b), ki sedaj predstavlja tudi
vhodno upornost tranzistorja.
∆U BE k⋅T U
rBE = ≅β⋅ =β⋅ T
∆I B q ⋅ IE IE
Pri izračunih vezij s tranzistorji velikokrat uporabljamo transkonduktanco gm,

ki nam pove, za koliko se spremeni kolektorski tok, če spremenimo napetost
med bazo in emitorjem:
∆I C q ⋅ IE β
gm = ≅ =
∆U BE k⋅T rBE
Nekoliko obširnejši model predstavlja hibridni π četveropol na sliki 4.9, kjer so

zajete še nekatere upornosti tranzistorja:
rBB’ skupna upornost, ki vlada med baznim priključkom (sponko) in
dejansko bazo na silicijevi ploščici,
rB’E vhodna upornost emitorskega spoja,
77
rB’C upornost zajema vpliv, ki jo ima sprememba kolektorske napetosti na

širino baze; ta upornost je zelo velika,
rCE upornost zajema spremembo kolektorskega toka s spremembo kolek-
torske napetosti, ki se pojavi zaradi spremembe širine baze.
rBB' B' rB'C

B C
rB'E gm u B'E rCE
E Slika 4.9. Hibridni π četveropol.
Poglejmo si še nadomestno vezje tranzistorja s pomočjo h-četveropolnih

enačb. Četveropolni enačbi za h-parametre sta:
u1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ u2
i2 = h21 ⋅ i1 + h22 ⋅ u2
Parametre izpeljemo iz enačb:

u1 vhodna upornost pri kratkosklenjenih izhodnih
h11 = hi = u2 = 0
i1 sponkah,
u1 povratni vpliv izhodne napetosti na vhodu pri odprtih
h12 = hr = i1 = 0
u2 vhodnih sponkah,
i2 tokovno ojačenje pri kratkosklenjenih izhodnih
h21 = hf = u2 = 0
i1 sponkah,
i2 izhodna prevodnost pri odprtih vhodnih sponkah.
h22 = ho = i1 = 0
u2
78
i1 h11 i2
u1 h12 u2 h21 i1 h22 u2
Slika 4.10. H-četveropol.
Tranzistor lahko priključimo v treh različnih orientacijah, zato si indeksi h-

parametrov sledijo takole:
skupni skupni skupna
parameter emitor kolektor baza
h11 hie hic hib
h12 hre hrc hrb
h21 hfe hfc hfb
h22 hoe hoc hob
Proizvajalci uporabljajo h četveropolne parametre za opis lastnosti tranzistorja

pri nizkih frekvencah, pri tranzistorjih za visoke frekvence pa pogosteje y-
parametre.
Ločiti moramo parametre, ki so podani za enosmerne (statične) vrednosti –
označujemo jih z velikimi indeksi (npr. hFE), ter tiste za izmenične (dina-
mične) vrednosti, ki veljajo za majhne izmenične signale – označujemo jih z
malimi indeksi (hfe). Najpomembnejši je faktor tokovnega ojačenja:
skupni emitor skupna baza

I I statično tokovno ojačenje za
hFE = C = β hFB = C = α enosmerne vrednosti toka
IB IE
∆I C ∆I C dinamično tokovno ojačenje za

h fe = = β AC h fb = = α AC izmenične vrednosti toka majhnih
∆I B ∆I E
signalov
Parametra hfe in hFE sta si zelo podobna. Vsi parametri so odvisni od nasta-
vitve (delovne točke) tranzistorja, zato jim vrednosti določimo s pomočjo
tabel, ki jih dobimo v katalogih proizvajalcev.
79
Za enostavnejši izračun si bomo pomagali s preprostejšim nadomestnim vez-

jem za majhne in počasne signale na sliki 4.11. Ostala sta samo parametra hie
in hfe. Ker je upornost bremena RL največkrat mnogo manjša od izhodne upor-
nosti 1/hoe, jo lahko zanemarimo.
iB iC
B C
RG hie iB hfe
RL
iE Slika 4.11. Poenostavljen h-
E E
četveropol.
Naslednja tabela prikazuje približke za tokovno ojačenje AI, napetostno

ojačenje AU, vhodno upornost RVH in izhodno upornost RIZH bipolarnega
tranzistorja:
skupni emitor skupni kolektor skupna baza pomen

hfe tokovno
AI − hfe 1 + hfe − hfb = ojačenje
1 + hfe
hfe ⋅ RL hie RL napetostno
AU − 1− hfe ⋅
hie RVH hie ojačenje
hie vhodna
RVH hie ( )
hie + 1 + hfe ⋅ RL hib =
1 + hfe upornost
RG + hie izhodna
RIZH ∞ ∞ upornost
1 + hfe
80
Sedaj lahko podamo grobe ocene omenjenih veličin za vse tri orientacije
tranzistorja.
skupni emitor skupni kolektor skupna baza

AI velika (β) velika (β+1) majhna (α<1)
AU velika majhna (<1) velika
RVH srednja velika majhna
RIZH srednja majhna zelo velika
4.2.4. Vhodna in izhodna karakteristika bipolarnega tranzistorja

Slika 4.12 prikazuje odvisnost vhodnega toka IB od priključene napetosti UBE
pri konstantni izhodni napetosti UCE. Tranzistor je priključen v orientaciji s
skupnim emitorjem. Karakteristika je podobna karakteristiki diode v prevodni
smeri, le da je tok IB mnogo manjši. Ta je odvisen od števila rekombinacij v
bazi, zato je karakteristika nekoliko odvisna tudi od izhodne napetosti UCE.
I B [ A]
300
200 UCE = konst.

IB
UCE
100
UBE
0.5 1.0 UBE [ V]
Slika 4.12. Vhodna karakteristika bipolarnega tranzistorja.
Upornost pn spoja, ki jo čuti dovolj majhen signal, lahko izrazimo s pomočjo

diferencialne upornosti spoja:
81
k ⋅ T 25mV
rE = ≅
e⋅ IE IE
To je upornost, ki jo čutimo z emitorske strani, kjer teče emitorski tok IE. Ker
je tok v bazo za (hfe+1) manjši od emitorskega, je upornost za isti faktor večja:
25mV 25mV
( ) (
hie ≈ h fe + 1 ⋅ rE ≅ h fe + 1 ⋅) IE
≅
IB
Pri izračunu smo izpustili upornost baze rB, ki jo povzroča upornost baznega
priključka (sponke) in sprememba efektivne širine baze s kolektorsko nape-
tostjo. To upornost bi morali prišteti vhodni upornosti, če bi želeli imeti
natančnejši izračun.
Polje izhodne karakteristike na sliki 4.13 kaže odvisnost izhodnega toka IC od
priključene napetosti UCE pri konstantnem baznem toku IB. Ker je kolektorski
tok odvisen predvsem od baznega toka, je v diagramu vrisanih več karakte-
ristik, vsaka velja za določeno vrednost baznega toka. Zaradi spremembe
napetosti UCE se kolektorski tok IC veča le v zelo majhni meri. S povečanjem
napetosti UCE se poveča tudi zaporna napetost med kolektorjem in bazo, kar
ima za posledico širšo kolektorsko zaporno plast. Zaradi tega privleče kolektor
nekoliko več nosilcev elektrine iz baze in kolektorski tok se poveča. Temu
pojavu pravimo Earlyjev efekt.
IC [ mA ]
IB =400 A
IC 40
UCEsat
IB =300 A
30
20 IB =200 A
UCE
UBE 10 IB =100 A
ICE0
IB =0
5 10 15 20 UCE [ V]
Slika 4.13. Polje izhodnih karakteristik bipolarnega tranzistorja.
Pri dovolj majhni napetosti med kolektorjem in emitorjem UCE kolektorski tok
IC naglo upade. To se zgodi, ko je napetost UCE manjša, kot je napetost med
82
bazo in emitorjem UBE (UCE=UBE+UCB). Zato med kolektorjem in bazo ni

več zaporne napetosti, ki bi privlačila elektrine iz baze, temveč postane celo
prevodna. Napetosti UCE, pri kateri začne kolektorski tok strmo upadati,
pravimo napetost nasičenja UCEsat. V polju karakteristik imenujemo to pod-
ročje področje nasičenja tranzistorja.
IC [ mA ]
IB =400 A
40
UCEsat
30 IB =300 A
področje
nasičenja 20 IB =200 A
10 IB =100 A
IB =0
2 4 6 8 UCE [ V]
Slika 4.14. Področje nasičenja tranzistorja.
V izhodni karakteristiki ugotovimo tudi, da pri vhodnem toku IB=0 teče na

izhodu le majhen tok, ki je posledica toka nasičenja ICE0=(β+1)xICB0. Ta je
odvisen predvsem od dovedene energije.
4.2.5. Tokovno in napetostno ojačenje

Tokovno ojačenje tranzistorja v orientaciji s skupnim emitorjem AI je podano
kot:
iIZH
AI =
iVH
Ker je bipolarni tranzistor skoraj popoln tokovni generator, lahko napišemo:

iC hfe ⋅ iB
AI ≅ = = hfe
iB iB
83
Napetostno ojačenje lahko izpeljemo s pomočjo poenostavljenega nadomes-

tnega vezja na sliki 4.11. Napetostno ojačenje AU je podano kot:
uIZH
AU =
uVH
Iz četveropola pa dobimo za vhodno in izhodno napetost:

uVH = hie ⋅ iB
u IZH = − RL ⋅ ic = − RL ⋅ h fe ⋅ iB
Negativen predznak pomeni, da je izhodna napetost v protifazi z vhodno. Ko

vstavimo gornji rezultat v enačbo za napetostno ojačenje, dobimo:
RL ⋅ h fe ⋅ iB RL ⋅ h fe
AU = − =−
hie ⋅ iB hie
Povezava med hfe in hie je pri dovolj velikem hfe:

hie ≈ hfe ⋅ rE
Zato se končna (poenostavljena) enačba za napetostno ojačenje glasi:

RL
AU = −
rE
4.2.6. Breme, delovna premica in delovna točka

Na izhod tranzistorja priključujemo breme. To je lahko navaden ohmski upor,
vhod naslednje ojačevalne stopnje, rele in podobno. Bremena so lahko ohm-
ska, torej od frekvence neodvisna, ali kompleksnejša, sestavljena iz frekvenčno
odvisnih elementov.
Ko na izhod tranzistorja priključimo ohmski upor RC kot v vezju na sliki 4.15,
kolektorski tok tranzistorja ustvari na njem padec napetosti:
U RC = I C ⋅ RC
V izhodni karakteristiki tranzistorja lahko prikažemo odvisnost kolektorskega
toka IC od napetosti med kolektorjem in emitorjem UCE, ki je sedaj odvisna od
kolektorskega upora RC:
84
U CE = U CC − U RC = U CC − I C ⋅ RC
U U
I C = CC − CE
RC RC
Če zadnjo enačbo prikažemo v izhodni karakteristiki, dobimo premico, ki ji
pravimo enosmerna delovna premica. Kaže nam povezavo med kolektorskim
tokom IC in napetostjo med kolektorjem in emitorjem UCE. Če poznamo bazni
tok IB, lahko s pomočjo kolektorskega toka IC=βxIB poiščemo napetost UCE.
IC [ mA ]
IC IB =400 A
40
RC
URE 30 IB =300 A
500
UCC
20V 20 IB =200 A
UCE
UBE 10 IB =100 A
5 10 15 20 UCE [ V]
Slika 4.15. Ohmsko breme in enosmerna delovna premica.
Delovno premico narišemo tako, da si izberemo točki, v katerih seka abscisno

in ordinatno os:
pogoj izračun točke

IC=0 UCE=UCC
UCE=0 IC=UCC/RC
Primer
V izhodno karakteristiko na sliki vrišimo delovno premico ter z njeno pomočjo
določimo napetost UCE, če je IB=100µA! Napajalna napetost znaša UCC=12V,
kolektorski upor pa RC=400Ω.
85
Na abscisi označimo točko pri UCE=

IC [ mA ]
UCC=12V, na ordinati pa točko pri:
40 IB =400 A
U CC 12 V
IC = = = 30mA
30 40 IB =300 A RC 400Ω
0
20 IB =200 A Sedaj lahko povežemo obe točki s
D premico. V polju karakteristik vidimo,
10 IB =100 A da krivulja odvisnosti IC od UCE pri
baznem toku IB=100µA seka delovno
3 6 8 9 12 UCE [ V ] premico v točki »D«. Napetost v dani
točki pa znaša UCE=8V.
Če spreminjamo upornost bremena, potem se v karakteristiki spremeni tudi

nagib delovne premice. Skupna je le točka na abscisi.
IC [ mA ]
40 IB =400 A
30 IB =300 A
500
20 IB =200 A
1K
10 IB =100 A
2K Slika 4.16. Različni nagibi
delovne premice za različne
5 10 15 20 UCE [ V] upornosti bremena.
Ko breme vsebuje tudi kapacitivnosti in induktivnosti, se delovna premica

spremeni v krivuljo. Oblika krivulje je sedaj odvisna tudi od frekvence signala.
Delovna točka je tista točka na delovni premici, ki določa razmere, ko na
tranzistor ni priključen nikakršen vhodni signal. Točka nam podaja velikost
kolektorskega toka IC in napetosti med kolektorjem in emitorjem UCE, ko
tranzistor »miruje«. Ker se delovna točka s spremembo temperature premika
po delovni premici, jo moramo stabilizirati z ustreznim vezjem. Prav tako se
86
premakne, ko v vezju zamenjamo tranzistor, kajti tudi tranzistorji istega tipa se

med seboj razlikujejo. Več o delovni točki bomo spoznali v naslednjih razdel-
kih.
Ohmsko breme, priključeno na izhodni sponki tranzistorja, narišemo v polju

izhodnih karakteristik kot premico. Delovna točka je točka na delovni premici,
ki podaja vrednost toka in napetosti na tranzistorju, ko na vhod ni priključen
nikakršen signal.
4.3. NASTAVITEV DELOVNE TOČKE

Ko na vhod tranzistorja priključimo generator izmeničnega signala, bo ko-
lektorski tok tekel le takrat, ko bo napetost med bazo in emitorjem prevodna
in višja od potencialnega praga pn spoja, ki znaša pri siliciju od 0,5 do 0,8V. Na
sliki 4.17 je oblika kolektorskega toka, ko je na vhod priključen izmenični
generator.
IC
kolektorski tok
IC
RC
UCC
UBE
UBE t
vhodna napetost
Slika 4.17. Tranzistor, vzbujen z generatorjem izmenične napetosti.
Oblika izhodnega signala je torej popačena. Zelo majhne spremembe na-

petosti na vhodu niso dovolj, da bi stekel kolektorski tok, saj signal ne preseže
potencialnega praga. V takem primeru moramo s pomočjo uporov nastaviti
87
delovno točko tranzistorja: enosmeren vhodni tok bo povzročil, da bo spoj

baza-emitor vedno prevoden in tudi majhne spremembe vhodnega signala
bodo povzročile nihanje vhodnega (baznega) toka in s tem nihanje izhodnega
(kolektorskega) toka.
Nastavitev delovne točke je odvisna predvsem od tipa ojačevalnika. Če želimo,
da bo signal na izhodu čim manj popačen, bomo pri dovolj veliki napajalni
napetosti (UCC>>UCEsat) nastavili delovno točko kar na sredino delovne
premice UCE=UCC/2.
IC
IC [ mA ]
1K
12 1K
=100 IB
90 A
9 12V
UVH
60 A
6
30 A
3
IB [ A ] 90 60 30 3 6 9 12 UCE [ V]
UVH
UIZH
UBE
Slika 4.18. Oblika izhodnega signala ojačevalnika s tranzistorjem, če je delovna

točka nastavljena na sredino delovne premice.
Prenizka nastavitev delovne točke bi povzročila predčasno popačenje izhod-

nega signala. Nižanje baznega toka bi povsem zaprlo tranzistor (slika 4.19 a).
Podobno bi previsoka nastavitev delovne točke povzročila, da bi napetost med
kolektorjem in emitorjem zašla v področje nasičenja, ki je določeno z nape-
tostjo UCEsat (slika 4.19 b).
88
IC IC
UCE UCE
a) b)
Slika 4.19. Prenizka a) in previsoka b) nastavitev delovne točke.
Delovno točko tranzistorja nastavimo z ustreznimi vezji. Elemente vezja izbe-

remo tako, da bo tranzistor primerno odprt, ko na vhodu ni signala.
4.3.1. Nastavitev delovne točke z uporom na bazi

Delovno točko najenostavneje nastavimo z baznim uporom RB. Sedaj steče
skozi upor RB bazni tok IB, ki povzroči kolektorski tok IC. Če predpostavimo,
da je napetost kolena silicijevega tranzistorja UBE=0,7V, potem se enačba za
upor RB glasi:
U RB U CC − U BE U CC − 0,7 V
RB = = =
IB IB IB
RC URE
RB
IC
IB UCC
UCE Slika 4.20. Nastavitev delovne
UBE točke z baznim uporom.
89
Primer
Pri danem vezju nastavimo delovno točko na sredino
RC delovne premice. Kolektorski upor RC=3kΩ, napa-
RB 3K jalna napetost UCC=12V ter β=100.
IC
IB 6V UCC
12V Najprej izračunajmo kolektorski tok, ki teče skozi
0,7V tranzistor, ko je delovna točka na sredini delovne
premice:
U CC
U CE = = 6V
2
U U − U CE 6V
I C = RC = CC = = 2 mA
RC RC 3kΩ
S pomočjo kolektorskega toka IC dobimo bazni tok IB in upornost upora RB:
IC
2 mA
IB = == 20 µA
β 100
U − 0,7 V 12 V − 0,7 V
RB = CC = = 565kΩ
IB 20 µA
4.3.2. Nastavitev delovne točke z delilnikom napetosti

Ko v vezju na sliki 4.20 zamenjamo tranzistor, ugotovimo, da imajo celo
tranzistorji istega tipa različen tokovni ojačevalni faktor β. Pri istem baznem
toku IB, ki je odvisen od velikosti upora RB, se zato spremeni kolektorski tok IC
in položaj delovne točke. Nekoliko boljšo nastavitev delovne točke lahko
dosežemo z delilnikom napetosti na sliki 4.21.
Delilnik napetosti predstavljata upora RB1 in RB2. Izbrana sta tako, da je
prečni tok IP skozi upora mnogo večji od baznega toka IP>IB. Sedaj
sprememba baznega toka ne vpliva v tolikšni meri na razporeditev padcev
napetosti na uporih. Napetost med bazo in emitorjem ostane tako pri različnih
vrednostih baznega toka enaka.
90
RB1 RC
IB
UCC
IP
UBE UCE
RB2
Slika 4.21. Nastavitev delovne
točke z delilnikom napetosti.
Primer
Izračunajmo vrednost upora RB1 in RB2, da bo
RC delovna točka tranzistorja na sredi delovne premice!
RB1 2K RC=2kΩ, UCC=9V, β=100, prečni tok IP naj bo 10-
IC krat večji od baznega.
IB 6V UCC
9V
IP
RB2 Najprej izračunamo bazni tok IB, ko je delovna točka
na sredi delovne premice:
U CC
U CE = = 4,5 V
2
U 4,5 V
I C = RC = = 2,25mA
RC 2kΩ
IC 2,25mA
IB = = = 22,5 µA
β 100
Nato izračunamo prečni tok IP, ki naj bo 10-krat večji od baznega:
I P = 10 ⋅ I B = 10 ⋅ 22 ,5 µA = 225 µA
Izračunajmo upor RB2, skozi katerega teče tok IP, padec napetosti pa je enak
prevodni napetosti med bazo in emitorjem URB1=UBE:
U BE 0,7 V
R B2 = = = 3,1kΩ
IP 225 µA
91
Tok skozi upor RB1 je enak vsoti prečnega in baznega toka IP+IB, padec
napetosti pa dobimo s pomočjo drugega Kirchhoffovega zakona:
U CC = U RB1 + U RB2 = U RB1 + U BE
Tako dobimo upornost upora RB1:
U RB1 U − U BE 9 V − 0,7 V
RB1 = = CC = = 33,5kΩ
IP + IB IP + IB 225 µA +22,5 µA
4.4. STABILIZACIJA DELOVNE TOČKE

Položaj delovne točke lahko med obratovanjem drsi po delovni premici, razlog
za to pa je segrevanje tranzistorja. Z večanjem temperature se veča tudi tok
nasičenja ICE0 in delovna točka se premakne navzgor po delovni premici, proti
področju nasičenja. Premik delovne točke preprečujemo z vezji, ki stabilizirajo
delovno točko. Nekaj si jih bomo ogledali v tem poglavju.
4.4.1. Stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom

Ko na emitor tranzistorja priključimo emitorski upor RE (slika 4. 22.), se vhod-
na napetost UBM porazdeli na padec napetosti na tranzistorju UBE in na
emitorskem uporu URE. Spomnimo se na nekatere enačbe:
U BM = U BE + U RE = U BE + I E ⋅ RE seštevek padcev napetosti v zanki
I C = hfe ⋅ I B + I CE 0 kolektorski tok
I E = IC + I B emitorski tok
Zaradi povečanja temperature tranzistorja se poveča tok nasičenja ICE0, ki

poveča kolektorski tok IC in pomakne delovno točko navzgor. Istočasno se
poveča tudi tok skozi emitorski upor RE. To povzroči večji padec napetosti na
emitorskem uporu URE. Ker je vhodna napetost UBM ostala nespremenjena, se
zaradi povečanja padca napetosti na emitorskem uporu URE zmanjša padec
napetosti med bazo in emitorjem tranzistorja UBE. Posledica je manjši bazni
tok IB in s tem manjši kolektorski tok IC.
92
iB iC
RC
RB1
hie iB hfe
RB2 RB1 iE RC RL
RL UCC
RB2 UBM
RE RE
Slika 4.22. Stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom ter nadomestno vezje.
V vezju s slike 4.22 je delilnik napetosti sestavljen iz uporov RB1 in RB2. Med
bazo in maso UBM ustvari napetost, ki je enaka seštevku prevodne napetosti na
tranzistorju UBE (za silicijev tranzistor okrog 0,7V) ter padca napetosti na
emitorskem uporu URE. Učinkovitost stabilizacije je odvisna od velikosti emi-
torskega upora.
Iz nadomestnega vezja tranzistorja z emitorskim uporom (slika 4.22) izpeljimo
karakteristične veličine vezja. Nadomestno vezje, ki ga uporabljamo pri
izračunu, je poenostavljeno, zato bodo tudi rešitve približne.
(
uVH iB ⋅ hie + iE ⋅ RE iB ⋅ hie + iB ⋅ h fe + 1 ⋅ RE )
RVH =
iB
=
iB
=
iB
(
= hie + hfe + 1 ⋅ RE )
RIZH = ∞
iC
AI = = hfe
iB
u IZH − iC ⋅ RL − h fe ⋅ RL
AU = = =
uVH ( ) ( )
iB ⋅ hie + iB ⋅ 1 + h fe ⋅ RE hie + 1 + h fe ⋅ RE
V primeru, da nimamo na razpolago h-parametrov, si lahko pomagamo z

diferencialno upornostjo rE:
RVH ≈ β ⋅ ( rE + RE )
RL
AU ≈ −
rE + RE
93
Emitorski upor poveča vhodno upornost ter zmanjša napetostno ojačenje. Obe
veličini si bomo ogledali v naslednjem primeru in sicer v vezju z emitorskim
uporom ali brez njega.
Primer
Izračunajmo vhodno upornost RVH ter napetostno ojačenje AU ojačevalnika na
sliki: a) brez upora RE, b) z uporom RE! Naj bo padec napetosti na emitorskem
uporu enak desetini napajalne napetosti (IC=5mA, UCC=12V, β=120).
RC RC
6V UCC 7,2V UCC

12V 12V
1,2V
rE rE
RE
Najprej izračunajmo vrednosti za prvo vezje:

U CC − U CE 12 V − 6 V
RC = = = 1,2 kΩ
IC 5mA
25mV 25mV
rE = ≅ = 5Ω
IE IC
RVH = β ⋅ rE = 120 ⋅ 5Ω = 600Ω

RC 1,2 kΩ
AU = − =− = − 240
rE 5Ω
Nato še za drugo vezje:
U RE = 0,1 ⋅ U CC = 0,1 ⋅ 12 V = 1,2 V
Padec napetosti na kolektorskem uporu URC je sedaj manjši za padec napetosti
na emitorskem uporu URE
94
U CC − U CE − U RE 12 V − 6 V − 1,2 V
RC = = = 960Ω
IC 5mA
U RE U RE 1,2 V
RE = = = = 238Ω
IE I C + I B 5mA +41,6 µA
25mV 25mV
rE = ≅ = 5Ω
IE IC
RVH = β ⋅ ( rE + RE ) = 120 ⋅ 243Ω = 29kΩ
RC 960Ω
AU = − =− = − 3,95
rE + RE 243Ω
Iz primera vidimo, da se je vhodna upornost povečala iz 600Ω na 29kΩ, vendar

se je napetostno ojačenje znižalo iz 240 na 3,95. Prav zaradi tega vežemo
vzporedno z emitorskim uporom še kondenzator CE. Le-ta zniža skupno
impedanco (za izmenične signale) med emitorjem in maso, zato dejansko
izmenični signali upora RE ne čutijo. Sveda mora biti kapacitivnost konden-
zatorja CE za dano delovno frekvenco primerno izbrana (velika) – v tem
primeru lahko v zgornjih enačbah za vhodno upornost in ojačenje zanemarimo
upornost RE.
RB1 RC
UCC
RB2
RE CE
Slika 4.23. Priključitev emitor-
skega kondenzatorja.
95
Primer
Izračunajmo vrednosti uporov v vezju ojačevalnika tako, da bo delovna točka
pri toku IC=4mA na sredini delovne premice! (UCC=16V, β=100)
RB1 RC
UCC
16V
RB2 RE CE
U RE = 0,1 ⋅ U CC = 0,1 ⋅ 16 V = 1,6 V
U CC − U CE − U RE 16 V − 8 V − 1,6 V
RC = = = 1,6kΩ
IC 4mA
U RE U RE 1,6 V
RE = = = = 396Ω
IE I C + I B 4mA + 40 µA
I P = 10 ⋅ I B = 10 ⋅ 40 µA = 400 µA
U CC − U BE − U RE 16 V − 0,7 V − 1,6 V
RB1 = = = 31kΩ
IP + IB 400 µA + 40 µA
U BE + U RE 0,7 V + 1,6 V
R B2 = = = 5,75kΩ
IP 400 µA
4.4.2. Stabilizacija delovne točke z diodo

Na sliki 4.24 je zaporedno z uporom RB2 vezana dioda. Njena naloga je, da pri
morebitni spremembi napajalne napetosti UCC obdrži čim bolj konstantno
napetost med bazo tranzistorja in maso. Zaradi tega je stabilizacija delovne
točke dovolj dobra kljub nihanju napajalne napetosti.
96
RB1 RC
UCC
RB2 RE CE
Slika 4.24. Stabilizacija
delovne točke z diodo.
4.4.3. Stabilizacija delovne točke z napetostno povratno zanko

Ker povratnih zank še nismo obravnavali, bomo vezje opisali le s stališča
stabilizacije delovne točke. Povratno zanko v vezju predstavlja bazni upor RB,
preko katerega se signal iz izhoda vrača nazaj na vhod (slika 4.25).
RC
RB
UCC
UCE
IB Slika 4.25. Vezje z nape-
tostno povratno zanko.
Preko baznega upora RB teče tok IB v bazo tranzistorja. Padec napetosti na

tem uporu je enak URB=UCE-UBE, zato je bazni tok:
U RB U CE − U BE
IB = =
RB RB
Ko se zaradi temperature poveča tok nasičenja ICE0, se poveča tudi kolektorski

tok skozi kolektorski upor RC. Zaradi tega naraste padec napetosti na uporu
RC in napetost UCE na tranzistorju pade. To povzroči zmanjšanje baznega toka
in posledično tudi kolektorskega toka.
97
4.5. OJAČEVALNIKI PRI NIZKIH FREKVENCAH

Bipolarni tranzistor se najpogosteje uporablja za ojačenje signalov. Na začetku
si bomo ogledali ojačevalnike majhnih in počasnih signalov, kjer bomo lahko v
izračunih uvedli določene poenostavitve. Pri dovolj majhnem signalu ne-
linearnosti tranzistorja lineariziramo, uporabiljamo lahko diferencialne upor-
nosti. Ker so delovne frekvence dovolj nizke, parazitne kapacitivnosti elemen-
tov in fazni zasuki še ne pridejo do izraza.
4.5.1. Tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem

Vezje na sliki 4.26 a) je ojačevalnik s tranzistorjem, ki je vezan v orientaciji s
skupnim emitorjem. Delovna točka je stabilizirana z emitorskim uporom RE,
kondenzator CE pa služi za znižanje impedance med emitorjem in maso.
Kondenzatorja C1 in C2 preprečita odtok enosmernega baznega in kolektor-
skega toka skozi generator in breme. Na izhodu ojačevalnika je priključeno
breme RL.
a) b) iB iC
RC
RB1
hie iB hfe
RC RL
RB2 RB1
UCC iE
RL
RB2
RE CE
Slika 4.26. Vezje ojačevalnika in nadomestno vezje.
Na sliki 4.26 b) je nadomestno vezje za male signale. Uporabili smo poeno-

stavljen h-četveropol. Kapacitivnosti kondenzatorjev lahko za območje delov-
nih frekvenc zanemarimo. Napetostni vir ima notranjo upornost 0, zato vse
upore, ki so vezani na pozitivni pol napajalnega vira, v nadomestnem vezju
vežemo na maso.
98
Najprej izračunajmo upore RC, RE, RB1 in RB2. Padce napetosti na uporih
dobimo tako, da seštejemo napetosti v zaključenih tokokrogih s pomočjo
drugega Kirchhoffovega zakona:
U CC = U RC + U CE + U RE = I C ⋅ RC + U CE + I E ⋅ RE
U CC = U RB1 + U RB2 = ( I P + I B ) ⋅ RB1 + I P ⋅ RB2
U RB2 = U BE + U RE = 0,7 V + I E ⋅ RE
Delovna točka naj bo na sredini delovne premice, zato bo UCE=UCC/2. Ostali

podatki ojačevalnika so: UCC=12V, IC=5mA, hfe=100, hie=1kΩ,
URE=0,1xUCC, IP=10xIB ter upornost bremena RL=1kΩ. S pomočjo zančnih
enačb izračunamo upore:
I C 5mA
IB = = = 50 µA
hfe 100
I E = I C + I B = 5mA + 50 µA = 5,05mA
U CC − U CE − U RE 12 V − 6 V − 1,2 V
RC = = = 960Ω
IC 5mA
U RE 1,2 V
RE = = = 238Ω
IE 5,05mA
U BE + U RE 0,7 V + 1,2 V
RB2 = = = 3,8kΩ
IP 500 µA
U CC − U RB2 12 V − 1,9 V
RB1 = = = 18,4kΩ
IP + IB 500 µA + 50 µA
Z uporabo nadomestnega vezja bomo izračunali vhodno in izhodno upornost

ter tokovno in napetostno ojačenje ojačevalnika.
Vhodna upornost ojačevalnika zajema upora RB1 in RB2 ter vhodno upornost
tranzistorja hie, ki so med seboj vezani vzporedno. Zato je vhodna upornost
(dvojna vzporedna črta pomeni, da računamo upornost po vzporedni vezavi):
uVH 1
RVH = = R B1 R B 2 hie = = 759Ω
iVH 18,4 kΩ + 3,8kΩ -1 + 1kΩ -1
-1
99
Pri računanju izhodne upornosti vezja upoštevamo, da je izhodna upornost

tranzistorja (1/hoe) zelo velika v primerjavi z upornostjo kolektorskega upora
RC, zato je po nadomestnem vezju:
uIZH
RIZH = ≈ RC = 960Ω
iIZH
Tokovno ojačenje (če zanemarimo hoe) je približno:

iIZH
AI = ≈ hfe = 100
iVH
Tokovno ojačenje celotnega ojačevalnika dobimo tako, da upoštevamo vhodni
tok na vhodnem priključku ojačevalnika, za izhodni tok pa tok skozi breme.
Vhodni tok se razdeli na tok skozi upora RB1 in RB2 ter tok skozi vhodno
upornost tranzistorja hie. Kolektorski tok na izhodu pa se deli na tok skozi
upor RC in skozi breme RL.
Napetostno ojačenje smo predhodno že izpeljali. Na izhodu bremenita
tranzistor dve upornosti, RC in RL, ki sta med seboj vezani vzporedno v RL’.
Tako je uVH=iBxhie in uIZH=iCxRL’:
u IZH h fe ⋅ iB ⋅ RL ' h fe ⋅ RL ' h fe ⋅ RC RL 100 ⋅ 960Ω 1kΩ
AU = =− =− =− =− = − 49
uVH iB ⋅ hie hie hie 1kΩ
4.5.2. Tranzistor v orientaciji s skupnim kolektorjem

Breme je priključeno na emitorju tranzistorja, vhod pa je med bazo in kolek-
torjem (če iz slike to ni takoj vidno, se spomnite, da pri izmeničnih signalih
baterijo nadomestimo s kratkim spojem!). Takemu ojačevalniku pravimo tudi
emitorski sledilnik (angl. emitter follower).
iB
iE UCC
UVH
UIZH Slika 4.27. Vezje tranzistorja
RL
v orientaciji s skupnim ko-
lektorjem.
100
Ime emitorski sledilnik je to vezje dobilo zato, ker je napetostno ojačenje

takega ojačevalnika približno 1 (oz. nekoliko manjše) in torej izhodna napetost
sledi vhodni. Naraščanje vhodne napetosti povzroči naraščanje izhodne
napetosti (pri orientaciji s skupnim emitorjem je naraščanje vhodne napetosti
povzročilo padanje izhodne napetosti).
Ker je breme na emitorju, se enačba za vhodno upornost glasi:
(
RVH = hie + hfe + 1 ⋅ RL)
Iz enačbe sledi, da je vhodna upornost velika, tudi če ima breme majhno
upornost (hie je pri običajnih tranzistorjih okrog 1kΩ) Emitorski sledilnik zato
uporabljamo povsod tam, kjer imajo bremena majhno upornost (zvočnik, rele
in podobno).
a) b) iB iE
RB1 hie
iB hfe
RL
RB2 RB1
UCC iC
RB2 RL
Na sliki 4.27 a) je ojačevalnik s podatki: UCC=12V, RL=100Ω, hie=100Ω,

hfe=80 in IP=10xIB. S pomočjo zančnih enačb dobimo padce napetosti na
uporih:
U CC = U CE + U RE = U CC + I E ⋅ RL
U CC = U RB1 + U RB2 = ( I P + I B ) ⋅ RB1 + I P ⋅ RB2
U RB2 = U BE + U RE = 0,7 V + I E ⋅ RL
Emitorski tok izračunamo s pomočjo upornosti emitorskega upora RL:
101
U CC − U CE 12 V − 6V
IE = = = 60mA
RL 100Ω
IE 60mA
IB = = = 741µA
hfe + 1 80 +1
Upora RB1 in RB2 pa izračunamo s pomočjo zančnih enačb:

U BE + U RE 0,7 V + 6 V
RB2 = = = 904Ω
IP 7,41mA
U CC − U RB1 12 V − 6,7V
RB1 = = = 650Ω
IP + IB 7,41mA + 741µA
Vhodna upornost je enaka vzporedni vezavi uporov RB1 in RB2 ter vhodne
upornosti tranzistorja. Najprej izračunajmo vhodno upornost tranzistorja rVH,
ki znaša:
( )
rVH = hie + h fe + 1 ⋅ RL = 100Ω + (80 + 1) ⋅ 100Ω = 8,2 kΩ
Pri skupni vhodni upornosti upoštevajmo sedaj še upora RB1 ter RB2 :
uVH 1
RVH = = RB1 RB2 rVH = = 361Ω
iVH 650Ω + 904Ω −1 + 8,2 kΩ -1
− 1
Izhodno upornost izračunamo iz nadomestnega vezja:
RIZH = =
(
uIZH iB ⋅ hie + RB1 RB2
=
)
hie + RB1 RB2
=
iIZH iE hfe + 1
100Ω + 650Ω 904Ω
= = 5,9Ω
81
Tokovno ojačenje je za tranzistor podano kot:
iIZH iE
AI = ≈ = h fe + 1 = 81
iVH iB
Če želimo izračunati tokovno ojačenje celotnega ojačevalnika, upoštevamo

vhodni tok na vhodnem priključku ojačevalnika. Tok se nato razdeli na upora
RB1 in RB2 ter na vhodno upornost tranzistorja rVH.
102
Napetostno ojačenje izpeljemo iz razmerja izhodne in vhodne napetosti:
AU =
uIZH iE ⋅ RL
= =
( )
hfe + 1 ⋅ RL
=
( )
hfe + 1 ⋅ RL
≈1
uVH iB ⋅ rVH rVH ( )
hie + hfe + 1 ⋅ RL
Če bi gornji izraz natančno izračunali, bi dobili AU=0,9878, kar je zelo blizu

vrednosti 1.
4.5.3. Tranzistor v orientaciji s skupno bazo

Vhod ojačevalnika je med emitorjem in bazo, izhod pa med kolektorjem in
bazo. Značilnost tega ojačevalnika je majhna vhodna upornost, ki je primerna,
ko nanj priključujemo generatorje z majhno notranjo upornostjo, kot je npr.
antena. Poleg tega je kapacitivnost kolektorskega spoja, ki pri tranzistorju v
orientaciji s skupnim emitorjem vrača signal iz izhoda nazaj na vhod ter slabi
ojačenje pri višjih frekvencah, sedaj sklenjena na maso.
iE iC
UVH UIZH RL
Slika 4.29. Vezje tranzistorja
v orientaciji s skupno bazo.
Na sliki 4.30 je vezje ojačevalnika s tranzistorjem v orientaciji s skupno bazo.

Kondenzator CB služi zato, da je bazni priključek za signal sklenjen na maso,
upora RB1 in RB2 pa služita za stabilizacijo delovne točke tranzistorja.
Ojačevalnik ima podatke UCC=12V, IC=5mA, hfe=100, hie=1kΩ, IP=10xIB,
URE=0,1xUCC ter RL=1kΩ. Upornosti uporov za nastavitev in stabilizacijo
delovne točke izračunamo enako kot pri ojačevalniku s skupnim emitorjem:
RC=960Ω, RE=238Ω, RB1=18,4kΩ in RB2=3,8kΩ.
103
a) b) iE iC
RC
hie iB hfe
RB1 RE RC RL
UCC iB
RE RL
CB RB2
Vhodna upornost je s pomočjo nadomestnega vezja:

RVH = RE rVH ,
kjer je rVH vhodna upornost tranzistorja v orientaciji s skupno bazo. Ta je:

uVH iB ⋅ hie iB ⋅ hie hie 1kΩ
rVH = = = = = = 9,9Ω
iVH iE (
iB ⋅ h fe + 1 ) h fe + 1 100 + 1
Tako je celotna vhodna upornost vezja:

RVH = 238Ω 9,9Ω = 9,5Ω
Izhodna upornost je iz nadomestnega vezja enaka kar upornosti kolektorskega

upora. Upornost tranzistorja 1/hob je namreč zelo velika in zato zanemarljiva.
RIZH ≈ RC = 960Ω
Tokovno ojačenje tranzistorja je definirano kot:
iIZH iC h fe
AI = ≈ = = 0,99
iVH iE h fe + 1
Enako kot v predhodnih primerih izračunamo celotno tokovno ojačenje tako,

da upoštevamo še ostale upornosti v vezju. Vhodni tok se deli na tok skozi
emitorski upor RE in emitorski tok iE. Izhodni tok je tok, ki teče skozi breme
RL, medtem ko kolektorski tok teče skozi upor RC in breme RL.
104
Napetostno ojačenje poiščemo iz nadomestnega vezja (slika 4.30) kot razmerje

med izhodno in vhodno napetostjo na ojačevalniku.
u IZH i ⋅R R h fe 100
AU = =− C C L =− ⋅ RC RL = − ⋅ 960Ω 1kΩ = − 49
uVH iB ⋅ hie hie 1kΩ
Če bi se zgledovali po izračunih, ki smo jih opravili za tranzistor v orientaciji s

skupnim emitorjem, bi za vhodno napetost napisali uVH=iExhib. Vendar bi v
tem primeru morali uporabiti h-parametre za orientacijo s skupno bazo (npr.
hib), ki pa jih proizvajalci običajno ne podajajo, saj jih lahko preračunamo iz
parametrov za skupni emitor. Še enostavneje pa je – kot smo naredili v našem
primeru – uporabiti nadomestno vezje s h-parametri za orientacijo s skupnim
emitorjem.
4.5.4. Napetostni sledilnik

Tranzistor na sliki 4.31 je uporabljen kot emitorski sledilnik (angl. emitter
follower). Taka vezava omogoča boljšo regulacijo napetosti, kot če bi uporabili
samo prebojno diodo. Breme je priključeno na emitor, zato je tranzistor v
orientaciji s skupnim kolektorjem. Prebojna dioda, tranzistor in breme tvorijo
zaključeno zanko, za katero lahko napišemo:
U Z = U BE + U RL
To pomeni, da je padec napetosti na bremenu URL odvisen le od napetosti na
prebojni diodi, ki pa je konstantna. Če bi se padec napetosti na bremenu na
primer znižal (zaradi manjše upornosti bremena), bi to povzročilo zvišanje
napetosti med bazo in emitorjem tranzistorja UBE. Zaradi tega bi se povečal
bazni tok IB in kolektorski tok IC. Skozi breme bi stekel večji tok in padec
napetosti na njem bi narastel.
RB
UBE IE UCC
UZ
URL RL
Slika 4.31. Vezje napetost-
nega sledilnika.
105
Primer
Izračunajmo upornost baznega upora RB na sliki 4.31 tako, da bo padec
napetosti na bremenu URL=12V, največji tok pa IL=100mA! Za kolikšno
napetost mora biti izdelana prebojna dioda in kolikšna je njena največja
izgubna moč? (UCC=16V, β=100)
Napetost prebojne diode mora biti:
U Z = U BE + U RL = 0,7 V + 12 V = 12,7 V
Tok skozi prebojno diodo ne sme biti nikoli nižji od toka, ki je predpisan, da se
dioda še nahaja v področju preboja. Naj bo najmanjši tok diode IZ=5mA. To
je tedaj, ko je bazni tok tranzistorja največji:
IC IL 100mA
IB = ≅ = = 1mA
β β 100
Sedaj lahko izračunamo upornost baznega upora, skozi katerega tečeta oba
tokova:
U CC − U Z 16 V − 12,7 V
RB = = = 550Ω
IB + IZ 1mA + 5mA
Največ električne moči potroši dioda tedaj, ko je tok skozi njo največji. To je v
primeru, ko je bazni tok nič. Zato je največja izgubna moč diode:
PZ = U Z ⋅ I Z = 12,7 V ⋅ 6mA = 76,2mW
4.5.5. Diferencialni ojačevalnik

Diferencialni ojačevalnik je sestavljen iz dveh nasproti ležečih tranzistorjev.
Tako ima ojačevalnik dva para vhodnih priključkov ter dva para izhodnih
priključkov. Kot bomo videli iz delovanja, tak ojačevalnik ojača le razliko
napetosti na obeh vhodih.
V vezju na sliki 4.32 sta oba emitorja tranzistorjev vezana skupaj. Vhodni
napetosti se porazdelita na padec napetosti med bazo in emitor tranzistorja ter
emitorski upor, ki je vezan na vir napetosti UEE:
106
UVH 1 = U BE1 + U RE − U EE
UVH 2 = U BE 2 + U RE − U EE
UCC
RC1 RC2
T1 UIZH1 UIZH2 T2
UVH1 UVH2
IE1 IE2
RE
UEE
Slika 4.32. Vezje diferencialnega ojačevalnika.
Padec napetosti na emitorskem uporu je za obe vhodni napetosti enak. Če sta

vhodni napetosti enaki, potem sta tranzistorja (pod pogojem, da sta enaka)
enako odprta. Denimo, da vhodna napetost UVH1 na prvem tranzistorju
naraste. Zaradi tega se prvi tranzistor dodatno odpre in kolektorski tok IC1 se
poveča. Prav tako se poveča emitorski tok IE1 tega tranzistorja, ki povzroči, da
se padec napetosti na emitorskem uporu URE poveča. Kaj pa se dogaja z
drugim tranzistorjem? Ker se vhodna napetost UVH2 ni spremenila, povečanje
padca napetosti na emitorskem uporu URE povzroči znižanje padca napetosti
med emitorjem in bazo drugega tranzistorja UBE2. Drugi tranzistor se zaradi
tega za isto mero, kot se je prvi odprl, zapre. To protitaktno delovanje nam
omogoči dvoje:
• na izhodu prvega tranzistorja dobimo signal v protifazi, medtem ko na
izhodu drugega dobimo signal v sofazi z vhodnim (1),
• ko dovedemo na oba vhoda različna signala, dobimo na izhodu ojačevalnika
signal, ki je po obliki enak razliki obeh vhodnih signalov.
107
Oglejmo si, kako ojačevalnik ojača sofazne in protifazne signale. Ko sta na

obeh vhodih signala v sofazi, je ojačanje posameznega tranzistorja:
RC
AUS =
2 ⋅ RE
Tok skozi emitorski upor je dvakrat večji od kolektorskega toka posameznega

tranzistorja. Pri dovolj velikem emitorskem uporu povzroči ojačevalnik prej
slabljenje kot ojačenje. Sedaj si oglejmo enačbo za napetostno ojačenje, ko sta
oba vhodna signala v protifazi. Tokova, ki tečeta skozi emitorja tranzistorjev,
sta enaka iE1=-iE2=(uVH1-uVH2)/2xrE. Tako dobimo:
RC
AUP = ,
2 ⋅ rE
kar pomeni, da diferencialni ojačevalnik zelo dobro ojača protifazne signale.

Ker ojačevalnik slabi sofazne signale, potem slabi tudi sočasno spremembo
delovnih razmer obeh tranzistorjev s temperaturo. Zaradi tega sta tranzistorja
pogosto pritrjena skupaj, eden ob drugega.
Ocena učinkovitosti diferencialnega ojačevalnika je rejekcijski faktor (angl.
common-mode rejection ratio). Ta je določen kot razmerje med protifaznim in
sofaznim ojačenjem.
AUP
CMRR =
AUS
Največkrat je podan v decibelih:

AUP
CMRR = 20 ⋅ log [dB]
AUS
Iz enačb je razvidno, da je rejekcijski faktor tem boljši, čim večji je emitorski

upor. Delovanje izboljšamo, če v vezju na sliki 4.32 emitorski upor nadomes-
timo s tokovnim generatorjem. Ta poskrbi, da je emitorski tok vedno enak. Na
sliki 4.33 sta prikazani vezji, ki služita kot tokovni generator.
108
IC IC
RB
R1
RE R2 RE
U U
Slika 4.33. Generatorja konstantnega toka.
Če je napetost med bazo in negativno napajalno sponko konstantna (slika
4.33), potem je taka tudi napetost na emitorskem uporu. Morebitno povečanje
kolektorskega toka skozi tranzistor bi povečalo padec napetosti na emitorskem
uporu in znižalo padec napetosti med emitorjem in bazo. Zaradi tega bi se
tranzistor zapiral in tok bi se znižal.
Konstantno napetost na bazi zagotavlja v prvem primeru delilnik napetosti z
uporoma R1 in R2, v drugem primeru pa prebojna dioda. Dioda v prvem vezju
služi za temperaturno kompenzacijo.
a) UCC b) UCC
RC1 RC2 RC1 RC2
T1 T2 T1 T2
RB1
2 IE T3
RB2
UEE RE
UEE
Slika 4.34. Izboljšan diferencialni ojačevalnik s tokovnim generatorjem.
109
Prenosna karakteristika na sliki 4.35 prikazuje spremembo kolektorskega toka

posameznega tranzistorja z razliko vhodnih napetosti. Diferencialni ojače-
valnik je linearen le v ozkem področju okrog 0 V (do približno 25mV), sicer
deluje kot omejevalnik.
8
IC [mA]
T2 T1
6
0
-50 -25 0 25 50 UVH1 UVH2 [ mV ]
Slika 4.35. Prenosna karakteristika diferencialnega ojačevalnika.
Diferencialni ojačevalnik se med drugim uporablja pri prenosu signalov po

daljših vodnikih, kjer se pojavljajo razne motnje (povzročajo jih energetske
naprave: iskrenje kontaktov elektromotorja ali relejev, vklopi in izklopi toka,
kratki stiki in podobno). Težavam se lahko izognemo, če signal s pomočjo
diferencialnega ojačevalnika razdelimo v dva vodnika tako, da potujeta v
protifazi (slika 4.36). Če sta vodnika skupaj, se pojavi v obeh vodnikih enaka
motnja. Signala nato sprejme drugi diferencialni ojačevalnik, in ju, skupaj z
motnjami, odšteje. Ker sta koristna signala v protifazi, se ojačata. Motnji pa sta
v fazi in zato oslabita.
110
UCC UCC
UVH2 pojav
motnje
UEE UEE
Slika 4.36. Odstranjevanje motenj z uporabo diferencialnih ojačevalnikov.
Diferencialni ojačevalnik je sestavljen iz dveh tranzistorjev, ki imata emitorja

vezana na isti emitorski upor (ali tokovni generator). To povzroči, da delujeta
protitaktno: ko se prvi zaradi vhodnega signala odpira, se drugi zapira. Tak
ojačevalnik ojača le diferenčne signale, medtem ko sofazne slabi.
4.6. VEČSTOPENJSKI OJAČEVALNIKI

Za doseganje večjega ojačenja vežemo več ojačevalnikov enega za drugim.
Med seboj so lahko povezani na več različnih načinov, ki jih bomo spoznali v
tem poglavju. Najprej si oglejmo, kako upoštevamo upornosti posameznih
stopenj.
4.6.1. Skupno ojačenje

Na sliki 4.37 vidimo, da ima generator signala, ki je vezan na vhod ojačeval-
nika, svojo notranjo upornost RG. Zato je napetost na vhodu prve ojačevalne
stopnje enaka:
RVH 1
uVH 1 = uG ⋅
RVH 1 + RG
111
generator 1. ojačevalna stopnja 2. ojačevalna stopnja breme
RG uVH RIZH1 RIZH2

uG RVH1 RVH2 uIZH RL
Slika 4.37. Nadomestno vezje ojačevalnika, sestavljenega iz dveh ojačevalnih

stopenj.
Zaradi enostavnejšega izračuna smo privzeli ohmske vrednosti. Za natančnej-

šo sliko bi morali upoštevati tudi vse kapacitivnosti in morebitne induktivnosti
v vezju, kar bi upornosti spremenilo v impedance Z. Tako bi postali vsi
izračuni odvisni tudi od delovne frekvence.
Podoben izraz, kot smo ga zapisali za vhodno napetost v prvo oječavalno
stopnjo, lahko zapišemo tudi za drugo, le da sedaj notranjo upornost
generatorja nadomesti izhodna upornost prve stopnje:
RVH 2
uVH 2 = uIZH 1 ⋅
RVH 2 + RIZH 1
Napetostno ojačenje celotnega ojačevalnika je potem:

uIZH
AU = = AU 1 ⋅ AU 2 ⋅... AUn ,
uVH
kjer je n število vseh ojačevalnih stopenj.
4.6.2. Prilagoditev ojačevalnih stopenj

Sedaj poskušajmo ugotoviti, kolikšno vhodno upornost mora imeti ojačevalec,
da je pri generatorju z določeno notranjo upornostjo moč na vhodu ojače-
valnika največja. Na sliki 4.38 je generator z napetostjo uG ter notranjo
upornostjo RG priključen na vhod ojačevalnika z vhodno upornostjo RVH.
Električna moč na vhodu ojačevalnika je pVH=iVHxuVH ali drugače:
2
uVH
pVH =
RVH
112
Vhodno napetost nadomestimo z napetostjo generatorja:

RVH
uVH = uG ⋅
RVH + RG
Sedaj je enačba za električno moč na vhodu:

2 RVH
pVH = uG ⋅
( RVH + RG ) 2
pVH [ mW ] 0,3 pMAX

0,25
0,2
uG RG 0,15
uVH RVH
1K 0,1
1V
0 0,5 1 1,5 2
RVH [ K ]
Slika 4.38. Prilagoditev vhodne upornosti ojačevalnika generatorjevi upornosti.
Na sliki 4.38 je diagram, ki prikazuje potek električne moči na vhodu

ojačevalnika v odvisnosti od vhodne upornosti. Takoj opazimo, da je največja
moč tedaj, ko sta upornosti generatorja in ojačevalnika enaki. Takrat se na
vhodu ojačevalnika troši ravno polovica moči, ki jo proizvaja generator.
RVH = RG
ZVH = Z G
V primeru, da ima generator kompleksno upornost, mora imeti vhodna

impedanca ojačevalnika konjugirano kompleksno upornost.
Primer
Izračunajmo elemente dvostopenjskega ojačevalnika ter njegovo skupno nape-
tostno ojačenje AU . Podatki: UCC=12V, IC1=IC2=4mA, RG=1kΩ, RL=1kΩ,
hie1=hie2=1,2kΩ, hfe1=hfe2=100, uG=1mV!
113
RC1 RC2
RB11 RB12
UCC
T1 T2 12V
RB22 RL
RE1 CE RE2 CE
RB21
iB iC iB iC
T1 T2
hie iB hfe hie iB hfe
RB11 RB21 iE RC1 RB12 RB22 iE RC2 RL
Najprej izračunajmo upore za stabilizacijo delovne točke: RC1=RC2=1,2kΩ,

RE1=RE2=297Ω, RB11=RB12=23kΩ, RB21=RB22=4,75kΩ.
Vhodna upornost posamezne ojačevalne stopnje je:
1
RVH = RB1 RB2 hie = = 920Ω
23kΩ + 4,75kΩ -1 + 1,2 kΩ -1
-1
Izhodna upornost je enaka upornosti kolektorskega upora RIZH ≅ RC=1,2kΩ.

Napetostno ojačenje za tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem se glasi:
h fe ⋅ RL '
AU = − ,
hie
kjer je RL’ celotna bremenska upornost tranzistorja. Iz nadomestnega vezja

vidimo, da sta breme prvemu tranzistorju kolektorski upor ter vzporedno
vezana vhodna upornost naslednje ojačevalne stopnje. Torej:
114
h fe ⋅ RC1 RVH 2 100 ⋅ 1,2 kΩ 920Ω

AU 1 = − =− = − 43,4
hie 1,2 kΩ
In druge ojačevalne stopnje:

h fe ⋅ RC 2 RL 100 ⋅ 1,2 kΩ 1kΩ
AU 2 = − =− = − 45,5
hie 1,2 kΩ
Skupno ojačenje je tako AU=AU1xAU2=43,4x45,5=1974,7. Negativna predzna-

ka se uničita, to pomeni, da je izhodni signal v fazi z vhodnim. Sedaj še izraču-
najmo, kolikšna je izhodna napetost signala, če generator proizvaja uG=1mV:
RVH 1 920Ω
uVH = uG ⋅ = 1mV ⋅ = 0,45mV
RVH 1 + RG 920Ω +1kΩ
u IZH = AU ⋅ uVH = 1974,7 ⋅ 0,45mV = 0,888V
4.6.3. Frekvenčna propustnost

Vsak posamezni ojačevalnik ima tako spodnjo in zgornjo mejno frekvenco. Pri
združitvi več ojačevalnih stopenj se frekvenčna propustnost celotnega ojačeval-
nika zniža. To pomeni, v primerjavi s posamezno ojačevalno stopnjo, višjo
spodnjo mejno frekvenco in nižjo zgornjo mejno frekvenco.
4.6.4. Enosmerna povezava ojačevalnikov

Ojačevalnike najenostavneje povežemo z enosmerno povezavo. To pomeni, da
med ojačevalniki ni ločilnih elementov (kondenzatorjev). Enosmerni tok na
vhodu ojačevalnika priteka neposredno iz izhoda predhodnega ojačevalnika.
Tak neposreden način povezovanja uporabimo, ko želimo ojačati enosmerne
signale ter signale zelo nizkih frekvenc.
Upor RB v vezju na sliki 4.39 a) je del delilnika napetosti RC1-RB-RE2 in služi za
to, da zniža enosmerno napetost na vhodu drugega tranzistorja in s tem
prepreči, da zaide v področje nasičenja. Zaradi tega je nižje tudi ojačenje
ojačevalnika. Tej pomanjkljivosti se lahko izognemo z uporabo elementov, ki
imajo diferencialno upornost mnogo manjšo od statične: z diodami ter s
prebojnimi diodami (vezje na sliki 4.39 b).
115
a) b)
RC1 RC2 RC1 RC2
RB
UCC UCC
RE1 RE2 RE1 RE2
Slika 4.39. Ojačevalni stopnji, vezani z enosmerno povezavo.
Primer
Izračunajmo upore v vezju tako, da bo pri obeh delovna točka nastavljena na
sredini delovne premice (UCC=12V, IC1=3mA, IC2=6mA, β1=100, β2=80,
URE1=1,2V, UZ=5,1V)!
RC1 UZ RC2
7,2V IB2
IC1 7,4V UCC
12V
2,1V
1,2V 1,4V
RE1 RE2
Najlažje je izračunati upor RE1, ki znaša:

U RE1 1,2 V
RE1 = = = 396Ω
I E1 3,03mA
Tok, ki teče skozi kolektorski upor RC1, je enak kolektorskemu toku prvega
tranzistorja ter baznemu toku drugega tranzistorja:
116
U CC − U CE − U RE1 12 V − 6 V − 1,2 V
RC1 = = = 1,57kΩ
I C1 + I B 2 3mA + 60 µA
Če želimo izračunati emitorski upor RE2, moramo izračunati padec napetosti

na njem. S pomočjo drugega Kirchhoffovega zakona si izberemo zanko, sestav-
ljeno iz padcev napetosti URE1, UCE1, UZ, UBE2 in URE2. Zančna enačba, v
kateri smo upoštevali smeri padcev napetosti, se tako glasi:
U CE1 + U RE1 = U Z + U BE 2 + U RE 2
Iz enačbe dobimo neznano napetost:
U RE 2 = U CE1 + U RE1 − U Z − U BE 2 = 6 V + 1,2 V − 5,1V − 0,7 V = 1,4 V
Sedaj lahko izračunamo upornost uporov RE2 in RC2:
U RE 2 1,4 V
RE 2 = = = 231Ω
I E2 6,06mA
U − U CE − U RE 2 12 V − 6 V − 1,4 V
RC 2 = CC = = 759Ω
IC 6mA
Vezji na sliki 4.40 sta nekoliko boljši. Na prvi (slika 4.40 a) je drugi tranzistor v
orientaciji s skupnim kolektorjem. Njegova visoka vhodna upornost omogoča,
da ima prvi tranzistor veliko napetostno ojačenje. V vezju na sliki 4.40 b) pa
smo drugi tranzistor zamenjali s pnp tranzistorjem, tako sta oba v orientaciji s
skupnim emitorjem.
a) b)
RC1 RC1
UCC UCC
RE1 RE2 RE1 RC2
Slika 4.40. Ojačevalni stopnji z enosmerno povezavo.
117
Primer
Izračunajmo upornosti vseh uporov ter skupno napetostno ojačenje ojačeval-
nika z enosmerno povezavo. Podatki: UCC=12V, IC1=5mA, IC2=15mA,
hfe1=100, hie1=500Ω, hfe2=50, hie2=100Ω! Pri obeh tranzistorjih mora biti
delovna točka nastavljena na polovici delovne premice!
RC1
IB2
IC1
6,7V
6V UCC
IE2 12V
0,7V
RE1 RE2
Ker je delovna točka na sredini delovne premice, to pomeni, da je na obeh

tranzistorjih polovica napajalne napetosti: UCE=UCC/2. Tako je upor RE2:
U CC − U CE 12 V − 6 V
RE 2 = = = 392Ω
I E2 15mA + 0,3mA
Padec napetosti na prvem emitorskem uporu poiščemo iz zančne enačbe:

U CE1 + U RE1 = U BE 2 + U RE 2
U RE1 = U BE 2 + U RE 2 − U CE1 = 0,7 V + 6 V − 6 V = 0,7 V
Upornost prvega emitorskega upora znaša:

U RE1 0,7 V
RE1 = = = 139Ω
I E1 5mA + 50 µA
Upornost kolektorskega upora izračunamo s pomočjo zančne enačbe:

U CC = U RC1 + U CE1 + U RE1 = I C1 ⋅ RC1 + U CE1 + U RE1
U − U CE1 − U RE1 12 V − 6 V − 0,7 V
RC1 = CC = = 1060Ω
I C1 5mA
118
Napetostno ojačenje prvega ojačevalnika dobimo tako, da najprej izračunamo

vhodno upornost drugega ojačevalnika:
( )
RVH 2 = hie2 + h fe2 + 1 ⋅ RE 2 = 100Ω + ( 50 + 1) ⋅ 392 Ω = 20kΩ
Tako je napetostno ojačenje prvega ojačevalnika:

h fe1 ⋅ RC1 RVH 2 100 ⋅ 1060Ω 20kΩ
AU = = = 201,3
hie1 500Ω
Napetostno ojačenje drugega ojačevalnika je približno enako 1 (vezava s

skupnim kolektorjem), zato je skupno napetostno ojačenje enako kar ojačenju
prvega ojačevalnika.
Položaj delovne točke tranzistorja se s temperaturo spremeni. Če se spremeni

delovna točka enega tranzistorja, se spremenijo tudi položaji delovnih točk
drugih tranzistorjev, ki so nanj vezani. Sprememba enosmernih veličin se v
vsaki naslednji stopnji ojača. Tej nevšečnosti se izognemo z uporabo dovolj
učinkovitih povratnih zank, ki pa znižajo ojačenje ojačevalnika.
Enosmerno povezani ojačevalniki lahko ojačajo tudi enosmerne signale.

Problematični pa sta nastavitev delovne točke in velik vpliv segrevanja
tranzistorjev na drsenje delovne točke: drsenje na enem tranzistorju povzroči
premik delovne točke tudi na drugih nanj vezanih tranzistorjih.
Vezje, v katerem sta tranzistorja enosmerno vezana tako, kot kaže slika 4.41
a), imenujemo Darlingtonovo vezje. Drugi tranzistor deluje s svojo vhodno
upornostjo rBE kot emitorski upor prvemu. Oba skupaj delujeta kot en sam
npn tranzistor. Pomembna lastnost Darlingtonovega vezja je veliko tokovno
ojačenje (≈β1xβ2) ter velika vhodna upornost (≈rBE1+β1xrBE2). Dobimo ga v
skupnem ohišju s tremi priključki, podobno kot navaden tranzistor. Parametri
vezja so:
hie = hie1 + hie2 ⋅ hfe1
hfe = hfe1 + hfe2 + hfe1 ⋅ hfe2
hoe = hoe2 + hoe1 ⋅ hfe2
hre = zanemarljiv
119
a) b)
C C
B
B
E E
Slika 4.41. Darlingtonovi vezji.
Sorodnemu vezju na sliki 4.41 b) pa pravimo White-follower.
4.6.5. RC povezava ojačevalnikov

S pomočjo kondenzatorjev, ki jih vstavimo med ojačevalne stopnje, prepre-
čimo enosmeren tok iz enega v drug ojačevalec. Zato je delovna točka
posameznega tranzistorja stabilizirana ne glede na druge ojačevalnike. Poleg
tega preprečimo, da bi enosmeren tok iz ojačevalnika odtekal v generator
(mikrofon, gramofonska glava in podobno) ali v breme (slušalke, zvočnik in
podobno).
RC1 RC2
RB11 RB12
C1 C2
C3 UCC
RB21 RE1 CE RB22 RE2 CE
Slika 4.42. Ojačevalnika, povezana z RC povezavo.
Ker so kondenzatorji vezani zaporedno, ojačevalnik ne more ojačati enosmer-

nih signalov. Kondenzator predstavlja skupaj z vhodno upornostjo ojačevalne
stopnje delilnik napetosti. Ta je zaradi kapacitivnosti kondenzatorja odvisen
od frekvence izmeničnega signala.
120
AU
1
fL
C 0,1
100nF 0,01
uVH R uIZH 10 100 1K 10K 100K f [ Hz ]
1,6K
[o] 90
45
0
-45 f [ Hz ]
-90
Slika 4.43. Delilnik napetosti in frekvenčni potek napetosti ter faznega toka.
Poglejmo si najprej vezje na sliki 4.43. Padec napetosti na uporu je enak:

R R 1
u R = uG ⋅ = uG ⋅ = uG ⋅
R + XC 1 1
R+ 1+
jω ⋅ C jω ⋅ C ⋅ R
Absolutna vrednost razmerja med napetostjo na uporu in generatorjevo
napetostjo je:
uR 1
=
uG 1
1+
ω ⋅ C 2 ⋅ R2
2
Ko se absolutna vrednost razmerja napetosti z nižanjem frekvence zniža na

1/√2 (v decibelih to pomeni padec za 3dB), pravimo, da nastopi spodnja mejna
frekvenca fL. Pri spodnji mejni frekvenci velja:
1 1
2 2 2
=1 ali ωL = = 2 ⋅ π ⋅ fL
ω ⋅C ⋅ R C⋅ R
Vezje povzroči tudi fazni zasuk, ki je prav tako odvisen od frekvence signala in
znaša:
imaginarni del 1 1
tan ϕ = = =
realni del ω ⋅C⋅ R 2⋅π ⋅ f ⋅C⋅ R
121
V točki, kjer nastopi spodnja mejna frekvenca, znaša fazni zasuk ϕ=45°.
Zaradi zaporedno vezanih kapacitivnosti ima ojačevalnik fazni zasuk ter
spodnjo mejno frekvenco, izpod katere ojačenje ojačevalnika naglo upada. Če
sedaj upoštevamo še upornost generatorja, se enačba za spodnjo mejno
frekvenco glasi:
1
fL =
2 ⋅ π ⋅ C ⋅ ( RG + RVH )
uG RG
RVH
Slika 4.44. Generator in
ojačevalnik, povezana s
kondenzatorjem.
Primer
Izračunajmo kapacitivnosti kondenzatorja C1 in C2 v vezju za spodnjo mejno
frekvenco fL=100Hz! Podatki ojačevalnika so: UCC=12V, IC=5mA,
RG=500Ω, RL=1kΩ, hie=600Ω ter hfe=100.
RC
RB1 C2
C1
UCC
12V
RG
RL
RB2 RE CE
122
Najprej izračunajmo upornosti uporov v vezju:

U CC − U BE − U RE 12 V − 0,7 V − 1,2 V
RB1 = = = 18kΩ
IP + IB 500 µA + 50 µA
U BE + U RE 0,7 V + 1,2 V
RB2 = = = 3,8kΩ
IP 500 µA
U CC − U CE − U RE 12 V − 6 V − 1,2 V
RC = = = 960Ω
IC 5mA
U RE 1,2 V
RE = = = 238Ω
IE 5,05mA
Sedaj izračunamo še vhodno in izhodno upornost ojačevalnika:
RVH = RB1 RB2 hie = 18kΩ 3,8kΩ 600Ω = 504Ω
RIZH = RC = 960Ω
Kapacitivnost prvega kondenzatorja C1 izračunamo tako, da upoštevamo
upornost generatorja in vhodno upornost ojačevalnika:
1 1
C1 = = = 1,6 µF
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RG + RVH ) 2 ⋅ π ⋅ 100Hz ⋅ ( 500Ω + 504Ω)
Kapacitivnost drugega kondenzatorja C2 pa dobimo tako, da upoštevamo

izhodno upornost ojačevalnika ter upornost bremena:
1 1
C2 = = = 812 nF
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RIZH + RL ) 2 ⋅ π ⋅ 100Hz ⋅ ( 960Ω + 1kΩ)
Posamezne ojačevalnike med seboj ločimo s kapacitivnostmi zato, da prepreči-

mo enosmerne tokove, ki bi spreminjali položaj delovne točke tranzistorjev.
Zaradi teh kapacitivnosti ima ojačevalnik spodnjo mejno frekvenco; pod to
frekvenco začne ojačenje ojačevalnika upadati.
123
4.6.6. LC povezava ojačevalnikov

Ko deluje tranzistor kot ojačevalnik v področju visokih frekvenc, prihajajo do
izraza vse kapacitivnosti tranzistorja (in ostalih elementov). Te kapacitivnosti
so nezaželjene, saj slabijo ojačenje – z višanjem frekvence se namreč ojačenje
ojačevalnika zmanjšuje. To upadanje lahko delno kompenziramo, če nado-
mestimo kolektorski upor z induktivnim bremenom oziroma tuljavo. Ker se
tuljavi z višanjem frekvence veča induktivna upornost po enačbi XL=2xπxfxL,
se veča tudi skupna bremenska impedanca tranzistorja. Večanje kompleksne
upornosti bremena s frekvenco pa kompenzira vpliv kapacitivnosti na ojačenje.
L L
RB11 RB12
C1 C2
C3 UCC
RB21 RE1 CE RB22 RE2 CE
Slika 4.45. Ojačevalnika, povezana z LC vezavo.
Največja temenska vrednost signala, ki ga dobimo na izhodu predhodnih

ojačevalnikov, ni mogla preseči vrednosti napajalne napetosti. Pri ojačevalniku
z induktivnim bremenom na sliki 4.45 je med kolektorjem in emitorjem
tranzistorjev skoraj vsa napajalna napetost (tuljava ima zanemarljivo ohmsko
upornost). V prisotnosti signala pa lahko temenska vrednost na izhodu zaradi
inducirane napetosti na tuljavi doseže dvakratno vrednost napajalne napetosti.
LC povezane ojačevalnike uporabimo predvsem tam, kjer želimo pri visokih

frekvencah s frekvenco ublažiti vpliv upadanja ojačenja.
124
4.6.7. Transformatorska povezava ojačevalnikov

Transformator uporabljamo v ojačevalnikih najpogosteje za galvansko loče-
vanje ter za transformiranje upornosti. Če upoštevamo transformator brez
izgub, potem velja, da je električna moč, ki jo troši breme na sekundarju
transformatorja, enaka električni moči primarja:
P1 = P2
Drugo pravilo, ki ga moramo upoštevati, je transformacija napetosti:
U1 n1
= ,
U 2 n2
kjer je n1 število ovojev na primarju in n2 število ovojev na sekundarju trans-

formatorja. S pomočjo obeh enačb dobimo razmerje za tokova:
I 1 n2
=
I 2 n1
Razmerje upornosti pa izpeljemo s pomočjo Ohmovega zakona:

2
R1 U1 ⋅ I 2 U1 I 2 n1 n1  n1 
= = ⋅ = ⋅ = 
R2 I 1 ⋅ U 2 U 2 I 1 n2 n2  n2 
RC2
RB11 RB12
C1
C3 UCC
RB22 CB
RB21 RE1 CE RE2 CE
Slika 4.46. Vezje ojačevalnika s transformatorsko povezavo.
125
V izračunu smo upoštevali le ohmske upornosti. Za točnejši izračun bi morali

upoštevati ne le kompleksno upornost bremena, temveč tudi kompleksne
vrednosti samega transformatorja.
Slabost transformatorske povezave je v njegovi velikosti, ceni in omejenem
frekvenčnem odzivu.
V ojačevalnikih uporabljamo transformatorje najpogosteje za prilagoditev

upornosti bremena ter za galvansko ločitev.
4.6.8. Povezava ojačevalnikov s selektivnim transformatorjem

Vzporedno vezana tuljava in kondenzator sestavljata vzporedni nihajni krog.
Tak nihajni krog ima pri natančno določeni frekvenci, ki ji pravimo reso-
nančna frekvenca, zelo veliko upornost. Resonančna frekvenca je odvisna od
induktivnosti tuljave in kapacitivnosti kondenzatorja:
1 1
ω0 = ali f0 =
L⋅C 2⋅π ⋅ L⋅C
Selektivni transformator je sestavljen iz nihajnega kroga in je vezan na izhod
ojačevalne stopnje (vezje na sliki 4.47). Signale s frekvenco blizu resonančne
frekvence ojačevalnik ojača, ostale signale pa oslabi.
-3dB
RB1 C L
C1
UCC
RB2 RE CE
fL fo fH f
Slika 4.47. Vezje ojačevalnika, povezanega s selektivnim transformatorjem ter

diagram spremembe ojačenja s frekvenco.
126
Frekvenci, pri kateri pade ojačenje za 3dB, določata širino frekvenčnega pasu.
Ta je odvisna od kvalitete resonančnega kroga, ki je podana kot:
Q = ω0 ⋅ R ⋅ C ,
kjer je R upornost nihajnega kroga pri resonančni frekvenci ω0. Ko je nihajni
krog v resonanci, ima le ohmsko komponento upornosti. Spodnja in zgornja
mejna frekvenca sta sedaj določeni z enačbama (če je le Q>>1):
 1   1 
fH = f0 ⋅  1 +  ter fL = f0 ⋅  1 − 
 2 ⋅ Q  2 ⋅ Q
Selektivni transformator uporabljamo tam, kjer želimo, da ojačevalnik ojača le

signale določenih frekvenc.
4.6.9. Decibeli
Ojačenje je lastnost ojačevalnikov, da povečajo velikost vhodnega signala.
Definiramo ga kot razmerje amplitud ali efektivnih vrednosti. Tako poznamo
napetostno in tokovno ojačenje ter ojačenje moči.
uIZH
AU = napetostno ojačenje
uVH
i
AI = IZH tokovno ojačenje
iVH
p
AP = IZH = AU ⋅ AI ojačenje moči
pVH
Ko govorimo o ojačevalnikih, ne moremo mimo enote dB (decibel). Ta izvira

iz logaritemskega zapisa ojačenja:
pIZH
A = 10 ⋅ log [dB]
pVH
S pomočjo enačbe za ojačenje moči lahko izpeljemo še napetostno in tokovno

ojačenje:
127
pIZH u 2 ⋅ ZIZH u ⋅ ZIZH

A = 10 ⋅ log = 10 ⋅ log IZH
2
= 20 ⋅ log IZH
pVH uVH ⋅ ZVH uVH ⋅ ZVH
pIZH i 2 ⋅ ZVH iIZH ⋅ ZVH

A = 10 ⋅ log = 10 ⋅ log IZH
2
= 20 ⋅ log
pVH iVH ⋅ ZIZH iVH ⋅ ZIZH
Če sta vhodna in izhodna impedanca enaki, lahko enačbi poenostavimo:

uIZH
A = 20 ⋅ log [dB]
uVH
iIZH
A = 20 ⋅ log [dB]
iVH
4.6.10. Šum ojačevalnika

Vsak element ojačevalnika proizvaja šum (angl. noise). To je neharmonski,
naključni signal, ki je prisoten na celotnem frekvenčnem pasu. Občutljivost
ojačevalnika je odvisna prav od velikosti šuma: če je signal zelo šibek, je lahko
šum večji od signala. Poglejmo si nekaj razlogov za nastanek šuma.
Termični (ali Johnsonov) šum je posledica termičnega gibanja elektrin, ki je
neurejeno in kaotično. Trenutna prerazporeditev elektrin in trki povzročijo
majhna nihanja napetosti na priključkih elementa. Efektivna vrednost nape-
tosti šuma je podana z enačbo:
U n = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R ⋅ ∆f ,
kjer je: k Boltzmannova konstanta (1,38x10-23 J/K),

T temperatura v K,
R upornost v Ω,
∆f pasovna širina v Hz.
Kontaktni šum (shot ali Schottky) nastane, ko elektrina preleti potencialni

prag med dvema polprevodniškima tipoma, med različnimi kovinami ali med
kovino in polprevodnikom. Vsaka elektrina povzroči pri prehodu majhen
tokovni sunek. Velikost šuma je sorazmerna toku, ki teče skozi enega od
spojev.
128
Kombinacijsko-rekombinacijski šum (flicker ali 1/f) nastane zaradi tega, ker

se število ionizacij in rekombinacij v polprevodniku nenehno spreminja.
Prisoten je predvsem pri frekvencah nižjih od 1kHz.
Šumno število (angl. noise figure) nam pove, koliko je obravnavano vezje
šumno. Podano je kot razmerje med šumom, ki ga proizvaja vezje, ter
termičnim šumom, ki bi ga proizvedel upor, enak notranji upornosti vezja:
PIZHn
NF = 10 ⋅ log [dB] ,
AP ⋅ PVHn
kjer je PIZHn moč šuma na izhodu vezja, PVHn moč termičnega šuma na vhodu
vezja, ki ga proizvede upor, enak notranji upornosti vezja, ter AP ojačenje
moči. Če predpostavimo, da sta vhodna in izhodna impedanca enaki, potem je
šumno število podano kot:
UVH / UVHn U U
NF = 20 ⋅ log = 20 ⋅ log VH − 20 ⋅ log IZH
U IZH / U IZHn UVHn U IZHn
NF [dB] NF [dB] IC =1mA

20 20
RG =1M RG =10K
IC =0,1mA
10 10
10-3 10-2 10-1 100 101 0,1 1 10 100

kolektorski tok v mA upornost generatorja v K
Slika 4.48. Odvisnost šumnega števila NF od kolektorskega toka in upornosti

generatorja.
Razmerje izhodne in vhodne napetosti signala dobimo iz ojačenja. Šumno

število je odvisno od kolektorskega toka in notranje upornosti, zato proizvajal-
ci pogosto podajajo ustrezne diagrame. Da bi bil šum čim manjši, izberemo za
vhodno stopnjo tranzistor z majhnim šumnim številom, majhnim kolektorskim
tokom in frekvenčno širino, ki ni nič širša, kot je potrebno.
129
Razmerje signal/šum (angl. signal to noise ratio) nam pove, v kolikšni meri je
ojačevalnik sposoben ločevati med koristnim signalom in šumom. To razmerje
je enako razmerju med močjo signala in močjo šuma na izhodu vezja:
PIZH U
S / N = 10 ⋅ log = 20 ⋅ log IZH [dB]
PIZHn U IZHn
4.7. OJAČEVALNIKI PRI VISOKIH FREKVENCAH

Ko ojačevalnik obratuje pri višjih delovnih frekvencah, se izkaže, da kapacitiv-
nosti polprevodniških elementov ne moremo več zanemariti. V tem poglavju
bomo spoznali predvsem vpliv notranjih kapacitivnosti tranzistorja na
delovanje ojačevalnika. V notranjosti bipolarnega tranzistorja se vsak pn spoj
obnaša kot majhen kondenzator, zato lahko opredelimo dve kapacitivnosti:
prvo med bazo in emitorjem, drugo pa med kolektorjem in bazo.
C CB
Slika 4.49. Kapacitivnosti v

C BE notranjosti tranzistorja.
4.7.1. Kapacitivnost baza-emitor

Pn spoj med bazo in emitorjem je seštevek dveh kapacitivnosti: spojne in
difuzijske. Spojna kapacitivnost nastane zato, ker deluje osiromašeno področje
med p in n polprevodnikom kot dielektrik. Ta kapacitivnost je zelo majhna,
največ nekaj pF (piko faradov). Druga, difuzijska, nastane zaradi omejene
hitrosti difuzije manjšinskih nosilcev, ki prehajajo iz enega v drugi tip
polprevodnika. Pri hitrih spremembah toka se zaradi počasnosti difuzije kopiči
elektrina v polprevodniku. Ko prevodna napetost na spoju upade, tok ne
upade takoj, temveč šele takrat, ko elektrina dejansko odteče iz prehodnega
področja. Difuzijska kapacitivnost lahko doseže vrednost tudi nekaj nF (nano
faradov), podana je z enačbo:
130
q ⋅ IE
CBE = τ ⋅ ,
k⋅T
kjer je τ življenjski čas manjšinskih nosilcev elektrine, ki potujejo skozi bazo.
4.7.2. Kapacitivnost kolektor-baza

Kapacitivnost kolektorskega spoja povzroča spojna kapacitivnost, ki nastane
zaradi zaporno polariziranega spoja. Čim višja je zaporna napetost na spoju,
širša je zaporna plast in manjša je spojna kapacitivnost CCB’ (opuščaj ob B-ju
pomeni, da gre za kapacitivnost med pravo bazo – torej bazo na sami
polprevodniški ploščici – in kolektorskim priključkom). CCB’ je sicer po
velikosti majhna, toda povezuje vhod in izhod ojačevalnika. Ker gre za
povratno zanko, je vpliv te kapacitivnosti na vhod večji za velikost ojačenja
ojačevalnika:
CC = CCB' ⋅ (1 + AU ) ≈ CCB' ⋅ (1 + g m ⋅ RL ) ,
kjer je gm transkonduktanca tranzistorja, RL pa breme, ki je vezano na izhodu
tranzistorja (glej nadomestno vezje na sliki 4.51).
4.7.3. Vpliv kapacitivnosti na ojačenje

Skupna kapacitivnost na vhodu je enaka seštevku obeh, torej:
CSK = C B' E + CCB' ⋅ (1 + g m ⋅ RL )
Skupna kapacitivnost deluje skupaj z vhodno upornostjo kot delilnik napetosti.

Zaradi kapacitivnosti je delilnik odvisen od frekvence. Napetost na izhodu je
enaka:
XC 1
uIZH = uVH ⋅ = uVH ⋅
XC + R 1 + jω ⋅ C ⋅ R
Z višanjem frekvence se izhodna napetost niža. Frekvenci, pri kateri ojačenje

pade za vrednost 1/√2, pravimo zgornja mejna frekvenca. Absolutno vrednost
ojačenja dobimo iz predhodne enačbe in znaša:
uIZH 1
AU = =
uVH 1 + ω 2 ⋅ C 2 ⋅ R2
131
1
Ojačenje pade za vrednost 1/√2 pri frekvenci: fH =
2⋅π ⋅C⋅ R
AU
1
fH
R 0,1
1,6K 0,01
uVH C u 10 100 1K 10K 100K f [ Hz ]
100nF IZH
[ o ] 90
45
0
-45 f [ Hz ]
-90
Slika 4.50. Delilnik napetosti ter potek ojačenja in faznega zasuka s frekvenco.
Diagram na sliki 4.50 prikazuje potek ojačenja s frekvenco. Diagram je narejen

po logaritemski lestvici. Opisani delilnik napetosti povzroči tudi fazni zasuk, ki
je enak:
tan ϕ = −ω ⋅ C ⋅ R
C CB'
rBB' B'
B C
rB'C
rB'E C B'E rCE
gm u B'E
E
Slika 4.51. Nadomestna vezava tranzistorja za visoke frekvence.
Nadomestno vezje tranzistorja na sliki 4.51 je hibridni Π-četveropol, ki smo

mu dodali kapacitivnosti emitorskega in kolektorskega spoja. Tokovni ojače-
132
valni faktor β za tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem dobimo tako, da

izhod kratko sklenemo. S pomočjo četveropola dobimo tokova:
 1 
iB = u B ' E ⋅  + jω ⋅ ( CB' E + CCB' ) ter
 rB' E 
iC = g m ⋅ uB' E
Oba kondenzatorja sta zaradi kratkosklenjenega izhoda sedaj vezana vzpo-
redno. Tokovni ojačevalni faktor β, ki je sedaj odvisen od frekvence, znaša:
iC
βf =
iB
( uCE = 0) ali
g m ⋅ rB' E β
βf = =
1 + jω ⋅ ( C B' E + CCB' ) ⋅ rB' E 1 + jω ⋅ ( C B' E + CCB' ) ⋅ rB' E
Zgornja mejna frekvenca (angl. cut-off frequency) nastopi tedaj, ko ojačenje

pade za vrednost 1/√2, to je pri frekvenci:
gm
fβ =
2 ⋅ π ⋅ ( C B' E + CCB' ) ⋅ β
Skrajna frekvenca tranzistorja fT (angl. transition frequency, unity gain fre-

quency) je podana kot:
gm
fT = fβ ⋅ β =
2 ⋅ π ⋅ ( C B' E + CCB' )
To je frekvenca, pri kateri pade kratkostični ojačevalni faktor na vrednost 1. V

katalogih največkrat najdemo ravno skrajno frekvenco tranzistorja.
f
100
10 Slika 4.52. Potek

fT kratkostičnega tokovnega
1 ojačenja tranzistorja v
10K 100K 1K 10M 100M f [ Hz ] odvisnosi od frekvence.
133
Primer
Izračunajmo spodnjo fL in zgornjo fH mejno frekvenco ojačevalnika ter zgornjo
mejno frekvenco tranzistorja fβ in skrajno frekvenco fT! Emitorski kondenzator
CE naj bo dovolj velik, da ne bo vplival na spodnjo frekvenčno mejo. Podatki
za ojačevalnik so: UCC=12V, IC=5mA, β=hfe=100, RG=1kΩ in CVH=10nF,
medtem ko so podatki tranzistorja: rBB’=100Ω, rCE=100kΩ, CB’E=1nF in
CCB’=10pF (privzamemo, da je rB’C=∞).
RC
RB1
C VH
UCC
12V
RG
RB2 RE CE
C CB'
C VH rBB' B'
rB'C
RG RB1 RB2 rB'E C B'E rCE RC
gm u B'E
Najprej izračunajmo upornost uporov za stabilizacijo delovne točke

tranzistorja, ki si sledijo: RB1=18kΩ, RB2=3,8kΩ in RC=960Ω.
Upornost rB’E izračunamo glede na tok v delovni točki. Transkonduktanco gm
pa iz omenjene upornosti:
25mV 25mV
rB' E ≅ β ⋅ = 100 ⋅ = 500Ω
IC 5mA
134
β 100
gm = = = 0,2S
rB' E 500Ω
Na spodnjo mejno frekvenco fL vpliva kondenzator CVH in znaša:
RVH = RB1 RB2 ( rBB' + rB' E ) = 18kΩ 3,8kΩ (100Ω +500Ω) = 503,7Ω
1 1
fL = = = 10,6kHz
2 ⋅ π ⋅ CVH ⋅ ( RG + RVH ) 2 ⋅ π ⋅ 10nF ⋅ (1kΩ +503,7Ω)
Na zgornjo mejno frekvenco fH vplivajo kapacitivnosti v tranzistorju. Skupna

kapacitivnost na vhodu tranzistorja znaša:
RL = rCE RC = 100kΩ 960Ω = 951Ω
CSK = C B' E + CCB' ⋅ (1 + g m ⋅ RL ) = 1nF + 10pF ⋅ (1 + 0,2S ⋅ 951Ω) = 2912 pF
Zgornja mejna frekvenca je sedaj:

RVH ' = RG RVH = 1kΩ 503,7Ω = 335Ω
1 1
fH = = = 163kHz
2 ⋅ π ⋅ RVH ' ⋅ CSK 2 ⋅ π ⋅ 335Ω ⋅ 2912 pF
Napetostno ojačenje ojačevalnika, ki znaša AU=-gmxRL=-0,2Sx951Ω=-190,2,

pade za 3dB pri frekvenci 10,6kHz (spodnja mejna frekvenca ojačevalnika) in
163kHz (zgornja mejna frekvenca).
Zgornjo mejno frekvenco tranzistorja dobimo tako, da kratko sklenemo izhod-
ni sponki tranzistorja:
1 1
fβ = = = 315kHz
2 ⋅ π ⋅ rB' E ⋅ ( C B' E + CCB' ) 2 ⋅ π ⋅ 500Ω ⋅ (1000pF + 10pF)
fT = fβ ⋅ β = 315kHz ⋅ 100 = 31,5MHz
135
Vezje na sliki 4.53 je ojačevalnik za signale visokih frekvenc. Tranzistor je

priključen v orientaciji s skupno bazo. Kot lahko vidimo iz nadomestnega vezja
na sliki 4.53, je sedaj kolektorska kapacitivnost CCB’ vezana na maso in tako
nima povratnega vpliva na vhod ojačevalnika. Zgornjo mejno frekvenco
tranzistorja v orientaciji s skupno bazo izračunamo s pomočjo fβ:
fβ
fα =
1−α
To pomeni, da je mejna frekvenca višja kot pri tranzistorju v orientaciji s
skupnim emitorjem. Zgornja mejna frekvenca fα je približno enaka skrajni
frekvenci tranzistorja fT. V vezju smo uporabili tranzistor BF180, ki ima
skrajno frekvenco okrog 700MHz.
C3
2,5-6p
R2 L E C
C1 47K C4
22p 22p
9V C B'E rE C CB' RL
T1
BF180 gm uB'E
R1
1K C2 B B
1n
R3 10K
Slika 4.53. Vezje visokofrekvenčnega ojačevalnika in nadomestno vezje tranzistorja.
Ojačevalnik ima zelo nizko vhodno upornost, saj je vhodna upornost

tranzistorja med emitorjem in bazo enaka hie/hfe. Zato je primeren za
prilagoditev na upornost antene, ki je zelo majhna.
Ko tranzistor uporabimo v ojačevalniku za visoke frekvence, moramo upošte-

vati tudi vse njegove kapacitivnosti. To sta kapacitivnosti med bazo in emitor-
jem ter med kolektorjem in bazo. Obe vplivata na zgornjo mejno frekvenco.
To je frekvenca, kjer ojačenje pade za 3dB.
136
4.7.4. Kaskadni ojačevalnik

Kaskadni ojačevalnik (vezje na sliki 4.54) sestavljata dva tranzistorja. Prvi je
vezan v orientaciji s skupnim emitorjem, na njegov izhod je vezan drugi
tranzistor in sicer v orientaciji s skupno bazo. Kondenzator CB služi za to, da je
baza drugega tranzistorja za signale sklenjena na maso. Tako vezani ojačeval-
nik je zelo primeren za ojačevanje signalov visokih frekvenc. Poglejmo, zakaj!
RC
RB1
CB
T2 T2
T1
RB2 UCC
T1
RB3
RE CE
Slika 4.54. Vezje kaskadnega ojačevalnika.
Drugi tranzistor predstavlja breme prvega tranzistorja. Ker je drugi tranzistor

vezan v orientaciji s skupno bazo, je njegova vhodna upornost zelo majhna.
Napetostno ojačenje prvega tranzistorja je zato majhno, le okrog 1. Posledica
tako majhnega ojačenja je majhen povratni vpliv kolektorske kapacitivnosti
CCB’ prvega tranzistorja.
Kolektorska kapacitivnost CCB’ drugega tranzistorja prav tako ne vpliva na
vhod vezja, saj je sklenjena na maso preko kondenzatorja CB. Ojačevalnik je
zato stabilnejši pri visokih frekvencah. Prvi tranzistor nudi le tokovno ojačenje,
drugi pa napetostno.
137
4.8. MOČNOSTNI OJAČEVALNIKI

Močnostni ojačevalniki so ojačevalniki z veliko močjo na izhodu ter z velikimi
signali, ki so blizu izkrmiljenja (izkrmiljenje se zgodi, ko ima izhodni signal
največjo možno amplitudo). Tako postanejo pomembni potrošnja električne
moči, izkoristek moči, segrevanje tranzistorja, hlajenje, izkrmiljenje signala in
popačenje. Pozorni moramo biti predvsem na omejitve tranzistorja, ki so tako
tokovne (največji dopustni tokovi), napetostne (prebojne napetosti spojev) in
omejitev izgubne moči (segrevanje tranzistorja).
Izgubno električno moč lahko vrišemo v polje izhodnih karakteristik kot
hiperbolo P=UCExIC. V polju nad hiperbolo je moč povsod večja, pod njo pa
manjša. Prekoračitev dopustne izgubne moči povzroči prekomerno pregreva-
nje tranzistorja in njegovo uničenje.
IC [ A ] P=10W IC [ A ] P=10W
10mA 10mA
1,00 1,00
7,5mA 7,5mA
0,75 0,75
P>10W
5,0mA 5,0mA
0,50 0,50
P<10W PMAX
0,25 2,5mA 0,25 2,5mA
10 20 30 40 UCE [ V] 10 20 30 40 UCE [ V]
Slika 4.55. Omejitev izgubne moči tranzistorja.
4.8.1. Izkoristek ojačenja moči

Izkoristek ojačenja moči je definiran kot razmerje med koristno močjo na
bremenu in srednjo močjo, ki jo proizvaja napajalni vir. Pove nam, koliko
električne moči, ki jo mora proizvajati napajalni vir, se porablja na bremenu.
138
moč na bremenu
η=
moč napajalnega vira
Za določeno napajalno napetost moramo izračunati največjo moč, ki jo lahko

dobimo na izhodu ojačevalnika. Pri teoretičnem polnem izkrmiljenju je na-
petostni signal na izhodu velik: 2xUM=UCC, kjer je UM temenska vrednost
napetosti. Električna moč je določena kot: P=UEFxIEF, zato lahko izpeljemo:
2 2
U EF UM U2
PL = = = CC
RL 2 ⋅ RL 8 ⋅ RL
Ta enačba nam na primer pove, da pri ojačevalnikih v avtomobilu, kjer je

napajalna napetost 12V in upornosti zvočnika 4Ω, ne moremo doseči večje
moči od 4,5W (ojačevalniki v avtomobilih imajo vezje, ki poveča napajalno
napetost).
Pri največjem možnem teoretičnim izkrmiljenju, kjer ima izhodni signal
amplitudo od 0 do UCC, pade na breme 25% moči. Če na primer želimo imeti
ojačevalnik, ki na bremenu troši 100W koristne moči signala, mora napajalni
vir proizvajati 400W moči. Preostalih 300W pa troši tranzistor za lastno segre-
vanje. To pomeni, da lega delovne točke na sredini delovne premice ni najbolj
primerna za močnostne ojačevalnike.
Ker breme ne porabi vse električne moči, ki jo nudi napajalni vir, moramo pri
močnostnih ojačevalnikih upoštevati tudi izkoristek moči.
4.8.2. Popačenje
Ko tranzistor krmilimo z velikimi signali, moramo upoštevati, da je njegova
karakteristika nelinearna. Zaradi tega je signal na izhodu v primerjavi z
vhodnim popačen. Ko se signal sinusne oblike določene frekvence popači,
ugotovimo, da nastane poleg osnovnega signala še množica manjših signalov.
Le-ti imajo frekvence, ki so mnogokratniki frekvence osnovnega signala, zato
jim pravimo višjeharmonski signali. Popačenje, ki je nastalo, imenujemo
nelinearno ali amplitudno popačenje in ga lahko le merimo (ne moremo ga
izračunati, saj se karakteristike tranzistorjev tudi pri istih tipih razlikujejo).
Vzrok za nelinearno popačenje so najpogosteje nelinearni elementi, nepra-
vilna nastavitev delovnih pogojev komplementarnih tranzistorjev in podobno.
Popačenje lahko omilimo z uporabo povratnih vezav.
139
Stopnja popačenja je enaka razmerju vsote višjih harmonskih komponent do

osnovnega signala. Faktor popačenja (angl. total harmonic distorsion, THD)
pa je enak razmerju vsote višjih harmonskih komponent do celotnega signala
na izhodu ojačevalnika.
Drug pojav, ki nastane zaradi nelinearnosti karakteristik tranzistorja, opazimo,
ko ojačevalnik ojača dva signala istočasno. Na izhodu ojačevalnika dobimo
poleg osnovnega signala še signala, ki imata frekvenci enaki seštevku in razliki
frekvenc osnovnih signalov. Recimo, da na vhod ojačevalnika priključimo dva
vira s frekvencama 800Hz in 1000Hz. Na izhodu dobimo poleg obeh signalov
še dva manjša: prvega s frekvenco 1800Hz in drugega s frekvenco 200Hz.
Temu popačenju pravimo intermodulacijsko popačenje (angl. intermodulation
distortion).
Frekvenčno popačenje nastane zato, ker ojačevalnik ne ojača enako signalov
vseh frekvenc. Fazno popačenje pa nastane zaradi različnega faznega zasuka
signalov različnih frekvenc.
Nelinearno popačenje nastane zaradi nelinearnih karakteristik tranzistorjev.

Popačenje signala povzroči tvorbo višjih harmonskih komponent. To so signali,
ki nastanejo iz osnovnega signala in imajo frekvence, ki so mnogokratniki
frekvence osnovnega signala.
4.8.3. A razred ojačevalnika

Ojačevalnik deluje v »A« razredu takrat, ko je delovna točka tranzistorja sta-
bilizirana v aktivnem področju, kjer je popačenje najmanjše. To je najpogo-
steje na sredini delovne premice. Prednost takega ojačevalnika je zato majhna
stopnja nelinearnega popačenja.
Pri ojačevalnikih, kjer je delovna točka stabilizirana na sredini delovne premi-
ce in je breme priključeno na kolektor, je izkoristek zelo majhen. Srednja moč
takega ojačevalnika znaša:
U CC U2
PCC = U CC ⋅ I SR = U CC ⋅ = CC
2 ⋅ RL 2 ⋅ RL
Srednji tok je približno enak toku v delovni točki, ki ga povzroči polovična

napajalna napetost na bremenu. Izkoristek ojačenja moči je sedaj:
140
2
U CC
PL 8 ⋅ RL 1
η= = 2
= = 0,25
PCC U CC 4
2 ⋅ RL
To pomeni, da je izkoristek moči lahko največ 25 odstoten. Tranzistor troši

največ električne moči takrat, ko je produkt med kolektorskim tokom in
napetostjo med kolektorjem in emitorjem (PC=ICxUCC) največji. To pa je
ravno na sredini delovne premice. Zaradi tega se tranzistor najbolj greje
takrat, ko na vhodu ni signala.
a) b)
RB1
C1
RB2 RE1 CE
Slika 4.56. Ojačevalnika v »A« razredu.
Dodatno slabost takega ojačevalnika predstavlja kolektorski tok, ki teče skozi

breme tudi takrat, ko na vhodu ni signala. Zato je namesto bremena na
kolektorju običajno vezan transformator (vezje na sliki 4.56 a). Enosmeren
tok, ki teče v delovni točki tranzistorja, sedaj ne povzroča toka skozi breme. V
tem primeru izboljšamo izkoristek ojačenja moči na 50%.
Vezju na sliki 4.56 b) pravimo push-pull (potisni-povleči). Ko se zaradi
vhodnega signala odpira prvi tranzistor, se istočasno zapira drugi. Zaradi poti,
po kateri pritekata kolektorska tokova, ima ojačevalnik določene prednosti.
Kolektorski tok namreč vstopa v sredinski odcep transformatorja in teče preko
navitja na kolektor. Zaradi take vezave se izločijo vse sode višjeharmonske
komponente, zaradi česar je nelinearno popačenje manjše. Ker tečeta tokova v
141
navitju transformatorja v nasprotnih smereh, se pri magnetenju transfor-

matorsko jedro ne zasiči, prav tako pa izloči tudi nihanja napetosti zaradi
valovitosti napajalne napetosti.
Tranzistor, ki dela v »A« razredu, ima nastavljeno delovno točko tam, kjer je
popačenje najmanjše, vendar ima zaradi tega zelo slab izkoristek moči.
4.8.4. B razred ojačevalnika

Izkoristek ojačenja moči znatno izboljšamo tako, da preprečimo potrošnjo
električne moči, ko na vhodu ojačevalnika ni signala. Najlažja rešitev je, da
delovno točko nastavimo na dno delovne premice, kjer je kolektorski tok enak
0. Šele dovolj velik signal na vhodu povzroči kolektorski tok na tranzistorju.
Izkoristek ojačenja moči je tu boljši, saj tranzistor prevaja električni tok le
takrat, ko je na vhodu prisoten signal. Srednjo vrednost toka za eno pol-
periodo smo spoznali že pri polvalnem usmerniku in znaša:
2 2 U CC
I SR = ⋅ IM = ⋅ .
π π RL
Zato je srednja moč napajalnega vira enaka:

2
2 U CC
PCC = U CC ⋅ I SR = ⋅
π RL
Maksimalni izkoristek ojačenja moči je pri polnem izkrmiljenju:
2
U CC
PL 8 ⋅ RL π
η= = 2
= = 0,785
PCC 2 U CC 4
⋅
π 8 ⋅ RL
Izkoristek ojačenja moči je sedaj največ 78,5%, kar je bistveno več kot v »A«
razredu ojačevalnikov.
142
RL IC
UBE
Slika 4.57. Ojačevalnik v »B« razredu.
Slabost ojačevalnika na sliki 4.57 je v tem, da lahko npn tranzistor ojača le

pozitivno polperiodo vhodnega signala. Rešitev je v dveh tranzistorjih, kjer je
prvi npn in drugi pnp. Tak komplementarni par tranzistorjev lahko ojača obe
polperiodi, potrebujemo pa dva napajalna vira.
IC T1
T1
RL
UBE
T2
T2
Slika 4.58. Ojačevalnik v »B« razredu s komplementarnim parom tranzistorjev.
Tranzistorja v vezju na sliki 4.58 sta orientirana s skupnim kolektorjem. To pa

zato, ker je taka orientacija tranzistorjev primernejša za krmiljenje bremen z
majhno upornostjo, kot je zvočnik. Signal na izhodu je kljub temu popačen.
143
Razlog je v velikosti prevodne napetosti, ki je potrebna med bazo in emitor-

jem, da steče kolektorski tok. Šele ko vhodni signal preseže napetost kolena
tranzistorjev (za silicij okrog 0,7V), tranzistorja prevajata.
Tranzistor troši manj, če miruje (skozenj ne teče kolektorski tok), ko na vhodu

ni signala. Ker tako nastavljen tranzistor prevaja le eno polperiodo, potrebuje-
mo za ojačenje obeh polperiod dva komplementarna tranzistorja.
4.8.5. AB razred ojačevalnika

Popačenje v »B« razredu popravimo tako, da postavimo delovno točko
tranzistorja nekoliko višje. Ko na vhodu ni signala, teče skozi tranzistor
majhen kolektorski tok. Če je delovna točka pravilno nastavljena in kolektor-
ski tok dovolj majhen, je izkoristek še vedno zadovoljiv.
IC
AB
B UBE
Slika 4.59. Ojačevalnik v »AB« razredu.
Tranzistorjem v vezju na sliki 4.59 nastavimo delovno točko s pomočjo uporov

ter obeh diod. Diodi služita za pravilno nastavitev delovnih točk. Napetost
med bazo in emitorjem posameznega tranzistorja mora biti tolikšna, da je
tranzistor na meji prevajanja, okrog 0,7V. Večja napetost bi povzročila
prevelik kolektorski tok in segrevanje tranzistorjev, prenizka pa popačenje, ker
bi bila tranzistorja preveč zaprta.
144
V vezju na sliki 4.60 a) krmili vhodni tranzistor T1 oba izhodna tranzistorja. Ko

se tranzistor zaradi pozitivne polperiode vhodnega signala odpira, se znižata
napetostna potenciala med bazama in maso obeh končnih tranzistorjev. Zaradi
tega se npn tranzistor T2 zapira, pnp tranzistor T3 pa odpira. Nasprotno se
zgodi ob negativni polperiodi vhodnega signala.
a) b)
T3
T2
RE1
T2
T1 RE2
T3
T1 T4
Slika 4.60. Dopolnjena ojačevalnika v AB razredu.
V vezju na sliki 4.60 b) smo obe diodi nadomestili s tranzistorjem T2, ki ravno
tako dobro obdrži stalno napetost med kolektorjem in emitorjem. Prednost je
v tem, da lahko sedaj nastavimo delovno točko končnih tranzistorjev T3 in T4 s
pomočjo trimer potenciometra. Na emitorju končnih tranzistorjev sta priklju-
čena upora RE1 in RE2, ki imata navadno zelo majhno upornost (manjšo kot
1Ω), služita pa za temperaturno stabilizacijo delovne točke.
Do sedaj smo spoznali ojačevalnike s simetričnim napajanjem. Ko pa imamo
na razpolago samo en napajalni vir, si moramo pomagati s kondenzatorjem, ki
je priključen na izhodu ojačevalnika. Oglejmo si delovanje vezja na sliki 4.62!
Ko je npn tranzistor T2 odprt, skozenj teče tok, ki nato pot nadaljuje skozi
kondenzator C2 in zvočnik. Kondenzator se sedaj polni. Ko je odprt pnp
tranzistor T3, se kondenzator C2 prazni preko tega tranzistorja in zvočnika.
145
Kondenzator mora imeti dovolj veliko kapacitivnost, da lahko ojačevalnik dela

tudi pri dovolj nizkih frekvencah.
T2
C2
C1 T1
T3 Slika 4.61. Vezje ojačeval-
nika, ki uporablja en vir
napajanja.
T2 T2
C2 C2
T3 T3
Slika 4.62. Delovanje ojačevalnika s komplementarnimi tranzistorji ob uporabi

enega vira napajanja.
Če delovno točko tranzistorja nastavimo nekoliko višje kot pri »B« razredu, se
izognemo popačenju, ki nastane zaradi kolenske napetosti tranzistorja.
4.8.6. C razred ojačevalnika

Izkoristek ojačenja moči lahko še dodatno izboljšamo, če je tranzistor odprt
krajši čas, kot je trajanje ene polperiode. Tranzistor zato pretvori manj
električne energije v toplotno kot sicer. Pri ojačevalniku v »B« razredu prevaja
146
tranzistor le polovico periode, v »C« razredu pa še manj. To pomeni, da je

delovna točka tranzistorja nastavljena v področju zaporne napetosti med bazo
in emitorjem. Take ojačevalnike uporabimo najpogosteje pri močnostnih
izhodnih stopnjah radijskih oddajnikov ter pri množilnikih frekvence. Seveda
tako vezje signal popači (govorimo o nelinearnem popačenju), zato se na
izhodu pojavijo višjeharmonski signali, ki jih moramo s pomočjo selektivnih
filtrov odstraniti.
UCC IC
AB
C B UBE
UBB
Slika 4.63. Ojačevalnik v »C« razredu.
Še boljši izkoristek moči dobimo v primeru, ko tranzistor prevaja le del ene

polperiode. Tak ojačevalnik srečamo le pri radijskih oddajnikih.
4.9. PREKLOPNE LASTNOSTI TRANZISTORJA

Od elektronskega stikala pričakujemo dvoje: odprto in zaprto stanje. Pri tem
sta zelo pomembna potrošnja moči ter podatek, koliko časa porabi tranzistor,
da preklopi iz enega v drugo stanje.
Če baznega toka ni, potem se tranzistor nahaja v točki A v diagramu na sliki
4.64 – teče le tok nasičenja ICE0. Ko na vhodu steče bazni tok, tranzistor
147
odpremo. Delovna točka se dvigne po delovni premici navzgor do točke B.

Napetost med kolektorjem in emitorjem je blizu področja nasičenja, zato je
tranzistor izkrmiljen. Če dodatno povečujemo bazni tok na vhodu, se kolektor-
ski tok bistveno ne poveča. Tranzistor je v področju nasičenja, zato je prekr-
miljen (točka C).
IC PIZG
IC
C
RC
B
UCC
UCE
A
IB=0
UCE
Slika 4.64. Tranzistor v vlogi stikala.
Potrošnja električne moči tranzistorja je v enem ali drugem stanju zelo

majhna. Ko je tranzistor zaprt, je vsa napajalna napetost med kolektorjem in
emitorjem, kolektorski tok je zanemarljiv. Ko pa tranzistor prevaja, je
kolektorski tok skozenj dovolj velik, padec napetosti pa pri vrednosti nasiče-
nja. Tranzistor troši največ moči takrat, ko je delovna točka na sredini delovne
premice. To pa zato, ker je produkt napetosti in toka tam največji. Ko
tranzistor odpiramo, se delovna točka pomika po delovni premici navzgor. Na
začetku se giblje proti polovici delovne premice, kjer je potrošnja tranzistorja
največja, nato nadaljuje pot navzgor in se od sredine oddaljuje. Tranzistor se
bo najbolj segrel ravno pri preklopu. Večje število preklopov v časovni enoti
pomeni, da bo morala delovna točka pogostokrat skozi sredino delovne
premice in tranzistor se bo čedalje bolj segreval. Zato je segrevanje
tranzistorja pri preklopnih vezjih odvisno od števila preklopov v časovni enoti.
Ker delovna točka pri preklopu tranzistorja zelo naglo prečka sredino delovne
premice, lahko tranzistor nastavimo tako, da delovna premica seka krivuljo
največje dopustne izgubne moči PTOT (glej diagram na sliki 4.64). Delovna
148
točka se tako med preklopom znajde v področju, kjer je izgubna moč na

tranzistorju večja od dopustne, a le za kratek čas, zato se tranzistor ne
pregreje. To pomeni, da lahko uporabimo tudi šibkejši tranzistor. Pri slabi
temperaturni stabilizaciji lahko segrevanje tranzistorja privede do termičnega
pobega (angl. thermal runaway). Ko je na vhodu tranzistorja tok nič, teče skozi
kolektor le manjši tok nasičenja ICE0. Tranzistor troši tedaj moč približno
P≈ICB0xUCC, ki je na začetku majhna (točka »A« na sliki 4.64). Zaradi
segrevanja pa se tok nasičenja veča, zato se poveča tudi potrošena moč na
tranzistorju. Temperatura tranzistorja se zato dvigne, posledica pa je večji tok
nasičenja. Delovna točka se premika po delovni premici navzgor, dokler ne
doseže največje dopustne izgubne moči, kjer se tranzistor pregreje in uniči.
Pri stikalnem obratovanju lahko izgubno moč tranzistorja nekajkrat prekora-
čimo. Delovna točka pri preklopu potuje skozi področje, kjer je izgubna moč
večja, kot je dovoljena, vendar se prehod traja le kratek čas. Če je preklop
dovolj hiter, se tranzistor ne uspe toliko segreti, da bi se uničil.
Proizvajalci ponujajo v katalogih vrsto podatkov, ki govorijo o preklopnih
lastnostih tranzistorjev. Poleg tega je končna oblika signala odvisna tudi od
vrste bremena. Oglejmo si oboje.
4.9.1. Preklopni časi

Ko tranzistor vklopimo, zaradi svoje kapacitivnosti ne more v hipu prevajati.
Tako preteče nekaj časa, preden prispejo elektrine iz emitorja v kolektor. Ta
čas se imenuje čas zakasnitve vzpona (delay time) td. Čas, v katerem kolektor-
ski tok nato naraste od 10% do 90%, pa imenujemo čas vzpona (rise time) tr.
Ko tranzistor prevaja, prehaja skozi bazo pri npn tranzistorju veliko število
elektronov, ki so v bazi manjšinski nosilci elektrine. V trenutku, ko tranzistor
zapremo, jih ostane v bazi določeno število. Ker je med kolektorjem in bazo
zaporna napetost, ti elektroni še vedno pritekajo v kolektor. To pomeni, da
tudi po preklopu še nekaj časa teče kolektorski tok. Temu pravimo zakasnilni
čas zaradi kopičenja naboja (storage time) ts in je kar nekajkrat večji od vseh
ostalih zakasnilnih časov. Čas, v katerem kolektorski tok nato pade iz 90% na
10%, imenujemo čas upadanja (fall time) tf.
149
UVH
IC
90%
10%
t
td tr ts tf
t on t off
Slika 4.65. Časi zakasnitve tranzistorja.
4.9.2. Induktivno breme

Induktivno breme tranzistorja je lahko rele, tuljava elektromotorja in po-
dobno. Zaradi induktivnosti se ta bremena obnašajo drugače kot ohmska.
Indukcijski zakon pravi, da se v vsakem ovoju pojavi električna napetost, če se
v njem spreminja magnetni pretok. V trenutku preklopa tranzistorja se kolek-
torski tok skokovito spremeni, zato se spremeni tudi magnetni pretok v tuljavi.
Inducira se lastna napetost tuljave, ki temu toku nasprotuje.
UCC UCE
UCC
UCE t
trenutek, ko se transistor zapre
Slika 4.66. Delovanje tranzistorja z induktivnim bremenom.
150
Posebej nevaren je trenutek, ko prekinemo kolektorski tok. Zaradi tega v

tuljavi naglo upade magnetni pretok, ki povzroči, da se v ovojih inducira
napetost. Ta je na kolektorju pozitivna in ima vrednost RxIC. Napetost med
kolektorjem in emitorjem tranzistorja je sedaj enaka seštevku napajalne
napetosti in inducirane napetosti tuljave. Če presežemo dopustno temensko
vrednost napetosti tranzistorja, le-ta prebije. Temu se izognemo tako, da vzpo-
redno s tuljavo vežemo diodo, kot kaže vezje na sliki 4.66). Dioda je obrnjena
tako, da kratko sklene tuljavo, ko se v njej pojavi inducirana napetost.
4.9.3. Kapacitivno breme

Kapacitivno breme povzroči, da se v njem nabira elektrina, ki se kasneje prazni
preko tranzistorja in onemogoči hipne spremembe napetosti. Napetost na
izhodu tranzistorja ne more slediti kolektorskemu toku. Kapacitivno breme
lahko povzročijo tudi dolgi vodniki ali vhodna kapacitivnost naslednje stopnje.
Oglejmo si odziv kapacitivnega bremena na vhodni signal pravokotne oblike.
UC
U
0,63 U
polnjenje
R
t= t
C UC
UC
U
praznjenje
0,37 U
t= t
Slika 4.67. Potek polnjenja in praznjenja kondenzatorja.
Čas polnjenja in praznjenja kondenzatorja je izpeljan s pomočjo dejstva, da je

tok, ki teče skozi kondenzator, enak produktu kapacitivnosti in hitrosti spre-
151
membe napetosti na kondenzatorju. Enačbi za trenutno napetost na konden-

zatorju sta:
 − t
 
uC = U ⋅  1 − e τ  , ko se kondenzator polni,
 
 
−t
uC = U ⋅ e τ , ko se kondenzator prazni,
kjer je τ časovna konstanta in znaša: τ =RxC. To pomeni, da je hitrost pol-

njenja in praznjenja odvisna le od produkta kapacitivnosti kondenzatorja in
upornosti, skozi katero se kondenzator polni ali prazni.
Ker je kondenzator na začetku prazen, je na njem napetost 0. Zaradi tega teče
v kondenzator tok, ki ga omejuje upor. Kondenzator se postopoma polni,
napetost na njem narašča, medtem ko padec napetosti in tok skozi upor
upadata. Pri praznjenju je tok na začetku največji in teče skozi upor v
nasprotno smer. Napetost na kondenzatorju upada, dokler ne doseže 0V.
a) b) RE
100
RC
10K
T1
CL T2 CL
Slika 4.68. Krmiljenje kapacitivnega bremena s tranzistorji.
V vezju na sliki 4.68 a) se kondenzator C polni skozi kolektorski upor RC in

prazni skozi tranzistor. Ker je upornost kolektorskega upora navadno mnogo
večja kot je upornost odprtega tranzistorja, se kondenzator neprimerno več
časa polni kot prazni. Zato je vezje na sliki 4.68 b) boljše, saj se kondenzator
152
sedaj polni preko tranzistorja (T1), ki ima mnogo manjšo upornost, ko je

odprt.
Primer
Kondenzator kapacitivnosti C=10nF se polni preko prvega upora z upornostjo
R1=100kΩ, prazni pa preko drugega upora z upornostjo R2=40kΩ. Izraču-
najmo čas naraščanja tR in čas upadanja tF napetosti na kondenzatorju!
Čas naraščanja merimo od trenutka, ko napetost doseže 10%, do trenutka, ko
doseže 90% celotne napetosti:
− t1
uC
=1− e R⋅C
U
− t1  u 
= ln 1 − C 
R⋅ C  U
t1 = − R1 ⋅ C ⋅ ln(0,9) = −100kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 0,1) = 0,1ms
t2 = − R1 ⋅ C ⋅ ln(0,1) = −100kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 2,3) = 2,3ms
t R = t2 − t1 = 2,3ms − 0,1ms = 2,2 ms

Čas upadanja pa merimo od trenutka, ko napetost pade na 90%, do trenutka,
ko upade na 10% celotne napetosti:
− t1
uC
= e R⋅C
U
− t1 u 
= ln C 
R⋅C  U
t1 = − R2 ⋅ C ⋅ ln(0,9) = −40kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 0,1) = 0,04ms
t2 = − R2 ⋅ C ⋅ ln(0,1) = −40kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 2,3) = 0,92 ms
t F = t2 − t1 = 0,92 ms − 0,04ms = 0,88ms
153
Na sliki 4.69 vidimo vpliv sklopnega kondenzatorja na obliko pravokotnega

vhodnega signala. Ko je kondenzator prazen, teče skozenj največji tok, ki je
omejen z uporom. V času polnjenja napetost na kondenzatorju narašča, padec
napetosti na uporu pa zaradi tega upada proti ničli. Ko se kondenzator
popolnoma napolni, je padec napetosti na njem enak celotni vhodni napetosti,
zato je na uporu napetost 0V in tok več ne teče. Ko pa se kondenzator prazni,
teče tok v obratno smer, zato ima izhodna napetost nasproten predznak. Tok
ponovno pade na nič, ko se kondenzator popolnoma izprazni. V vezju na sliki
4.69 je v prvem primeru časovna konstanta RxC manjša, v drugem primeru pa
večja od trajanja polperiode pravokotnega signala.
UR
t
C <T
R
UR
t
>T
Slika 4.69. Oblika signala na izhodu vezja, vzbujenega s signalom pravokotne oblike.
154
VPRAŠANJA
1. Kaj pomeni, da je tranzistor »pnp« tipa?
2. V katero smer moramo priključiti emitorski in kolektorski spoj pri bipo-
larnem tranzistorju, da bo deloval v aktivnem področju?
3. Zaradi česa teče skozi kolektorski spoj električni tok, kljub temu, da ga
priključimo v zaporno smer?
4. Kaj je α? Kolikšno vrednost ima? Ali je lahko večji od 1?
5. V kakšni povezavi sta si α in β pri bipolarnem tranzistorju?
6. Kaj je tok nasičenja? Kako ga označimo in od česa je najbolj odvisen?
7. Naštej vse orientacije tranzistorja! Zakaj jih tako poimenujemo?
8. Zakaj potrebujemo nadomestna vezja? Nariši preprosto nadomestno vezje
za bipolarni tranzistor!
9. Kaj nam pove parameter hfe?
10. Kaj je področje nasičenja tranzistorja?
11. Kaj je enosmerna delovna točka in zakaj jo moramo nastavljati? Na kak-
šen način jo nastavimo?
12. Kaj se zgodi, če delovno točko tranzistorja nastavimo z baznim uporom,
kot na sliki 4.20, β tranzistorja pa je večji, kot smo pričakovali?
13. Zakaj moramo delovno točko pri tranzistorju stabilizirati?
14. Razloži, kako deluje stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom!
Čemu v takem vezju služi emitorski kondenzator?
15. Opiši prednosti in slabosti posameznih orientacij tranzistorja!
16. Čemu služi diferencialni ojačevalnik? Kako deluje?
17. Zakaj diferencialni ojačevalnik izboljšamo s tokovnim generatorjem in kaj
je faktor rejekcije ali CMRR?
18. Zakaj moramo vhodno upornost ojačevalnikov prilagoditi upornosti gene-
ratorja?
19. Kakšna je prednost in kakšna slabost enosmerno povezanih ojačevalni-
kov? Kaj moramo paziti pri taki povezavi?
20. Kaj je Darlingtonovo vezje?
155
21. Čemu služi sklopni kondenzator med posameznimi ojačevalnimi stop-

njami?
22. Kako vplivajo sklopni kondenzatorji na frekvenčno karakteristiko ojače-
valnika? Kaj se zgodi, če nižamo kapacitivnost teh kondenzatorjev?
23. Čemu tuljava namesto kolektorskega upora ojačevalnika?
24. Zakaj v ojačevalnikih uporabljamo selektivne transformatorje?
25. Opiši, kako nastane šum v ojačevalnikih!
26. Kakšen vpliv imata kapacitivnosti tranzistorja na ojačenje?
27. Kaj je skrajna frekvenca tranzistorja?
28. Kako deluje kaskadni ojačevalnik? Zakaj je primernejši za višje frekvence?
29. Kaj je izkoristek ojačenja moči pri močnostnih ojačevalnikih?
30. Zakaj nastane nelinearno popačenje?
31. Zakaj delimo ojačevalnike v razrede? Kakšne so razlika med posameznimi
razredi?
32. Zakaj je izkoristek ojačenja moči boljši v »B« od tistega v »A« razredu?
33. Zakaj v »B« razredu potrebujemo dva komplementarna tranzistorja?
34. Kako deluje ojačevalnik v »AB« razredu, če imamo na voljo en sam napa-
jalni vir?
35. Zakaj nastane zakasnitev pri preklopu bipolarnega tranzistorja?
NALOGE
1. Kolikšen je kolektorski tok tranzistorja, če je IB=0,3mA, β=120 in
ICB0=40µA? (Odg.: 40,84mA)
2. Kolikšna je transkonduktanca tranzistorja gm, če je IE=8mA in β=120
(termična napetost znaša 25mV)? (Odg.: 320mS)
3. Pri tranzistorju v orientaciji s skupnim emitorjem sta parametra hfe=120 in
hie=1kΩ, upornost bremena pa je 2kΩ. Izračunajte AI, AU, RVH in RIZH!
(Odg.: -120, -240, 1kΩ, ∞)
4. Izračunajte upornost kolektorskega RC in baznega upora RB v vezju na
sliki 4.20 tako, da bo delovna točka tranzistorja pri UCE=4V in IC=5mA!
UCC=12V in β=120. (Odg.: 1,6kΩ, 271kΩ)
156
5. Izračunajte upornosti uporov RC1, RE1 in RE2 v vezju na sliki 4.40 tako, da
bo delovna točka pri obeh tranzistorjih na sredini. Podatki: IC1=5mA,
β1=120, IC2=10mA, β2=80 in UCC=16V! (Odg.: 1,4kΩ, 140Ω, 800Ω)
6. Kolikšno je napetostno ojačenje iz predhodnega primera, če so parametri:
hfe1=120, hie1=1kΩ, hfe2=80 in hie2=1kΩ? (Odg.: ≈-9)
7. Izračunajte upornosti uporov R1, R2 in RE spodnjega vezja tako, da bo
IE2=240mA in delovna točka drugega tranzistorja na sredini delovne pre-
mice (β1=100, β2=60)! Kolikšna je približno vhodna upornost ojačeval-
nika? (Odg: 10,4kΩ, 18,5kΩ, 25Ω, 6,37kΩ)
R1
UCC
12V
R2
RE
8. Izračunajte, kolikšno izgubno moč troši tranzistor v danem vezju, če je

β=80! (Odg.: 59,5mW)
8K6 680
UCC
16V
2K8
290
157
9. Ojačevalnik ima na izhodu selektivni transformator (glej sliko 4.47) s

podatki: C=470pF in L=50µH. Kolikšna je resonančna frekvenca nihaj-
nega kroga in kolikšni zgornja in spodnja mejna frekvenca, če ima nihajni
krog pri resonančni frekvenci upornost R=10kΩ? (Odg.: 1,038MHz,
1,055MHz, 1,021MHz)
10. Na izhodu ojačevalnika je narastel signal z 12mV na 17mV. Za koliko
decibelov se je signal povečal? (Odg.: 3dB)
11. Ojačevalnik s pasovno širino 10kHz ima v vezju upor z upornostjo 5kΩ.
Kolikšno šumno napetost povzroči termični šum na uporu pri temperaturi
25°C? (Odg.: 0,9µV)
12. Kolikšna je zgornja mejna frekvenca tranzistorja, če je hfe=120 in
fT=10MHz? (Odg.: 83kHz)
13. Kolikšna je lahko največja (teoretična) moč na izhodu ojačevalnika v AB
razredu pri napajalni napetosti 24V in upornosti bremena 8Ω? (Odg: 9W)
158
UNIPOLARNI TRANZISTORJI
Poglavje 5
UNIPOLARNI
TRANZISTORJI
Unipolarnim tranzistorjem pravimo tudi tranzistorji z vplivom polja (FET,

angl. field effect transistor). Unipolarni so zato, ker je električni tok v teh
tranzistorjih sestavljen le iz večinskih nosilcev naboja. Ta tok teče skozi
polprevodniški kanal, ki ima dva priključka: izvor (S, angl. source) in ponor
(D, angl. drain). Vhodni priključek, s katerim krmilimo tok skozi kanal,
imenujemo vrata (G, angl. gate). Glede na zgradbo vhodnega priključka
ločimo dve vrsti unipolarnih tranzistorjev: spojni FET (JFET, angl. junction
gate field effect tranzistor) ter FET z izoliranimi vrati (IGFET, angl. insulated
gate field effect tranzistor), ki ga imenujemo tudi MOSFET (angl. metal-
oxide-semiconductor FET). MOSFET tranzistorji se po zgradbi delijo v dva
tipa: z induciranim kanalom (angl. enhancement-type) ter z vgrajenim kana-
lom (angl. depletion-type). Simbole vseh tranzistorjev vidimo na sliki 5.1.
Poleg teh poznamo še posebne tipe tranzistorjev, ki so najpogosteje kombi-
nacija med unipolarnimi in bipolarnimi tranzistorji, kot je na primer bipolarni
tranzistor z izoliranimi vrati (IGBT, angl. insulated gate bipolar transistor).
159
Unipolarni tranzistorji imajo – za razliko od bipolarnih – zelo veliko vhodno

upornost, ki znaša od 106Ω pri JFET do 1014Ω pri MOSFET.
JFET MOS-FET MOS-FET

z induciranim kanalom z vgrajenim kanalom
D D D
z n kanalom G
G G
S S S
D D D
s p kanalom G
G G
S S S
Slika 5.1. Simboli unipolarnih tranzistorjev.
5.1. JFET
Tranzistor sestavlja kanal (na sliki 5.2 n-tipa), vmeščen v nasprotni tip
polprevodnika (p-tip). Na ta polprevodnik, ki oklepa kanal, je spojen vhodni
priključek – vrata. Poleg tranzistorjev z n-kanalom poznamo tudi tranzistorje s
p-kanalom.
Ko na kanal priključimo električno napetost UDS, stečejo skozi kanal večinski
nosilci (v našem primeru elektroni). Le-ti pritekajo skozi izvor in odtekajo
skozi ponor. Za pravilno delovanje tranzistorja moramo na vhod priključiti
napetost tako, da je pn spoj med vrati in kanalom polariziran v zaporno smer.
Zaradi tega nastane med kanalom in oklepajočim polprevodnikom zaporna
plast. Pri tranzistorju z n-kanalom mora biti napetost na vratih (UGS) negativ-
nejša, kot je na izvoru.
160
S G D
D
p
G n
p
S
Slika 5.2. Zgradba JFET.
5.1.1. Delovanje JFET

Zaradi napetosti UGS, ki je priključena v zaporno smer, je med kanalom in
oklepajočim polprevodnikom zaporna plast, v kateri ni ne prostih elektronov
ne vrzeli. Zaporna plast seže tudi v kanal, kar pomeni, da je kanal, ki lahko
prevaja električni tok, ožji od dejanskega. Upornost kanala je zaradi tega večja
kot v primeru, če zaporne plasti ne bi bilo. Če vhodno napetost med vrati in
izvorom UGS povečamo, se zaporna plast razširi globlje v kanal in s tem se zoža
njegov prevodni presek. Upornost kanala se še poveča.
UDS
UGS ID
S G D
ID
p zaporni
D plasti
G n
UDS
UGS S p
Slika 5.3. Priključitev JFET.
161
Opazujmo sedaj primer, ko je vhodna napetost (napetost na vratih) 0V. Ko

priključimo napetost med izvorom in ponorom UDS, se med kanalom in vrati
ustvari zaporna plast, saj je kanal zaradi napetostnega vira na pozitivnejšem
električnem potencialu. Širina zaporne plasti je vzdolž kanala različna – pri
ponoru je mnogo širša kot pri izvoru. To pa zato, ker je napetostna razlika
med n-kanalom in oklepajočim p-tipom pri ponoru večja kot pri izvoru. Ko
napetost UDS povečujemo, se zaporna plast širi z obeh strani in prevodni del
kanala se oža. Tok ID, ki teče skozi kanal, zato več ne narašča.
Ko doseže napetost UDS dovolj veliko vrednost, se zaporni plasti z obeh strani
toliko razširita, da se kanal pri ponoru preščipne ali zadrgne. Tok skozi kanal
ID sedaj več ne narašča, temveč ostaja z nadaljnjim večanjem napetosti UDS
konstanten. Napetost, pri kateri se kanal zadrgne, imenujemo napetost nasi-
čenja UDSsat.
ID UGS =0
IDSS
Slika 5.4. Izhodna

UDS karakteristika JFET pri
UP pogoju UGS=0.
Kanal lahko zadrgnemo tudi tako, da pri nespremenjeni vrednosti UDS večamo
zaporno napetost na vhodu UGS. Napetost med vrati in ponorom, pri kateri se
kanal zadrgne, imenujemo napetost zadrgnitve UP (angl. pinchoff voltage).
Povezava med napetostjo nasičenja in napetostjo zadrgnitve je naslednja:
U DSsat = U GS − U P
Ponorski tok ID, ki teče ob zadrgnitvi kanala ko je vhodna napetost UGS=0,
označimo z IDSS.
162
5.1.2. Karakteristika JFET

V polju izhodnih karakteristik ločimo dve področji: področje pod zadrgnitvijo
in nad njo. Slednje imenujemo tudi področje nasičenja. Področje pod
zadrgnitvijo uporabljamo tam, kjer želimo, da JFET deluje kot napetostno
spremenljiv upor. Področje nad zadrgnitvijo pa je primerno za ojačevalnike, saj
je izhodni tok ID odvisen le od velikosti vhodne napetosti UGS.
ID [mA] UDSsat =UGS -UP

UGS =0
6
-1V
4
-2V
2 -3V
Slika 5.5. Polje izhodnih

5 10 15 UDS [ V]
karakteristik JFET.
Tokove nasičenja IDS v področju zadrgnitve približno izračunamo iz enačbe:

2
 U 
I DS ≅ I DSS ⋅  1 − GS 
 UP 
Če vhodna napetost UGS doseže vrednost napetosti zadrgnitve UP, potem je

ponorski tok enak 0. To pomeni, da vhodna napetost ne sme nikoli preseči
napetosti zadrgnitve.
Izhodni tok ID krmilimo s pomočjo vhodne napetosti UGS, kar lahko
predstavimo s prenosno karakteristiko. To je diagram, ki prikaže odvisnost
izhodne veličine od vhodne. Razmerje med spremembo izhodnega toka in
spremembo vhodne napetosti je prevodnost – transkonduktanca gm:
∆I D
gm =
∆U GS
Pove nam, za koliko se spremeni ponorski tok ID, če spremenimo napetost

med vrati in izvorom UGS. V prenosni karakteristiki na sliki 5.6 je transkon-
duktanca enaka nagibu tangente v izbrani točki na krivulji. Ker je velikost
transkonduktance v različnih točkah krivulje različna, podajajo proizvajalci
163
največjo transkonduktanco gmo, ki je pri vrednosti UGS=0. Vrednost, ki jo ima

tranzistor v določeni delovni točki, lahko nato izračunamo s pomočjo približne
enačbe:
 U  ID
g m = g mo ⋅  1 − GS  = g mo ⋅
 UP  I DSS
ID [mA]
IDSS 6
UP 2
Slika 5.6. Prenosna
UGS [V] 4 3 2 1 karakteristika JFET.
Če sedaj upoštevamo enačbo za ponorske tokove, dobimo za transkonduk-

tanco:
∆I D 2 ⋅ I DSS  U 
gm = =− ⋅  1 − GS 
∆U GS UP  UP 
Ker vemo, da je gm=gmo pri napetosti UGS=0, dobimo za gmo:

2 ⋅ I DSS
g mo = −
UP
JFET ima tri priključke: izvor S, ponor D in vrata G. Ponorski tok na izhodu
krmilimo z vhodno napetostjo med vrati in izvorom. Kanal tranzistorja se pri
napetosti nasičenja med izvorom in ponorom zadrgne ali preščipne. Tu
postane ponorski tok skoraj konstanten, odvisen je le od vhodne napetosti.
Pomemben podatek o tranzistorju je transkonduktanca, ki nam poda ojačenje
unipolarnega tranzistorja.
164
Primer
Če med vrati in izvorom JFET priključimo napetost UGS=-1V, steče ponorski
tok ID=4mA, napetost zadrgnitve pa je UP=-3V. Izračunajmo največji tok
IDSS, največjo transkonduktanco gmo ter transkonduktanco v delovni točki gm!
2 2
 U   − 1V  4
I D = I DSS ⋅  1 − GS  = I DSS ⋅  1 −  = I DSS ⋅
 UP   − 3V  9
9 9
I DSS = I D ⋅ = 4mA ⋅ = 9mA
4 4
2 ⋅ I DSS 2 ⋅ 9mA
g mo = − =− = 6mS
UP − 3V
 U   − 1V 
g m = g mo ⋅  1 − GS  = 6mS ⋅  1 −  = 4mS
 UP   − 3V 
5.1.3. Nadomestno vezje JFET

Najenostavnejše nadomestno vezje za majhne signale vidimo na sliki 5.7 a).
Vhodni tok IG je zanemarljiv, zato so zanemarljive tudi spremembe tega toka.
Na vhodu si torej predstavljajmo odprte sponke. Tokovni generator na izhodu
je odvisen od produkta vhodne napetosti uGS in transkonduktance tranzistorja
gm. Izhodna diferencialna prevodnost gd pa podaja razmerje med spremembo
ponorskega toka iD in spremembo napetosti med izvorom in ponorom uDS. V
področju pod zadrgnitvijo je odvisnost velika, nad njo (v področju nasičenja)
pa zelo majhna.
a) iD b) iD
G D G D
C GD
uGS gm uGS gd uGS gd
C GS
S S S S
Slika 5.7. Nadomestni vezji JFET.
165
Iz prvega nadomestnega vezja lahko izpeljemo enačbo za napetostno ojačenje.

Tok iD, ki teče skozi breme RL, vezano na izhodu, je enak:
iD = g m ⋅ uGS
Napetostno ojačenje je razmerje med izhodno in vhodno napetostjo signala,
zato dobimo:
u i ⋅R g ⋅u ⋅R
AU = IZH = D L = m GS L = g m ⋅ RL
uVH uGS uGS
Če se spomnimo bipolarnih tranzistorjev, je tam zelo pomemben podatek

faktor ojačenja β. Podoben podatek je za JFET ojačevalni faktor µ (grška črka
mi), ki je definiran kot:
g
µ= m
gd
V bipolarnem tranzistorju je hitrost odziva omejena zaradi (počasne) difuzije

manjšinskih nosilcev v področju baze, kar se odraža kot difuzijska kapa-
citivnost. V JFET imamo opraviti le s kapacitivnostmi zapornih plasti med
krmilno elektrodo in kanalom. V nadomestnem vezju na sliki 5.7 b) smo te
kapacitivnosti predstavili s CGS in CGD, ki imata kapacitivnosti nekaj pF (piko
faradov).
5.1.4. Nastavitev in stabilizacija delovne točke JFET

Delovno točko tranzistorja nastavimo tako, da je pri tranzistorju z n kanalom
vhodni priključek G negativnejši od izvora S. To dosežemo s pomočjo upora
na izvoru RS, kot kaže slika 5.8 a). Ker je vhodni tok IG zanemarljiv, je tudi
padec napetosti na uporu RG majhen, vrata G imajo praktično potencial mase.
Ponorski tok ID povzroči na uporu RS padec napetosti URS, zato je izvor S na
pozitivnejšem potencialu kot vrata G. Padec napetosti med vrati in izvorom
(UGS) je približno enak (saj so vrata praktično na potencialu mase), a
nasprotno usmerjen od padca napetosti na uporu RS .
Upor RS služi tudi za stabilizacijo delovne točke tranzistorja. Če bi se ponorski
tok ID zaradi katerega koli vzroka povečal, bi povzročil večji padec napetosti
na uporu RS. Izvor bi postal pozitivnejši od vrat, posledica pa bi bil nižji
ponorski tok ID. Vezje se tako upira spremembi toka na izhodu tranzistorja.
Nasprotovanju izhodnega signala, da bi se povrnil na vhod, pravimo negativna
166
povratna zanka. Delovanju zanke na izmenični signal se izognemo tako, da

vežemo vzporedno z uporom RS še kondenzator CS.
a) b)
RD RD
RG1
UDD UDD
RG RG2
RS CS RS CS
Slika 5.8. Nastavitev delovne točke JFET.
V prvem vezju smo zanemarili padec napetosti na vhodnem uporu RG. Vhodni
tok IG je močno odvisen od temperature, saj se s temperaturo kar nekajkrat
poveča. Zato prihaja do izraza tudi sprememba padca napetosti na uporu RG.
S tem se spremenijo napetosti med vrati in izvorom UGS. Spremembo lahko
ublažimo z vezjem na sliki 5.8 b), kjer za to poskrbi delilnik napetosti z uporo-
ma RG1 in RG2. Če je prečni tok skozi delilnik nekajkrat večji od vhodnega
toka IG, potem je padec napetosti na izhodu delilnika skoraj neodvisen od
sprememb toka IG.
Primer
Izračunajmo upornosti uporov v vezju ojačevalnika ter napetostno ojačenje, če
je UDD=12V, UP=-4V, gmo=10mS! Delovno točko nastavimo pri ID=4mA.
RD
8,2V 4mA
0V UDD
12V
2,2V
RG RG gm uGS RD
RS CS
167
Najprej moramo izračunati napetost med vrati in izvorom v delovni točki UGS:
2 ⋅ I DSS g ⋅ UP 10mS ⋅ ( − 4 V)
g mo = ⇒ I DSS = − mo =− = 20mA
UP 2 2
 ID   4mA 
U GS = U P ⋅  1 −  = −4 V ⋅  1 −  = −2 , 2 V
 I DSS   20mA 
Nato lahko izračunamo upornosti obeh uporov. Upoštevati moramo le pogoj,

da delovna točka JFET tranzistorja na polovici delovne premice.
U RS − U GS 2,2 V
RS = = = = 550Ω
ID ID 4mA
U DD − U DS − U RS 12 V − 6 V − 2,2 V
RD = = = 950Ω
ID 4mA
Pri izračunu ojačenja potrebujemo najprej transkonduktanco v delovni točki:

 U   − 2, 2 V 
g m = g mo ⋅  1 − GS  = 10mS ⋅  1 −  = 4,5mS
 UP   − 4V 
AU = g m ⋅ RL = g m ⋅ RD = 4,5mS ⋅ 950Ω = 4,275

Izračunajmo še vhodno in izhodno upornost ojačevalnika! Spet si pomagamo z
nadomestnim vezjem in hitro ugotovimo, da je:
RVH = RG = 1MΩ
RIZH = RD = 950Ω
168
5.1.5. Orientacije JFET

Podobno kot pri bipolarnih tranzistorjih tudi pri JFET uporabljamo vezave v
različnih orientacijah. Tako poznamo orientacije s skupnim izvorom, s skup-
nim ponorom ter s skupnimi vrati.
RD
RD
RS
RG
RG RS RS
Slika 5.9. Orientacije JFET.
Poglejmo tabelo, ki podaja napetostno ojačenje ter vhodno in izhodno upor-

nost ojačevalnika z JFET za različne orientacije:
skupni izvor skupni ponor skupna vrata

− g m ⋅ RD g m ⋅ RS g m ⋅ RD
AU * ≈1
1 + g m ⋅ RS 1 + g m ⋅ RS 1 + g m ⋅ RS
1
RVH RG RG RS +
gm
RS
RIZH RD RD
1 + g m ⋅ RS
*Enačba velja, če upor RS ni kratkosklenjen s kondenzatorjem (sicer je člen v

imenovalcu enak 1).
169
5.1.6. Vezja z JFET in bipolarnim tranzistorjem

Zaradi velike vhodne upornosti JFET nam včasih pride prav vezje, ki je sestav-
ljeno iz JFET in bipolarnega tranzistorja. Vezje lahko približno izračunamo z
uporabo poenostavljenih nadomestnih vezij. Nekaj rešitev je podanih v tabeli:
Orj. Vezje RVH RIZH AU

CS-CB UCC RG RL − g m ⋅ RL
RL
kaskadno
UBB
RG
CS-CB UDD RG RL − g m ⋅ RL
RD
kaskadno
UBB
RG RL
CD-CB UDD RG RL g m ⋅ RL
RL
UBB
RG
RE
170
CS-CE UEE RG RL hfe ⋅ g m ⋅ RL
RG RL
CD-CE UDD RG RL − hfe ⋅ g m ⋅ RL

g m ⋅ hfe
1+
RL g mt
∆I C
g mt =
∆U BE
RG RE
CS-CC UCC RG RL − g m ⋅ RL
hfe
RL
RG RE
5.1.7. JFET kot upor

JFET lahko uporabimo tudi kot napetostno spremenljiv upor. V ta namen
izkoriščamo področje v karakteristiki pod zadrgnitvijo. Vhodna napetost je
omejena na manj kot 100mV, saj pri višji napetosti že preidemo v področje
zadrgnitve. V teh mejah je upornost med izvorom in ponorom linearna in
obojestranska (pri pozitivni in negativni UDS – glej sliko 5.10).
171
UGS =0
ID -1V
-2V
-100 -50 50 100 UDS [mV]
Slika 5.10. Linearno

področje JFET.
UREG UREG
a) delilnik napetosti b) kontrola ojačenja
UREG
UREG
c) kontrola faznega zamika d) kontrola frekvence oscilatorja
Slika 5.11. JFET kot napetostno krmiljeni upor.

Nekaj možnih uporab si lahko ogledamo na sliki 5.11. V vezju a) uporabljamo
JFET kot del napetostnega delilnika (drugi del predstavlja upor R). Izhodna
napetost je določena z enačbo UIZH=UVHxRDS/(R+RDS), kjer je RDS upornost
kanala JFET.
172
V vezju b), kjer je operacijski ojačevalnik vezan kot neinvertirajoči ojačevalnik

(glej stran 209), uporabljamo JFET v povratni zanki. Ojačenje takega ojače-
valnika je določeno z enačbo: AU=1+R/RDS.
V zadnjih dveh vezjih c) in d) spreminjamo časovno konstanto, ki določa
hitrost polnjenja in praznjenja kondenzatorja: τ=RDSxC. Vezje na sliki 5.11 d)
je oscilator, ki mu spreminjamo frekvenco s spremembo RC členov.
5.1.8. JFET kot dioda

V vezjih lahko JFET uporabimo tudi kot diodo. V tem primeru morata biti
vrata G in izvor S kratko sklenjena. Tranzistor se sedaj obnaša tako, kot da bi
bila napetost UGS=0V. Tok ID na začetku narašča do napetosti nasičenja
UDSsat. Ko se kanal zadrgne, ostane tok konstanten vse do preboja. Zaradi tega
uporabimo JFET kot konstanten izvor toka. Pozorni moramo biti le na to, da
deluje tranzistor v področju nad zadrgnitvijo.
ID
D
G
S
Slika 5.12. JFET kot
UDS konstanten izvor toka.
5.1.9. MESFET
MESFET (angl. metal-semiconductor field-effect transistor) je podoben
JFETU, le da ima en sam priključek vrat, ki so izdelana iz spoja prevodnik-
polprevodnik. Polprevodnik je najpogosteje galijev arzenid (GaAs), ki
omogoča večjo mobilnost elektrin kot silicij. Zaradi tega uporabljamo ta
tranzistor pri mikrovalovnih ojačevalnikih (pri frekvencah nekaj GHz).
S G D
n+ n n+
GaAs Slika 5.13. Zgradba

MESFET.
173
5.1.10. HFET
HFET (angl. heterojunction field-effect transistor) je narejen iz več vrst pol-
prevodnega materiala. Kanal je dopiran tako, da ima širok prepovedani
energijski pas; pod kanalom leži polprevodnik, ki nima primesi in ima ožji
prepovedani pas. Tako prehajajo elektrine v priležni polprevodnik, saj je
zaradi odsotnosti primesi tu mobilnost elektrin zelo velika. HFET tranzistor je
uporaben v mikrovalovnih ojačevalnikih.
S G D
n+ n-AlGaAs n+
i-AlGaAs
i-GaAs
GaAs Slika 5.14. Zgradba HFET.
5.2. MOSFET
MOSFET tranzistorji imajo vhodno elektrodo – vrata G – galvansko ločeno od
kanala. Vrata so izdelana tako, da delujejo kot majhen kondenzator. Med
vhodno elektrodo in kanalom je tanka plast oksidnega polprevodnika, ki
deluje kot izolator oz. dielektrik. Oznaka MOS izvira iz zgradbe krmilne
elektrode: kovina-oksid-polprevodnik (angl. metal-oxide-semiconductor).
kovina (Al)
dielektrik (SiO2)
polprevodnik
Slika 5.15. MOS
kondenzator.
Oglejmo si delovanje MOS kondenzatorja. Kondenzator sestavljajo kovinska

elektroda, tanka plast dielektrika iz oksidne plasti ter druga elektroda iz
polprevodnika. Ko na tak kondenzator priključimo električno napetost, kot na
sliki 5.15, se med elektrodama ustvari električno polje. Zaradi tega se na
174
kovinski elektrodi nabere pozitivna elektrina, v polprevodniku, tik pod

dielektrikom, pa negativna. Ozek pas polprevodnika, tik pod dielektrikom,
smo obogatili z negativno elektrino in izboljšali prevodnost. Na ta način lahko
bogatimo ali siromašimo polprevodniški kanal MOS tranzistorja.
Po načinu delovanja ločimo dve vrsti MOSFET:
• MOSFET z induciranim kanalom (angl. enhancement-mode) in
• MOSFET z vgrajenim kanalom (angl. depletion-mode).
Zaradi zgradbe vhodnega priključka imajo MOSFET zelo veliko vhodno
upornost (okrog 1012 do 1014Ω). Ker je debelina dielektrika izredno majhna,
lahko tranzistor uničimo s statično elektriko. Ta je previsoka že, če priključke
tranzistorja primemo z rokami.
Vhodna elektroda predstavlja skupaj s kanalom MOSFET majhen kondenza-

tor, s pomočjo katerega lahko v polprevodniškem kanalu ustvarimo (induci-
ramo) dodatno elektrino.
5.2.1. MOSFET z induciranim kanalom

Simbol in zgradba tranzistorja z n-kanalom sta prikazana na sliki 5.16. Na
polprevodniku p-tipa, v katerem je kanal n-tipa, je dodaten priključek B (angl.
bulk). Ta je v notranjosti spojen na izvor S in služi za to, da delujeta
polprevodnik in vhodna elektroda kot majhen kondenzator.
S G D
D
n n
G p
S
Slika 5.16. MOSFET z induciranim kanalom.
175
Ko med izvor S in ponor D priključimo električno napetost, bo eden od pn

spojev zaporno polariziran (na spodnji sliki to velja za pn spoj ob ponoru).
Brez priključene vhodne napetosti teče skozi kanal zanemarljivo majhen tok.
Ko med vrati G in izvorom S priključimo napetost, kot kaže slika 5.17, se na
elektrodi vrat nabere pozitivna elektrina, v polprevodniku tik pod dielektrikom
pa negativna. Če je vhodna napetost dovolj velika, se v kanalu nabere dovolj
veliko število negativne elektrine, da začne kanal prevajati. Čim večja je
vhodna napetost, tem več elektrine se nabere v kanalu in kanal bolje prevaja.
UDS
UGS ID
ID
D S G D
G UDS
n n
UGS S
p
B inducirana elektrina
Slika 5.17. Priključitev MOSFET z induciranim kanalom.
Napetosti na vhodu, pri kateri začne kanal prevajati, pravimo pragovna nape-
tost UT (angl. threshold voltage). Ko na vhodu dosežemo pragovno napetost,
se v kanalu nabere dovolj elektrin, da skozenj steče ponorski tok.
Količina v kanalu induciranih elektrin je odvisna od napetosti med vhodno
elektrodo G in kanalom. Ko med izvor S in ponor D priključimo napetost UDS,
se v kanalu inducirana elektrina neenakomerno porazdeli. Poglejmo, kaj se
dogaja, ko je napetost med vrati in izvorom UGS večja od napetosti med
izvorom in ponorom UDS. Napetostna razlika med kanalom in elektrodo vrat
G ni povsod enaka (zaradi priključene UDS) in je najmanjša v tistem delu
kanala, ki je na višjem potencialu, torej ob ponoru D. V tem delu je zato manj
inducirane elektrine. Če napetost UDS sedaj povečujemo, se število elektrin ob
ponoru D zmanjšuje. Ko dosežemo določeno vrednost, ki ji pravimo napetost
nasičenja UDSsat, je induciranih elektrin pri ponoru D premalo in kanal se tu
preščipne. Če napetost UDS še povečujemo, ponorski tok ID ne narašča več,
temveč ostaja skoraj konstanten.
176
ID [mA] ID [mA]
UGS =6V
6 6
4 5V 4
2 4V 2
3V UT
5 10 15 UDS [ V] 2 4 6 UGS [ V]
Slika 5.18. Karakteristika MOSFET z induciranim kanalom.
Ko je vhodna napetost dovolj velika, se v kanalu inducira dovolj veliko število

elektrin in kanal začne prevajati. Pri napetosti nasičenja med izvorom in
ponorom pa se kanal preščipne. Tu postane ponorski tok skoraj konstanten,
odvisen le od vhodne napetosti.
5.2.2. MOSFET z vgrajenim kanalom

MOSFET z vgrajenim kanalom ima med izvorom S in ponorom D vgrajen
kanal iz n-tipa polprevodnika. Zaradi tega kanal prevaja tudi, če na vhodu ni
napetosti. Pozitivna vhodna napetost na vratih G obogati kanal z negativno
elektrino, zato kanal bolje prevaja. Nasprotno pa negativna napetost na
vhodnem priključku povzroči osiromašenje kanala (število negativih elektrin se
zmanjša), zato kanal slabše prevaja.
S G D
D
n n
G p
S
Slika 5.19. MOSFET z vgrajenim kanalom.
177
Kanal se preščipne pri določeni napetosti med izvorom in ponorom, ki ji

pravimo napetost nasičenja UDSsat. Z naraščanjem napetosti UDS se sedaj
ponorski tok ID več ne spreminja (ostaja skoraj konstanten).
ID [mA] ID [mA]
UGS =4V
6 6
4 2V 4
2 0V
-2V UT
5 10 15 UDS [ V] -2 0 2 UGS [ V]
Slika 5.20. Karakteristika MOSFET z vgrajenim kanalom.
Pri MOSFET z vgrajenim kanalom lahko z vhodno napetostjo ta kanal bodisi

bogatimo z elektrino bodisi siromašimo.
5.2.3. Nastavitev delovne točke MOSFET

Delovno točko pri MOSFET nastavimo zelo podobno kot pri JFET, pri tem pa
moramo vedeti, ali imamo opravka s tranzistorjem z induciranim kanalom ali
pa gre za tranzistor z vgrajenim kanalom. MOSFET z induciranim kanalom
potrebuje med vhodnim priključkom G in izvorom pozitivno prednapetost (če
je tranzistor z n-kanalom). MOSFET z vgrajenim kanalom pa prevaja, tudi če
med vrati in izvorom ni nobene napetosti.
5.2.4. MOSFET z dvoje vrati

Vhodna elektroda tvori skupaj s kanalom majhen kondenzator, ki omejuje
zgornjo mejno frekvenco. Na ojačenje MOS tranzistorja pri višjih frekvencah
vpliva tudi kapacitivnost med elektrodo vrat in ponorom. Preko te kapacitiv-
nosti se signal, ki je na izhodu ojačan, vrača ponovno na vhod. Pri MOS
tranzistorjih, ki jih uporabljamo za visokofrekvenčne ojačevalnike, je ta pojav
178
nezaželjen, zato imajo vhodno elektrodo razdeljeno na dve elektrodi.

Tranzistor vežemo tako, da imamo dejansko opraviti s kaskadnim ojačeval-
nikom z dvema MOSFET tranzistorjema. Prva elektroda G1 je priključena na
vhod, medtem ko je druga G2 preko kondenzatorja speljana na maso. Slednja
prepreči, da bi se signal vračal iz ponora nazaj na vhodno elektrodo G1.
G2 +9V
G1
S 47K 1-12p
S G1 G2 D
3N201
1-12p 270
n n 47K 1n
p 1n
Slika 5.21. MOSFET z dvoje vrati.
5.2.5. Močnostni MOSFET

Močnostni MOS tranzistorji so narejeni tako, da vzdržijo velike tokove in
visoke prebojne napetosti. Imeti morajo zelo majhne upornosti, da je izgubna
moč čim manjša. Ker velja, da ima kanal z majhnim presekom manjšo
upornost od tistega z večjim, so močnostni MOS tranzistorji izdelani tako, da
imajo zelo ozek kanal in čim manjše kapacitivnosti.
DMOS (angl. double diffused MOS) ima zelo ozek kanal, ki poteka tik pod
izvorom. Proizvajalci dosežejo ozek kanal takole: v polprevodnik, kjer bo
nastal izvor, najprej difundirajo akceptorje iz bora, ki ustvarijo kanal. Takoj za
tem difundirajo donorje iz fosforja, ki ustvarijo izvor. Ker bor hitreje difundira
v polprevodnik, se okrog izvora ustvari ozek kanal.
179
S G D
n+ n+
p n-
Slika 5.22. Zgradba DMOS
kanal
debelina kanala tranzistorja.
V HEXFET poteka tok navpično skozi strukturo. Zaradi tega se lahko priključ-
ka izvora in ponora razprostirata po celotni površini tranzistorja (eden je na
vrhu substrata, drugi spodaj). Na površini, tik pod izvorom, je priključek za
vrata, izdelan v heksagonalnih oblikah. Elektroni potujejo iz izvora preko ka-
nala na mesta, kjer je izdelan priključek vrat, do ponora (glej puščice na sliki
5.23). Na teh mestih je kanal zelo ozek.
izvor
vrata
izolator vrata
izvor
n n n
p p p
n kanal
n+
Slika 5.23. Zgradba
ponor HEXFET.
180
VMOS tranzistor je dobil ime po obliki vhodne elektrode, ki v obliki črke V

sega globoko v polprevodnik. Tako obliko kanala dosežejo z jedkanjem takega
polprevodniškega substrata (osnove), ki ima kristalno strukturo orientirano
pod določenim kotom. Na ta način dobimo zelo majhno debelino kanala.
VMOS tranzistorji so narejeni za velike gostote toka.
izvor vrata
n n
p p
kanal
n
n+ Slika 5.24. Zgradba VMOS
ponor tranzistorja.
5.2.6. CMOS tranzistorja

CMOS je vezje, sestavljeno iz dveh komplementarnih (angl. complementary)
MOSFET. (Komplementarna tranzistorja sta tranzistorja nasprotnih tipov, a z
zelo podobnimi karakteristikami. V delovanju se dopolnjujeta – odtod ime
komplementarna.) CMOS vezja najdemo v digitalnih integriranih vezjih.
Njihova prednost je v majhni potrošnji električne moči in v enostavni izdelavi.
CMOS troši električno moč le v fazi preklopa, zato se segrevanje integriranega
vezja veča sorazmerno s kvadratom frekvence.
UDD UVH
ID
t
ID
Slika 5.25. CMOS vezje.
181
Ko je na vhodu nizek napetostni potencial, prevaja tranzistor s p-kanalom, na

izhodu pa je pozitiven potencial. Ko na vhod priključimo pozitiven električni
potencial, se odpre tranzistor z n-kanalom, medtem ko se tisti s p-kanalom
zapre in izhod je na potencialu mase.
5.2.7. FAMOS tranzistor

FAMOS tranzistorje (angl. floating-gate avalanche MOS) uporabljamo pri
EPROM pomnilniških vezjih (angl. erasable, programmable read-only memo-
ry). To so digitalna integrirana vezja, ki jih uporabljamo za trajno shranjevanje
podatkov.
izolirana vrata
S D
1.) vpis p p
n
S D
2.) pomnenje p p
n
UV
S D
3.) brisanje p p Slika 5.24. FAMOS

n tranzistor in EPROM
vezje z odprtino.
182
Prednost teh vezij je, da se podatki, ko jih vpišemo, ohranijo tudi po izklopu
napajalne napetosti. Oznaka ROM (angl. read-only memory) pomeni, da iz
njih lahko podatke le beremo, ne moremo pa jih poljubno spreminjati. Kljub
temu pa EPROM lahko zbrišemo, če ga izpostavimo ultravijolični svetlobi.
Zato imajo integrirana vezja na površini prozorno odprtino.
FAMOS tranzistor ima izolirana polprevodniška vrata. Ko med izvor in ponor
priključimo dovolj visoko napetost, povzročimo plazoviti preboj pn spoja med
kanalom in ponorom (slika 5.24). Elektroni, ki prodrejo skozi pn spoj, imajo
zaradi velike električne poljske jakosti tolikšno energijo, da zlahka prodrejo
tudi skozi tanko izolacijsko plast v izolirana vrata. Zaradi tega se v izolirani
elektrodi vrat nabere veliko prostega naboja, ki povzroči, da kanal tranzistorja
prevaja. Ker so vrata izolirana, ostanejo elektrine v njej ujete tudi potem, ko
izključimo napajalno napetost. S tem, ko v nekatera vrata vnesemo naboj, v
druga pa ne, vpišemo v pomnilniško vezje dvojiške podatke. Podatki ostanejo,
seveda če jih prej ne zbrišemo z UV svetlobo, v vezju zapisani za daljši čas.
5.2.8. Tranzistor z izoliranimi vrati ali IGBT

IGBT (angl. insulated-gate bipolar transistor) je tranzistor, sestavljen iz dveh:
MOSFET in bipolarnega tranzistorja. Tako združimo prednosti obeh
tranzistorjev. IGBT se na vhodu obnaša kot MOS tranzistor, na izhodu pa kot
bipolarni tranzistor z zelo široko bazo.
C C
vrata emitor vrata

ali
G G
n n
p
E E
n baza
C
nadomestno vezje: p+
kolektor
G
Slika 5.27. Simbola in zgradba IGBT.
183
Ker je vhodna elektroda izolirana kot pri MOSFET, je vhodna upornost

tranzistorja zelo velika. Na izhodu, kjer ima IGBT zgradbo bipolarnega
tranzistorja, je upornost odprtega tranzistorja zelo majhna. Zaradi tega je
majhna tudi izgubna moč tranzistorja.
Na sliki 5.27 je tranzistor z n-kanalom. IGBT ima visoke prebojne napetosti
(>500V) in omogoča velike gostote toka (>20A). Uporaben je za napetostne
pretvornike, močnostne krmilnike ter ojačevalnike. Po času preklopa poznamo
počasne in hitre IGBT. Zaradi tanke oksidne plasti zelo visoke vhodne
upornosti obstaja nevarnost, da jih uničimo s statično elektriko.
VPRAŠANJA
1. V čem se razlikujejo unipolarni tranzistorji od bipolarnih?
2. Kakšna je zgradba JFET? Kako krmilimo ponorski tok pri JFET?
3. Opiši dogajanje v JFET pred zadrgnitvijo kanala in po njej!
4. Kaj je transkonduktanca tranzistorja?
5. Kaj je tok nasičenja JFET IDSS?
6. Kako lahko uporabimo JFET kot izvor konstantnega toka?
7. Kako stabiliziramo delovno točko pri JFET?
8. Kaj pomeni kratica MOSFET? Kako so MOSFET zgrajeni?
9. Kakšne so lastnosti MOSFET v primerjavi z JFET?
10. Kaj je pragovna napetost?
11. Zakaj moramo biti pazljivi, ko delamo z MOSFET?
12. Kakšna je razlika med MOSFET z induciranim kanalom in MOSFET z
vgrajenim kanalom?
13. Kakšno lastnost ima MOSFET z dvoje vrati?
14. Kaj je CMOS, kje ga uporabljamo? Od česa je odvisna potrošnja moči
tega vezja?
15. Kaj je IGBT in kakšne lastnosti ima?
184
NALOGE
1. Izračunaj upornosti uporov RG, RD in RS na sliki 5.8 a) tako, da bo delovna
točka tranzistorja na sredini delovne premice (UGS=UP/2). Vrednosti so:
UDD=16V, IDSS=24mA, gmo=12mS, ID=5mA in RVH=1MΩ! (Odg.: 1MΩ,
1,2kΩ in 400Ω)
2. Izračunaj upornosti uporov RL, RS in RE vezja na sliki! Delovna točka
bipolarnega tranzistorja naj bo na sredini delovne premice, podatki pa so:
ID=2mA, UGS=-2V, IC=6mA, β=120, UCC=12V. (Odg.: 2,58kΩ, 1kΩ,
1kΩ)
12V
RL
6V
1M RE
RS
3. Izračunaj ojačenje ojačevalnika iz predhodne naloge, če vemo, da ima uni-

polarni tranzistor gmo=15mS ter UP=-5V! (Odg.: -23)
4. Izračunaj vhodno upornost, izhodno upornost in napetostno ojačenje
ojačevalnika z JFET v orientaciji s skupnimi vrati, če so: RD=6,8kΩ,
RS=470Ω, ID=5mA, gmo=14mS in UP=-5V! (Odg.: 605Ω, 6,8kΩ, 11,2)
5. Izračunaj velikost izhodne napetosti, če je +UDD
napetost generatorja UG=2mV in trans-
konduktanca tranzistorja gm=5mS! (Odg.: 10K
82,45mV)
10M
2mV 47M
185
186
KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI
Poglavje 6
KRMILNI
POLPREVODNIŠKI
ELEMENTI
Krmilni polprevodniški elementi, ki jih bomo opisali v tem poglavju, niso
namenjeni ojačenju, temveč krmiljenju tokov v vezju. Narejeni so tako, da
imajo dve stanji: vključeno in izključeno. Zato nas bo zanimalo predvsem
dogajanje ob vklopu in izklopu elementa.
6.1. ENOSPOJNI TRANZISTOR ALI UJT

UJT (angl. unijunction transistor) sestavlja polprevodniški kanal, ki mu
pravimo tudi baza, z dvema priključkoma: B1 in B2. Edini pn spoj naredijo z
majhnim vložkom p-tipa nekje blizu sredine kanala. Krmilna elektroda, ki je
pritrjena na p vložek, se imenuje emitor.
Ko na bazna priključka priključimo napetostni vir UBB, se baza obnaša kot
upor. Delovanje v notranjosti UJT si lažje predstavimo na nadomestnem vezju
(glej sliko 6.2), ki je sestavljeno iz dveh uporov in diode. Padec napetosti med
187
emitorjem in priključkom B1 je manjši, kot je napetost vira UBB in je odvisen

od položaja emitorja v bazi. Proizvajalec podaja faktor η, ki je definiran kot:
rB1
η=
rB1 + rB2
Z njegovo pomočjo lahko izračunamo napetost med emitorjem in bazo:
U P = η ⋅ U BB
B2
B2
E n
E p
B1
Slika 6.1. Simbol in zgradba
B1
UJT tranzistorja.
Ko je na vhodu, med emitorjem in bazo, napetost manjša kot UP, je tok skozi
emitor zanemarljivo majhen. V trenutku, ko vhodna napetost preseže omenje-
no vrednost, postane pn spoj med emitorjem in bazo prevoden in steče emitor-
ski tok.
IE
B2
rB2
E
rB1 UP
UBE UBB UV
B1
UBE
Slika 6.2. Priključitev, nadomestno vezje in karakteristika UJT.
188
Emitorski tok povzroči, da se v bazi poveča število prostih elektrin, zato

postane prevodnejša. Napetost med emitorjem in bazo hitro pade – tranzistor
je v področju negativne upornosti (od vrednosti UV do UP na sliki 6.2). Ta
pojav zaznamo takoj po vklopu tranzistorja.
UE
UP
R
UV
UBB t
UE C UB
UB
Slika 6.3. Vezje oscilatorja z UJT.
Področje z negativno upornostjo, ki se pojavi ob vklopu UJT, najpogosteje

izrabimo za oscilator. Vezje na sliki 6.3 je RC oscilator. Ob vklopu je konden-
zator C prazen, tranzistor je zato zaprt. Kondenzator C se postopoma polni
preko upora R, zato napetost med emitorjem in bazo narašča. Ko ta doseže
prevodno napetost UP, se UJT odpre in skozi emitor steče tok. Ker se
prevodna napetost med emitorjem in bazo zniža, se kondenzator naglo sprazni
skozi emitor. Če je upornost upora R dovolj velika, je tok skozi upor
premajhen, da bi zadržal tranzistor odprt, zato se ta zapre. Spoj med emi-
torjem in bazo ne prevaja več, zato se kondenzator ponovno polni. Frekvenco
takega oscilatorja lahko izračunamo s pomočjo približne enačbe:
1
f=
 1 
R ⋅ C ⋅ ln 
 1 − η
189
Primer
Za UJT 2N3980 (η=0,73) izračunajmo kapacitivnost kondenzatorja C tako, da
bo frekvenca oscilatorja f=100Hz! Upor R ima upornost 93kΩ.
1
C= =
R  1 
93K R ⋅ f ⋅ ln 
 1 − η
UBB 1
= = 82 nF
 1 
93kΩ ⋅ 100Hz ⋅ ln 
C  1 − 0,73 
6.2. ENOSPOJNI TRANZISTOR Z MOŽNOSTJO

PROGRAMIRANJA ALI PUT
Zgradba PUT (angl. programmable unijunction transistor) je zelo podobna
tiristorju (obravnavali ga bomo kasneje), vendar je delovanje podobno UJT.
PUT je sestavljen iz štirih slojev polprevodnika pnpn, iz katerega molijo trije
priključki: anoda A, katoda K in vrata G.
IE
A
p
A G n
G
p
n UP
UV
K
K UBE
Slika 6.4. Simbol, zgradba in karakteristika PUT.
190
PUT prevaja šele takrat, ko je napetost med anodo in katodo UAK višja od
napetosti med vrati in katodo UGK. Takrat se anodni tok IA skozi tranzistor
poveča, medtem ko napetost UAK pade. V karakteristiki opazimo to kot
področje z negativno upornostjo. Zaradi tega PUT lahko uporabimo v vezju
oscilatorja, podobno kot UJT.
R2
UAK
R1
Slika 6.5. Vezje s PUT.
Napetost, pri kateri začne PUT prevajati, nastavimo s pomočjo zunanjih upo-
rov R1 in R2, zato se ta tranzistor imenuje tudi tranzistor z možnostjo
programiranja. Tako je sedaj:
R2
η=
R1 + R2
6.3. DVOSMERNA DIODA

Dvosmerna dioda (angl. bilateral trigger diac) je sestavljena iz treh plasti
polprevodnika, podobno kot bipolarni npn tranzistor. Dioda je dvosmerna, to
pomeni, da ima podobne karakteristike, ne glede na to, kako jo obrnemo.
Ko na dvosmerno diodo priključimo napetost, je eden od pn spojev priključen
v zaporno smer. Zato je tok skozi diodo zanemarljivo majhen. Ko pa je
napetost dovolj velika, zaporno polarizirani spoj prebije s plazovito ionizacijo
in skozi diodo steče večji tok. Pn spoj, ki je bil prej neprevoden, sedaj prevaja,
zato se napetost na diodi zniža. To sovpada s področjem z negativno upor-
nostjo na diagramu. Diodo ponovno zapremo tako, da znižamo napetost na
njenih priključkih pod t.i. držalno vrednost. Diodo uporabljamo predvsem kot
vžigni element za tiristorje in triace.
191
n p n
U
Slika 6.6. Simbol, zgradba in karakteristika dvosmerne diode.
6.4. DIODNI TIRISTOR

Diodni tiristor (ali Shockleyjeva dioda) je sestavljen iz štirih plasti polpre-
vodnika, ki si izmenoma sledijo. Ko je v prevodni smeri anoda priključena na
pozitivno, katoda pa na negativno napetost, sta dva pn spoja priključena v
prevodno smer, medtem ko je srednji pn spoj priključen v neprevodno smer.
IA
A
A p
n IH
p UAK
K n UBO
Slika 6.7. Simbol, zgradba in karakteristika diodnega tiristorja.
192
Ko je na priključkih diode dovolj velika napetost – t.i. prevesna napetost –,

srednji pn spoj prebije s plazovito ionizacijo. Tok skozi diodo strmo naraste in
upornost diode se naglo zniža. Dioda postane prevodna, njena prevodna
napetost pa je majhna (med 1 in 2V). Če diodi ne omejimo toka, jo uničimo.
Diodo ugasnemo tako, da napetost na njej znižamo. Ko se tok diode zniža pod
vrednost, ki ji pravimo držalni tok IH, dioda ugasne. Ta postane ponovno
neprevodna, vse do ponovnega preboja.
A A
p
IB1
n n
p p
IB2
n
Slika 6.8. Ponazoritev delo-
vanja diodnega tiristorja z
K K
dvema tranzistorjema.
Delovanje diodnega tiristorja si lažje razložimo, če štiri sloje polprevodnika

razdelimo na dva bipolarna tranzistorja (slika 6.8). Prvi je pnp, drugi pa npn.
Ko diodni tiristor prevaja, se bazna tokova povečata, zato se tranzistorja
odpirata. Dodatno odpiranje tranzistorjev povzroči, da se bazni tok še poveča.
Ko diodni tranzistor enkrat prevaja, sta oba tranzistorja odprta. Če napetost
sedaj nižamo, sta bazna tokova še vedno dovolj velika, da držita tranzistorja
odprta. Ko pa tranzistorja enkrat zapremo, bazna tokova ne tečeta več, vse
dokler diodni tiristor ponovno ne prebije.
6.5. DVOSMERNI DIODNI TIRISTOR ALI DIAC

Dvosmerni diodni tiristor (angl. bilateral diode switch) ali diac se obnaša kot
obojestranski diodni tiristor. Karakteristika elementa je tako simetrična za obe
smeri toka.
193
IA
A2
A2 n
p
IH
n
UAK
A1 p UBO
n
A1
Slika 6.9. Simbol, zgradba in karakteristika diaca.
Diac lahko vključimo (ali vžgemo) v obeh smereh tako, da presežemo pre-
vesno napetost. Izključimo (ali ugasnemo) pa ga tako, da znižamo napetost na
priključkih. Ko se tok, ki teče skozi diac, zniža pod vrednost držalnega toka,
diac ugasne. Če strukturo diaca vzdolžno prerežemo na polovico, potem vidi-
mo, da je sestavljen iz dveh vzporedno vezanih pnpn diod.
A2 A2
n n
p
p p
n n n
p p
p
n n
A1 Slika 6.10. Ponazoritev

A1 zgradbe diaca.
194
6.6. TIRISTOR
Tiristor ima vlogo krmiljenega
stikala. Zaprt toka ne prevaja,
lahko pa ga s pomočjo dodatne
krmilne elektrode ali vrat G
vžgemo in postane prevoden. S
tiristorjem krmilimo tok skozi
najrazličnejše porabnike, najde-
mo ga tudi v usmernikih. Ti- Slika 6.11.
ristorjev je več vrst. Omenili Oblika dveh
bomo le nekaj najvažnejših. različnih
tiristorjev.
6.6.1. Zaporno neprevodni tiristor ali SCR

Zaporno neprevodni tiristor (angl. reverse blocking thyristor) ali SCR (angl.
silicon-controlled rectifier) je zgrajen iz štirih plasti polprevodnika pnpn, na
katerih sta priključka anoda A in katoda K. Na notranjem p-sloju je dodaten
priključek, ki ga imenujemo vrata G.
IA
A
A p
n IH
G G p UAK
K n UBO
Slika 6.12. Simbol, zgradba in karakteristika tiristorja.
195
Delovanje je podobno delovanju diodnega tiristorja. Priključen v zaporni

smeri ne prevaja, saj ima v zaporni smeri usmerjena kar dva pn spoja. V
prevodni smeri je zaporno polariziran le srednji pn spoj. Razlika med diodnim
tiristorjem in tiristorjem je ta, da v primeru električnega preboja srednjega
spoja tiristor uničimo, diodnega tiristorja pa ne!
Ko priključimo na vrata G pozitivno napetost glede na katodo, teče skozi
vhodni priključek v tiristor majhen tok. Zaradi injiciranih nosilcev naboja v p-
plast se zniža vžigna napetost tiristorja – tiristor torej lahko vključimo z dovolj
velikim vhodnim tokom. Ko se tiristor vključi, tok med anodo in katodo strmo
naraste in prevodna napetost se zniža. Če toka ne omejimo, tiristor uničimo.
Tok skozi tiristor teče tudi tedaj, ko na vhodu ni več vžignega toka! Izključimo
ga le tako, da spustimo napetost med anodo in katodo. Ko anodni tok doseže
dovolj majhno vrednost, ki ji pravimo držalni tok, se tiristor sam izključi.
Vžigno napetost spreminjamo z vhodnim tokom IG. Čim večji je, pri nižji
napetosti se tiristor vključi.
IA
IG3 >IG2 I >0

G2 IG1 =0
Slika 6.13. Sprememba
vžigne napetosti pri različnih
UAK vhodnih tokovih tiristorja.
Ko tiristor izključimo, se lahko zgodi, da se pri takojšnjem povišanju napetosti

med anodo in katodo samodejno vključi. To pa zato, ker se ob izključitvi
tiristorja v notranjosti zadržuje še velika količina nosilcev naboja, ki se ne
uspejo takoj rekombinirati. Po izključitvi mora najprej preteči določen čas
(imenujemo ga sprostitveni čas), šele nato lahko napetost naraste, ne da bi se
tiristor brez krmilnega toka samodejno vključil.
Hitra sprememba napetosti med anodo in katodo poveča zaporni tok srednje
plasti (to se zgodi zaradi notranje kapacitivnosti), kar spet lahko povzroči
196
samodejen vžig tiristorja, čeprav na vhodu ni krmilnega toka. Zato je

dovoljena hitrost spremembe priključene napetosti omejena.
Prehitro naraščanje toka pri vžigu tiristorja povzroči toplotno preobremenitev
notranjega spoja, kar uniči tiristor. Zato proizvajalci podajajo največjo dovolje-
no strmino naraščanja toka (podatek di/dt).
Podobno moramo paziti na dovoljeno temensko napetost tiristorja. Pri krmil-
jenju induktivnih bremen se lahko zgodi, da se pri izklopu v bremenu inducira
napetost (zaradi lastne indukcije), ki preseže dovoljeno temensko napetost in
uniči tiristor.
Tiristor si lahko predstavljamo kot elektronsko stikalo. Ima tri priključke:

anodo A, katodo K in vrata G. Vključimo ga s pomočjo toka na vratih, izklju-
čimo pa tako, da spustimo anodni tok pod določeno mejo, ki ji pravimo držalni
tok. Tako kot dioda lahko tiristor prevaja tok le v eno smer.
6.6.2. Tiristor z možnostjo ugašanja ali GTO

A
Tiristor z možnostjo ugašanja (angl. gate turn-off thyristor)
deluje na enak način kot zaporno neprevodni tiristor, ki smo
ga spoznali v prejšnjem razdelku. Vključimo ga z dovolj G
velikim vhodnim tokom na vratih G, izključimo pa tako, da
spustimo anodni tok pod držalno vrednost. Poleg tega pa ga K
lahko izključimo tudi s pomočjo dovolj velikega nasprotno Slika 6.14.
usmerjenega toka na vhodnem priključku G. Simbol GTO.
6.6.3. Tetrodni tiristor ali SCS

Tetrodni tiristor (angl. silicon controlled switch) ima dodaten, A
četrti vhodni priključek (odtod tudi ime »tetrodni«). Le-ta GA
služi zato, da ga lahko med prevajanjem izključimo. Vhodni
priključek, s katerim ga vključimo, je bližji katodi, zato ga GK
označimo z GK. Dodaten vhodni priključek, s katerim ga K
ugasnemo, pa je bližji anodi, zato ga označimo z GA. Tetrodni
tiristorji so po delovanju enaki zaporno neprevodnim, le da so Slika 6.15.
narejeni za manjše moči. Simbol SCS.
197
6.6.4. Zaporno prevodni tiristor ali RCT A

Pri RCT tiristorju (angl. reverse conducting thyristor) je
vzporedno dodana dioda, tako da vezje v zaporni smeri sedaj
prevaja. RCT največ uporabljamo v pretvornikih z nihajnimi G
krogi nižjih frekvenc, kjer želimo doseči večje moči. K
Slika 6.16.
6.7. TRIAC Simbol RCT.
Triac si lahko predstavljamo kot dva vzporedno vezana tiristorja, obrnjena

vsak v svojo stran. Na ta način lahko triac vključimo (ali vžgemo) v obeh
smereh. Osnovna priključka sta ponekod označena kot anoda A in katoda K,
drugod kot prva anoda A1 in druga anoda A2. Vhodni priključek je skupen in
ga imenujemo vrata G. Vključimo ga lahko tako s pozitivnim kot z negativnim
napetostnim impulzom na vhodnem priključku. Ugasnemo ga enako kot
tiristor. Ko se anodni tok IA spusti pod vrednost držalnega toka IH, se triac sam
izključi. Triacov je več vrst, med njimi npr. samoprožilni triac, ki ima na vratih
vgrajen diac.
IA
A2
A2 n
p
IH
n
G UA
p
A1 n n UBO
G A1
Slika 6.17. Simbol, zgradba in karakteristika triaca.
198
Triac je po delovanju enak tiristorju, le da prevaja električni tok v obeh

smereh. Predstavljamo si ga lahko kot dva tiristorja, ki sta vezana vzporedno,
obrnjena vsak v svojo smer.
6.8. NAČIN UPORABE TIRISTORJA IN TRIACA

Tiristor in triac lahko v vezju uporabimo kot elektronsko stikalo. V vezju na
sliki 6.18 uporabljamo tiristor kot tokovno varovalko. Ko pritisnemo na tipko,
steče skozi upor RG tok, ki vžge tiristor in tok steče skozi breme. Upornost
upora RS je zelo majhna. Ko padec napetosti na tem uporu doseže približno
0,7V, se bipolarni tranzistor odpre. Tok, ki je prej tekel skozi tiristor, steče
sedaj skozi tranzistor in tiristor ugasne. Upor RS izračunamo iz enačbe:
RS=0,7V/IMAX.
RS
RG Slika 6.18. Tokovna
varovalka.
V izmeničnih tokokrogih lahko potrošnjo moči na porabniku spreminjamo s

pomočjo fazne regulacije, ki jo dosežemo s tiristorjem ali triacom. Pri tem
spreminjamo čas vklopa vezja v posamezni polperiodi (slika 6.19). Krmilno
vezje določa trenutek vklopa tiristorja ali triaca, medtem ko se ugasneta sama
vsakokrat, ko izmenična napetost pade na 0.
Primer vezja za regulacije moči na žarnici s fazno regulacijo prikazuje slika
6.20. Triac lahko vžgemo le do polovice polperiode (do 90°), saj se vžge, ko tok
na vhodnem priključku naraste na določeno vrednost. Regulacijo vklopa v
drugi polovici polperiode (ko tok pada) pa dosežemo tako, da s pomočjo RC
členov zakasnimo napetost na prožilnem elementu. V našem primeru pred-
stavlja vžigni element diac, ki poskrbi za tokovni impulz na vhodu triaca.
199
IA
IA
KRMILNO
VEZJE t
vžig ugasnitev
IA
IA
KRMILNO
VEZJE t
Slika 6.19. Krmiljenje moči na bremenu s pomočjo fazne regulacije.
2K2
1/2W
TRIAC
100K DIAC
100n 400V, 3A
220V
15K
100n 100n
Slika 6.20. Regulacija moči na žarnici.
200
Primer
S tiristorjem krmilimo tok skozi ohmsko breme. Napetost UG na krmilni
elektrodi je naravnana tako, da se tiristor vžge pri napetosti UAK=180V.
Izračunajmo velikost periode, v kateri teče tok skozi breme (iskano periodo
podamo s kotom α). Napajalna napetost je sinusne oblike in znaša UEF=220V.
IA
R IA
t
UG
Pred vžigom tiristorja je tok skozi breme R praktično nič, zato na bremenu ni
padca napetost. Tako je v zanki generator-breme-tiristor praktično celoten
padec napetosti med anodo in katodo. Tiristor vžge, ko je napajalna napetost
enaka vžigni napetosti UAK=180V.
U M = U EF ⋅ 2 = 220 V ⋅ 2 = 311V
U AK = U M ⋅ sin(ω ⋅ t ) = U M ⋅ sin φ
U AK 180V
sin φ = = = 0,5787
UM 311V
φ = 35°
Kot α se začne ob času vžiga in traja, dokler napetost vira ne pade na 0:
α = 180°−φ = 145°
201
Primer
Izračunajmo upornost upora R, da bo triac vžgal pri zasuku napetosti φ=45°
(diac ima vžigno napetost UD=±32V)!
R
220V
C
100n
Zasuk napetosti, ki jo povzroči RC člen, izračunamo po enačbi:

R
tg ϕ = =ω ⋅C⋅ R
XC
Poleg zasuka RC člena je vžig zakasnjen še zaradi vžigne napetosti diaca, ki
znaša:
U M = U EF ⋅ 2 = 220 V ⋅ 2 = 311V
UD 32 V
sin α = = ⇒ α = 5,9°
U M 311V
Tako znaša zasuk, ki ga mora povzročiti RC člen:
ϕ = φ − α = 45°−5,9° = 39,1°
Sedaj lahko izračunamo upornost upora:
tg ϕ tg ϕ 0,812
R= = = = 25,8kΩ
ω ⋅ C 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ C 2 ⋅ π ⋅ 50Hz ⋅ 0,1µF
202
VPRAŠANJA
1. Kakšen je namen krmilnih polprevodniških elementov?
2. Kako pri UJT določimo napetost, ko začne prevajati?
3. Zakaj se PUT imenuje »tranzistor z možnostjo programiranja«?
4. Kako vključimo in izključimo diodni tiristor? Kaj je držalni tok?
5. Kako vključimo in izključimo tiristor? Kakšna je bistvena razlika pri vklo-
pu med diodnim tiristorjem in tiristorjem?
6. Kako je vžigna napetost odvisna od vhodnega toka tiristorja?
7. Kaj je sprostitveni čas pri tiristorju?
8. Kaj se lahko zgodi pri hitri spremembi napetosti med anodo in katodo
tiristorja?
9. Zakaj proizvajalci podajajo največjo dovoljeno strmino naraščanja toka
tiristorja?
10. Kako deluje tetrodni tiristor ali SCS?
11. Kakšna je razlika med tiristorjem in triacom?
12. Kaj je fazna regulacija moči?
203
204
LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA
Poglavje 7
LINEARNA
INTEGRIRANA
VEZJA
Integrirana vezja so vezja, sestavljena iz več
elementov, ki so vsi izdelani na skupnem
polprevodniku (substratu) ali na skupni
izolacijski podlagi. Integrirano vezje je zapr-
to v ohišju s podnožjem. Izdelujejo jih z
različnimi tehnološkimi postopki: tako loči-
mo monolitna, tankoplastna, debeloplastna
in hibridna integrirana vezja.
Pri monolitnem integriranem vezju so vsi

elementi izdelani na enem kosu polprevodnika. Med seboj so spojeni s tanko
kovinsko plastjo na površini polprevodnika.
Pri tankoplastnem integriranem vezju (angl. thin-film) so pasivni elementi iz-
delani iz različnih uporovnih in prevodnih plasti, ki so nanešene na izolacijsko
podlago. Posamezne elemente izdelajo s pomočjo selektivnega odstranjevanja
z jedkanjem.
205
Debeloplastno integrirano vezje (angl. thick-film) se razlikuje od tankoplast-

nih po tem, da so elementi na podlago natiskani. S postopkom sitotiska
nanašajo na osnovo paste, ki imajo določene prevodne lastnosti. Ko ploščico
segrevajo, organske snovi v pasti zgorijo in pasta otrdi.
Hibridno integrirano vezje predstavlja kombinacijo med omenjenima tehnolo-
gijama. Ker s tankoplastno in debeloplastno tehnologijo ne moremo izdelati
polprevodniških elementov (diod, tranzistorjev in ostalih), so le-ti izdelani z
monolitno tehnologijo in dodani v vezje. Vse skupaj še zaprejo v skupno ohišje
s podnožjem.
Poznamo monolitno, tankoplastno, debeloplastno in hibridno tehnologijo inte-

griranih vezij. Z monolitno tehnologijo izdelujemo elemente v polprevodniku,
s tankoplastno in debeloplastno pa pasivne elemente (predvsem upore) na
ploščici iz izolanta.
Linearna integrirana vezja služijo za obdelavo ali generiranje analognih sig-
nalov. Poznamo tudi digitalna integrirana vezja, ki služijo za obdelavo in
generiranje digitalnih signalov. Tipičen predstavnik linearnih integriranih vezij,
ki ga zelo pogosto srečujemo, je operacijski ojačevalnik, zato si ga bomo
podrobneje ogledali.
Slika 7.1. Različne oblike

ohišij monolitnih
integriranih vezij.
206
7.1. OPERACIJSKI OJAČEVALNIK

Operacijski ojačevalniki so ojačevalniki v integrirani izvedbi. Tranzistorji ope-
racijskega ojačevalnika so med seboj direktno vezani (ni sklopnih kondenza-
torjev), kar pomeni, da lahko ojačajo tako enosmerne kot izmenične signale.
Ojačevalniki imajo dva vhodna priključka, ki jima pravimo neinvertirajoči
(angl. non inverted) in invertirajoči (angl. inverted) vhod. Kot že imeni
povesta, bo signal, priključen na neinvertirajoči vhod, na izhodu v fazi, signal,
priključen na invertirajoči vhod, pa v protifazi z vhodnim. Prvi vhod je zato
označen s »+«, drugi pa z »-«.
U 1 8
OFFSET NC
2 7
neinvertirajoči vhod IN U
3 6
izhod IN OUT
invertirajoči vhod U
4 5
OFFSET
U
A741
Slika 7.2. Operacijski ojačevalnik.
Operacijski ojačevalnik ima poleg vhodov še en izhodni priključek ter priključ-

ka za napajanje. Poleg teh srečamo še priključke, ki služijo za napetostno
izravnavo ter frekvenčno kompenzacijo.
7.1.1. Lastnosti operacijskega ojačevalnika

Električne lastnosti operacijskega ojačevalnika so naslednje:
• zelo velika vhodna upornost,
• zelo nizka izhodna upornost,
• zelo veliko napetostno ojačenje (104 do 105),
• protifazne signale na obeh vhodih ojača, medtem ko sofazne slabi.
Na vhodu operacijskega ojačevalnika je diferencialni ojačevalnik (glej tudi str.
106), zato ojača le razliko napetosti na obeh vhodih. Sofazni signali so
207
oslabljeni, kar nam pove tudi zelo velik rejekcijski faktor CMRR, ki podaja
razmerje med protifaznim in sofaznim ojačenjem v dB (decibelih).
U
neinv. vhod
izhod
inv. vhod
Slika 7.3. Notranjost

U operacijskega ojačevalnika.
S pomočjo povratnih zank lahko lastnost ojačevalnika prilagodimo namenu

uporabe: za ojačevalnike, primerjalnike, za izvajanje najrazličnejših linearnih
funkcij (seštevanje, odštevanje, množenje, logaritmiranje, odvajanje, integri-
ranje, itd.), za generiranje najrazličnejših signalov in podobno.
Operacijski ojačevalnik je ojačevalnik v integriranem vezju. Ima dva vhoda: če

priključimo vhodni signal na prvega, ki mu pravimo neinvertirajoči vhod,
dobimo na izhodu ojačan signal v fazi z vhodnim. Če priključimo vhodni signal
na drugega, ki mu pravimo invertirajoči vhod, dobimo prav tako ojačan signal,
toda v protifazi z vhodnim. Operacijski ojačevalnik ima zelo veliko ojačenje,
veliko vhodno upornost in zelo majhno izhodno upornost.
7.1.2. Invertirajoči ojačevalnik

Če je operacijski ojačevalnik vezan kot invertirajoči ojačevalnik, je vhod na
invertirajočem priključku. To pomeni, da bo izhodni signal v protifazi z vhod-
nim. Povratno zanko izvedemo s pomočjo dveh uporov, ki znižata ojačenje
ojačevalnika. Taki vezavi pravimo negativna povratna vezava.
Predpostavimo, da je napetostno ojačenje operacijskega ojačevalnika neskon-
čno veliko, ravno tako tudi vhodna upornost. Potem je napetost na inver-
tirajočem priključku enaka:
208
U IZH U IZH
U INV = = =0
AU ∞
Zaradi tega je tok, ki priteka iz vhoda skozi upor R1, enak ali nasproten toku,
ki priteka iz izhoda skozi upor R2:
UVH U
I VH = − I R2 ali = − IZH
R1 R2
R2
R1
Slika 7.4. Vezje invertira-

jočega ojačevalnika.
Ker je ojačenje razmerje med izhodno in vhodno napetostjo, dobimo rešitev:

R2
AU = −
R1
Negativen predznak pomeni, da je izhodni signal v protifazi z vhodnim. Če pa
želimo upoštevati še dejansko napetostno ojačenje operacijskega ojačevalnika,
ki ima končno vrednost, se enačba glasi:
AOP
AU =
R1
1 + AOP ⋅
R2
7.1.3. Neinvertirajoči ojačevalnik

Ko je vhod vezan na neinvertirajoči priključek, je izhodni signal v fazi z
vhodnim. Negativna povratna vezava je ponovno narejena iz dveh uporov R1
in R2. Ker želimo negativno povratno vezavo, mora izhodni signal pritekati na
invertirajoči vhod.
209
Če spet predpostavimo idealne razmere, je napetost med vhodnima priključ-

koma enaka 0. Zato je vhodna napetost enaka padcu napetosti na uporu R1.
Izhodna napetost pa je enaka padcu napetosti na obeh uporih R1 in R2:
UVH = I ⋅ R1
U IZH = I ⋅ ( R1 + R2 )
R2
R1 Slika 7.5. Vezje neinver-
tirajočega ojačevalnika.
Napetostno ojačenje je sedaj:

R2
AU = 1 +
R1
Če želimo upoštevati še končno ojačenje operacijskega ojačevalnika, upora-
bimo enačbo:
AOP
AU =
R1
1 + AOP ⋅
R1 + R2
Če upor R1 odvzamemo, namesto upora R2 pa naredimo kratek spoj, potem

dobimo ojačevalnik, ki ima ojačenje 1. Rečemo mu napetostni sledilnik (angl.
voltage follower). Izhodna napetost je popolnoma enaka vhodni; vhodna
upornost je zelo velika, izhodna pa zelo majhna.
210
Slika 7.6. Vezje napetost-

nega sledilnika.
7.1.4. Seštevalnik in odštevalnik

Ko priključimo napetosti na oba vhoda operacijskega ojačevalnika, dobimo na
izhodu napetost, ki je za napetostno ojačenje večja od razlike obeh napetosti
na vhodu. Na ta način lahko naredimo vezje, ki sešteva in odšteva napetosti na
vhodu. Primer takega vezja vidimo na sliki 7.7. Izhodna napetost je soraz-
merna seštevku vhodnih napetosti UA in UB in razliki vhodnih napetosti UC in
UD.
R1A R2
A
R1B
B
R1C
C
R1D R2 Slika 7.7. Vezje seštevalnika
D in odštevalnika napetosti.
Napetost na izhodu tega vezja je enaka:

U U U U 
U IZH = − R2 ⋅  A + B − C − D 
 R1 A R1 B R1C R1 D 
7.1.5. Sprememba koeficienta ojačenja

S pomočjo potenciometra v vezju na sliki 7.8 lahko poleg spremembe ojačenja
spremenimo tudi polariteto izhodnega signala.
211
R R
Slika 7.8. Vezje za spremem-

bo koeficienta ojačenja.
Ko je drsnik potenciometra na skrajni spodnji točki (n=0), se ojačevalnik

obnaša kot invertirajoči ojačevalnik z ojačenjem 1. Ko pa drsnik pomaknemo v
skrajno zgornjo lego (n=1), se ojačevalnik obnaša kot neinvertirajoči ojače-
valnik z ojačenjem 1. Enačba izhodne napetosti je:
U IZH = ( 2 ⋅ n − 1) ⋅ UVH
7.1.6. Mostični ojačevalnik

Operacijski ojačevalnik lahko uporabimo za ojačevanje napetostne razlike, ki
se pojavi v mostičnem vezju. Mostično vezje, sestavljeno iz štirih uporov, je v
ravnotežju, ko velja: RX/R2=R1A/R1B=1. Takrat sta oba vhoda operacijskega
ojačevalnika na enakem potencialu in izhodna napetost je 0.
nR2
RX R2
U0
R1A R1B
Slika 7.9. Vezje z mostičnim
ojačevalnikom.
Enačba za izhodno napetost je v tem primeru:

n RX − R2
U IZH = U 0 ⋅ ⋅ ,
2 RX + R2
212
kjer nam n pove, kolikokrat je upornost upora v povratni zanki (nR2) večja od
upornosti upora R2 v mostičku.
7.1.7. Primerjalnik
Operacijski ojačevalnik ima zelo veliko napetostno ojačenje. Če ojačenja ne
znižamo s pomočjo negativne povratne zanke, je izhodna napetost vedno
maksimalna in sicer pozitivna, če je napetost na neinvertirajočem vhodu večja
od napetosti na invertirajočem, in negativna, če je napetost na neinvertira-
jočem vhodu manjša od napetosti na invertirajočem. Zaradi tega ojačevalnik
uporabljamo kot primerjalnik (angl. comparator). Na izhodu operacijskega
ojačevalnika brez povratne vezave dobimo lahko le dve vrednosti napetosti.
UVH
UREF
U
t
UIZH
UVH U
UIZH
UREF U
t
U
Slika 7.10. Vezje napetostnega primerjalnika.
213
5V >5V
3V >3V
2V >2V
Slika 7.11. Vezje za

detektiranje različnih
nivojev napetosti
tremi LED.
Praktičen primer uporabe primerjalnikov je na sliki 7.11. Trije primerjalniki z
operacijskim ojačevalnikom krmilijo LED, ki zasvetijo, ko vhodna napetost
preseže napetost na neinvertirajočem vhodu. Delilnik napetosti, sestavljen iz
uporov, omogoči primerjalne napetosti (2, 3 in 5V). Prva (spodnja) zasveti, ko
vhodna napetost preseže 2V, prva in druga pri 3V in vse tri, ko vhodna nape-
tost preseže 5V.
7.1.8. Primerjalnik s histerezo

Če vsebuje vhodni signal motnje (slika 7.12 a), lahko to pripelje do
nezaželjenih preklopov. Ko motnje povzročijo nihanje napetosti okrog primer-
jalne (ali referenčne) napetosti v trenutku preklopa, se namesto enega
preklopa zgodi veliko število preklopov.
214
a) b)
UVH UVH vklop
izklop
UREF UVH
t t
UIZH UIZH
U U
t t
U U
Slika 7.12. Posledica motenega vhodnega signala na primerjalniku a) ter odprava

motenj s pomočjo različnih napetostnih nivojev b).
Nevšečnosti se izognemo tako, da ločimo napetostni nivo vklopa od nape-

tostnega nivoja izklopa, kot vidimo na sliki 7.12 b). Vklop primerjalnika se
zgodi pri nekoliko višji vhodni napetosti kot izklop. Takemu vezju pravimo
tudi Schmittov prožilnik (angl. Schmitt trigger).
Razlika v nivoju preklopnih napetostih nastane zaradi pozitivne povratne
zanke z uporoma R1 in R2. Ko je na izhodu pozitivna napetost (visok izhodni
nivo), je zaradi uporov višja napetost tudi na neinvertirajočem vhodu.
Primerjalnik preklopi v nizek izhodni nivo šele, ko vhodna napetost na
invertirajočem vhodu preseže napetost na neinvertirajočem.
215
UIZH UVH
UVH
R1 R2
UREF
Slika 7.13. Vezje primerjalnika s histerezo.
Ko je na izhodu negativna napetost (nizek izhodni nivo), napetost na

neinvertirajočem vhodu zaradi padcev napetosti na uporih pade. Primerjalnik
preklopi spet v visok izhodni nivo šele, ko vhodna napetost pade pod napetost
na neinvertirajočem vhodu. Razlika v preklopnih nivojih preprečuje neza-
željene preklope zaradi motenj. V diagramu na sliki 7.13 vidimo razliko v
napetostnih nivojih v obliki histerezne zanke, ki je podana z enačbo:
R1
∆UVH = ∆U IZH ⋅
R1 + R2
216
7.1.9. Napetostno-tokovni pretvornik

Če želimo krmiliti breme s tokovnim signalom in ne z napetostnim, lahko
uporabimo operacijski ojačevalnik v eni izmed vezav na sliki 7.14. Ne glede na
upornost bremena je tok skozi breme RL sorazmeren vhodni napetosti.
R2 R2
R1 R1
IL RL
R1 R2
R3
IL
RL
Slika 7.14. Napetostno-tokovna pretvornika.
Enačbi za izračun toka skozi breme sta:

UVH  R  UVH
IL = ⋅ 1 + 2  IL =
R1  R3  R1
7.1.10. Napetostni in tokovni izvor

S pomočjo operacijskega ojačevalnika lahko naredimo izvor konstantne nape-
tosti ali konstantnega toka. Pri obeh je stabilnost izhodne veličine odvisna
predvsem od stabilnosti referenčne napetosti. V vezjih na sliki 7.15 je refe-
renčni člen izveden s pomočjo prebojne diode.
217
U U
R2 IL RL
R1 R1
UZ UZ
UIZH
Slika 7.15. Napetostni izvor a) in tokovni izvor b).
Enačbi za primera a) in b) sta naslednji:

R2 UZ
U IZH = − U Z ⋅ IL =
R1 R1
7.1.11. Izvor simetrične napetosti

Kjer potrebujemo simetrično napetost (±U) majhnih tokov, lahko uporabimo
operacijski ojačevalnik tako, kot kaže slika 7.16. Ker sta upora R enaka, je na
neinvertirajočem vhodu natanko polovična napetost vira. Operacijski ojačeval-
nik je v vezan kot napetostni sledilnik, zato je izhodna napetost enaka vhodni.
Ker ima izhod ojačevalnika majhno notranjo upornost, deluje kot napetostni
generator in odstopanje simetrične napetosti je zelo majhno. Če želimo večje
tokove, moramo na izhod ojačevalnika vezati dva komplementarna
tranzistorja.
R U
2
U G
U
R 2
Slika 7.16. Izvor simetrične
napetosti.
218
7.1.12. Okenski diskriminator

Diskriminator deluje tako, da je izhodni nivo nizek takrat, ko je vhodna nape-
tost med vrednostima UREFmin<UVH<UREFmax; če pa vhodna napetost ne pade
v to področje (»okno«), je na izhodu visok nivo. Vezje sestavljata dva
operacijska ojačevalnika. Prvi primerja z nižjo referenčno vrednostjo, drugi pa
z višjo. Prvi mora imeti vhod na neinvertirajočem vhodu, drugi pa na
invertirajočem.
R1
UREFmin
R2
UVH UIZH
R3 Slika 7.17. Vezje okenskega

UREFmax diskriminatorja.
7.1.13. Integrator
Integriranje je matematična operacija, s pomočjo katere izračunamo ploščino
tiste površine, ki jo oklepata funkcija in abscisa (x-os). Oglejmo si funkcijo, ki
je odvisna od časa (npr. odvisnost UVH od časa, slika 7.18). Kjer ima krivulja
pozitivne vrednosti (nad absciso), tam ploščina s časom narašča, pri negativnih
vrednostih (pod absciso) pa ploščina pada. Kjer ima funkcija vrednost 0, se
ploščina ne spreminja. V določenem časovnem intervalu je torej integral te
funkcije sorazmeren ploščini, ki jo funkcija v intervalu oklepa z absciso.
C UVH
R
t
UIZH
Slika 7.18. Vezje integratorja.

Konstantna pozitivna napetost na vhodu povzroči konstanten polnilni tok
skozi kondenzator, ki se enakomerno polni, zato se napetost na izhodu vezja
219
enakomerno viša. Podobno se kondenzator prazni, če je na vhodu negativna

napetost. Ker je vhod vezan na invertirajočem sponko je izhodni signal
obrnjen – kjer bi matematično izračunali pozitivno ploščino, dobimo pri
danem vezju negativno napetost (torej negativno ploščino), in obratno.
7.1.14. Diferenciator
Diferenciranje (ali odvajanje) je matematična operacija, s pomočjo katere
ugotovimo hitrost spreminjanja določene funkcije. Če vrednost funkcije naraš-
ča, je odvod pozitiven in po velikosti enak hitrosti spremembe. Odvod je po
predznaku negativen, če vrednost funkcije pada. Ko pa se vrednost funkcije ne
spreminja, je odvod enak 0.
R UVH
C
t
UIZH
Slika 7.19. Vezje diferenciatorja.
Hitrejša sprememba vhodne napetosti požene skozi kondenzator večji tok, ta

pa povzroči višjo napetost na izhodu vezja. Ker je signal pripeljan na inverti-
rajoči vhod, je izhodni signal, podobno kot pri integratorju, obrnjen.
7.1.15. Značilni podatki operacijskega ojačevalnika

Proizvajalci navajajo poleg splošnih omejitev (toka, napetosti, izgubne moči,
delovne temperature in podobno) še naslednje podatke, ki so značilni za
operacijske ojačevalnike:
220
podatek pomen
Input resistance vhodna upornost (od nekaj kΩ do več sto MΩ)
Output izhodna upornost (nekaj Ω); s tako majhno izhodno upor-
resistance nostjo deluje ojačevalnik kot napetostni generator
Voltage gain napetostno ojačenje (zelo veliko, navadno preko 105); to je
ojačenje brez odprte zanke (angl. open-loop) pri frekvenci
0 Hz
Unity gain frekvenca, pri kateri pade napetostno ojačenje odprte zan-
frequency ke na 1
Output voltage največji razpon izhodne napetosti
swing
Input bias vhodni enosmerni tok v mirovni točki, ki teče zaradi
current vhodne upornosti ojačevalnika
Input offset vhodni izravnalni tok; enak je razliki enosmernih vhodnih
current tokov, ki je potrebna, da je izhodna napetost enaka 0 (brez
prisotnosti signala na vhodu)
Input offset sprememba vhodnega izravnalnega toka s temperaturo
current drift
Input offset vhodna izravnalna napetost; enaka je enosmerni napetosti,
voltage ki jo moramo priključiti med vhodnima priključkoma, da je
napetost na izhodu enaka 0
Input offset sprememba vhodne izravnalne napetosti s temperaturo
voltage drift
Output offset izhodna izravnalna napetost; enaka je napetosti na izhodu,
voltage ko sta oba vhodna priključka kratkosklenjena
CMRR rejekcijski faktor (angl. common-mode rejection ratio);
enak je razmerju protifaznega in sofaznega ojačenja v dB
PSRR rejekcijski faktor napajalne napetosti (angl. power supply
rejection ratio); pove nam, za koliko se spremeni vhodna
izravnalna napetost, če spremenimo napajalno napetost
Slew rate strmina naraščanja izhodne napetosti; pove nam, kako
hitro narašča napetost na izhodu, če vhod vzbujamo s stop-
ničasto napetostjo
221
7.1.16. Operacijski ojačevalnik z enojnim napajanjem

V vseh dosedanjih primerih so bili operacijski ojačevalniki priključeni na
dvojni (simetrični) napajalni vir. To pa zato, da je bila v odsotnosti signala na
vhodu izhodna napetost 0V. Če uporabimo enojni napetostni vir, mora biti
izhodna napetost enaka polovici napajalne napetosti, saj le tako lahko ojače-
valnik ojača obe polperiodi izmeničnega signala. Napetost na izhodu dvignemo
na pravo vrednost s pomočjo delilnika napetosti na neinvertirajočem vhodu
(upora R3 in R4 na sliki 7.20). Vhod in izhod ojačevalnika moramo ločiti od
ostalih vezij s pomočjo sklopnih kondenzatorjev.
a) U b) U
R2
R3 R3
C1 R1 C 1 R5
C2 C2
R4
R2
R4
R1
Slika 7.20. Primer nastavitve invertirajočega a) in neinvertirajočega b) ojačevalnika v

primeru enojnega napajalnega vira.
Nekateri operacijski ojačevalniki so posebej narejeni za enojno napajanje, kot

npr. Nortonov ojačevalnik LM3900. Z razliko od drugih operacijskih ojačeval-
nikov ga na vhodu krmilimo s tokom. Velikost enosmerne napetosti na izhodu
je podana z enačbo: UDC=UNAPxR2/R3.
222
a) R2 b) R2
C 1 R1
C2 C2
C 1 R1
LM3900 LM3900
R3 R3
U U
Slika 7.21. Invertirajoči in neinvertirajoči Nortonov ojačevalnik.
Ko uporabimo namesto dvojnega samo en vir napajanja, moramo poskrbeti,

da bo na izhodu polovična napajalna napetost ali pa uporabimo operacijske
ojačevalnike, ki so posebej izdelani za enojno napajanje.
7.1.17. Kompenzacija operacijskega ojačevalnika

Ker operacijski ojačevalnik ni idealen, je potrebno njegove slabosti in nesime-
trije kompenzirati z zunanjimi vezji. Nekateri operacijski ojačevalniki imajo že
predvidene sponke za kompenzacijo. Oglejmo si značilne kompenzacije za
izravnavo toka, vhodne napetosti in frekvenčno kompenzacijo.
Izravnava vhodnega toka: Ker ima operacijski ojačevalnik zelo veliko
vhodno upornost, teče na vhodu zelo majhen tok (angl. input bias current).
Ojačevalnik na sliki 7.22 a) ima neinvertirajoči vhod priključen na maso, na
invertirajočem pa je upor R2, ki služi za povratno zanko.
a) R2 IP b) R2
R1 R1
UDC =IP R2
RK
Slika 7.22. Primer izravnave vhodnega toka.
223
Kadar na vhodu ni signala, bi morala biti izhodna napetost enaka 0. Zaradi

vhodne upornosti pa teče preko upora R2 majhen tok, ki ustvari padec napeto-
sti. Izhodna napetost je zato različna od 0!
Izhodno napetost lahko izravnamo tako, da na neinvertirajoči vhod priklju-
čimo upor RK. Vhodni tok skozi neinvertirajoči priključek ustvari na uporu RK
padec napetosti, ki izravna napetost na uporu R2. Izhodno napetost tako povr-
nemo na 0. Vrednost upora RK naj bo:
RK ≅ R1 R2
Izravnava vhodne napetosti: Če sta oba vhoda priključena na isto nape-

tost, bi morala biti izhodna napetost enaka 0. Pri dejanskem operacijskem
ojačevalniku pa ni vedno tako – o tem nam govori podatek o vhodni izravnalni
napetosti (angl. input offset voltage). Zato s pomočjo dodatnega vezja posku-
šamo izravnati izhodno napetost na 0V (slika 7.23).
a) R2 b)
R1
U
R2 U
R1
U
U
Slika 7.23. Primer izravnave vhodne napetosti.
Frekvenčna kompenzacija: S spremembo frekvence signala se spreminjata

tudi ojačenje in fazni zasuk na izhodu operacijskega ojačevalnika. Če doseže
skupni fazni zasuk ojačevalnika in negativne povratne zanke 180°, ojačevalnik
zaniha. Omenjeno nestabilnost lahko preprečimo s frekvenčno kompenzacijo.
Nekateri ojačevalniki imajo že interno kompenzacijo, drugi pa imajo pred-
videne priključke, kamor priključimo dodatne elemente (kondenzatorje in
upore) za kompenzacijo.
224
ojačenje zaprte zanke [dB]

C=30pF, R=470
60
C=1nF, R=150
40
C
14
6 R
4
3 20
A723
1
5
7
100 1K 10K 100K 1M 10M

frekvenca [Hz ]
Slika 7.24. Primer zunanje frekvenčne kompenzacije.
Primer
Izračunajmo vrednosti elementov tako, da bo
R2 imel ojačevalnik ojačenje AU=-50, vhodno upor-
nost RVH=10kΩ ter spodnjo mejno frekvenco
C 1 R1 fL=60Hz! Upornost bremena je 1KΩ, napetostni
C2
generator na vhodu pa ima upornost 0.
RL
RK 1K Napetost na invertirajočem vhodu je 0, zato je vsa
vhodna napetost na uporu R1. Vhodna upornost
ojačevalnika je enaka:
RVH = R1 = 10kΩ
S pomočjo ojačenja izračunamo upor R2 :
R2 = − AU ⋅ R1 = 50 ⋅ 10kΩ = 500kΩ
Upor RK služi za izravnavo vhodnega toka, zato znaša:
225
R1 ⋅ R2
R3 = R1 R2 = = 9,8kΩ
R1 + R2
Kondenzatorja C1 in C2 vplivata na spodnjo mejno frekvenco:

1
fL = ,
2⋅π ⋅C⋅ R
zato sta kapacitivnosti kondenzatorjev enaki:
1 1
C1 = = = 265nF
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ R1 2 ⋅ π ⋅ 60Hz ⋅ 10kΩ
1 1
C2 = = = 2,65 µF
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ RL 2 ⋅ π ⋅ 60Hz ⋅ 1kΩ
7.2. MOČNOSTNI INTEGRIRANI OJAČEVALNIKI

Močnostni operacijski ojačevalniki imajo na izhodu močnostne tranzistorje ter
boljši sistem za odvajanje toplote. Nekateri imajo že vgrajeno hladilno kovin-
sko ploščico, da jih lažje pritrdimo na hladilno rebro. Zaradi nevarnosti
preobremenitve imajo notranjo zaščito pred kratkim stikom in pred toplotno
preobremenitvijo.
Slika 7.25. Ohišja močnostnih integ-

riranih ojačevalnikov so narejena
tako, da jih lažje pritrdimo na hla-
dilno telo.
226
V vezju na sliki 7.26 a) predstavljata tranzistorja T1 in T2 končno stopnjo

operacijskega ojačevalnika, tranzistorja T3 in T4 služita za zaščito. Ko postane
tok skozi končna tranzistorja T1 in T2 prevelik, se poveča padec napetosti na
emitorskem uporu RE do tolikšne mere, da se tranzistorja T3 in T4 odpreta.
Zaradi tega se zniža napetost med bazo in emitorjem končnih tranzistorjev, ki
se do določene mere zapreta.
Drugo vezje na sliki 7.26 b) zaščiti integrirano vezje pred toplotno preobreme-
nitvijo. Ko temperatura narašča, se napetost na prebojni diodi, ki ima pozitivni
temperaturni koeficient, dvigne in poveča kolektorski tok tranzistorja T1. Ko je
ta dovolj velik, se tranzistor T2 odpre in omeji moč na ojačevalniku.
a) U
T1 b) U
tokovna končni IC
zaščita transistor
T3 T1
RE
izhod
T2
T2
T4
RE U
Slika 7.26. Zaščita pred kratkim stikom a) in pred toplotno preobremenitvijo b).
Ojačevalniki za nižje moči so narejeni kot monolitna integrirana vezja, za večje

moči pa kot hibridna integrirana vezja. Služijo kot avdio ojačevalniki ali za
krmiljenje bremen, kot je elektromotor.
Močnostni ojačevalnik LM380 je narejen tako, da ne zahteva veliko dodatnih
elementov. Povratna zanka je izvedena že v notranjosti, tako je ojačenje vedno
enako 34dB. Uporaben je pri enojnem napajalnem viru, zato je izhodna eno-
smerna napetost (brez signala) vedno enaka polovici napajalne napetosti.
227
U
0,1
0,1
2
14 500
8
LM380
2M 6
2,7
3, 7
0,1 Slika 7.27. Vezje ojačeval-
nika z LM380.
Na sliki 7.28 je vezje mostičnega ojačevalnika, sestavljeno iz dveh ojačeval-

nikov. Vezana sta protitaktno, kar pomeni, da ko napetost na izhodu prvega
ojačevalnika narašča, na drugem pada tako. Temenska vrednost napetosti je
tako na bremenu dvakrat večja od napajalne napetosti.
U U
0,1 0,1
2 2
14 14
8 8
LM380 LM380
2M 6 1 1 6
51p 3, 7 3, 7
2,7 0,1
1M
Slika 7.28. Vezje mostičnega ojačevalnika.
Če potrebujemo na izhodu ojačevalnika večjo moč, vežemo dva dodatna

močnostna tranzistorja (angl. booster). Na sliki 7.29 je primer takšnega ojače-
valnika z dvema komplementarnima tranzistorjema.
228
Slika 7.29. Močnostni

ojačevalnik s končnima
U tranzistorjema.
S pomočjo vezja na sliki 7.30 krmilimo elektromotor, s katerim lahko natančno

nastavljamo položaj (obračamo npr. anteno). Elektromotor in potenciometer
P2 sta zato mehansko povezana. Ko premaknemo potenciometer P1, se
premakne elektromotor toliko, da se položaja obeh potenciometrov izenačita.
+5V
R3
100K
R4
100
R1 R2
1K 100K TIP32
P2
5K R7
P1 470
TIP31 5V
5K
C2 M 1A
C1 10n R5 R6 C3
10n 100 270 100n
-5V
Slika 7.30. Vezje za pogon elektromotorja.
Če vezje bolje pogledamo, vidimo, da sta izhodna tranzistorja vezana na napa-

jalne sponke operacijskega ojačevalnika. V samem operacijskem ojačevalniku
imamo na izhodu dva komplementarna tranzistorja (glej npr. sliko 4.58), ki sta
229
povezana na pozitivno in negativno napajanje. Dejansko je torej upor R4

vezan na kolektor prvega od teh (notranjih) trasistorjev, upor R5 pa na
drugega. Če prevaja prvi, se na R4 pojavi padec napetosti in prevajati začne
tudi tranzistor TIP32. Podobno se zgodi s tranzistorjem TIP31, če teče tok
skozi R5. Upora R4 in R5 izberemo tako, da sta tranzistorja TIP31 in TIP32 pri
mirovnem toku operacijskega ojačevalnika še zaprta. Pri opisani vezavi pa
moramo biti pozorni, da ne uporabimo take izvedbe operacijskega ojačeval-
nika, ki ima v istem ohišju več operacijskih oječevalnikov (ki so vsi vezani na
isto napajanje). Če bi sedaj uporabili enega od teh ojačevalnikov za vezje s
slike 7.30, drugega pa v nekem drugem vezju, bi prišlo takoj, ko bi npr. stekel
tok skozi upor R4, v drugem operacijskem ojačevalniku do nedopustnega
padca napajalne napetosti.
7.3. NAPETOSTNI REGULATORJI

Monolitni napetostni regulatorji služijo za stabilizacijo napetosti napajalnega
vira. Narejeni so lahko za točno določene napetosti, pri nekaterih pa izhodno
napetost spreminjamo s pomočjo zunanjih elementov. V grobem vsebujejo
referenčni napetostni vir z zelo stabilno napetostjo, primerjalnik in krmilni
tranzistor. Poleg tega imajo običajno še tokovno in toplotno zaščito.
Primerjalnik primerja referenčno napetost z napetostjo na izhodu. Če je
izhodna napetost manjša, potem primerjalnik odpira krmilni tranzistor, ki se
mu zato poveča kolektorski in emitorski tok. Nasprotno pa pri večji napetosti
na izhodu primerjalnik zapira krmilni tranzistor.
krmilni transistor IIZH
primer-
referenčni jalnik
UVH UIZH
člen
UREF UIZH
Slika 7.31. Shema splošnega napetostnega regulatorja.
230
Integrirana vezja 78XX in 79XX so napetostni regulatorji s tremi priključki.

Regulatorje z oznako 78 priključimo na pozitivno vejo, z oznako 79 pa na
negativno vejo usmernika. Dodatna številka XX pomeni velikost izhodne
napetosti (npr. 7812 poskrbi za izhodno napetost 12V).
220V/12V
1 3 +6V
7806
1 3
7812 0,33 2 0,1
2 12V 2
1000 0,1
0,33 1 3 0,1
7906
-6V
Slika 7.32. Napetostni regulatorji s tremi priključki.
Integrirano vezje µA723 je napetostni regulator, ki ima dostop do vseh notra-

njih členov. Vezje zato lahko prilagajamo uporabi. Sestavljajo ga referenčni
člen konstantne napetosti (7,15V), primerjalnik, krmilni tranzistor in
tranzistor za tokovno zaščito.
krmilni tranzistor
11 10
12 tranzistor za
5 tokovno zaščito
2
3
6 REF.
13
4
7 A723
Slika 7.33. Shema integriranega vezja µA723.
231
Vezje na sliki 7.34 je napetostni regulator, s pomočjo katerega spreminjamo

izhodno napetost od 2V do 25V. Večje tokove krmilimo tako, da vežemo
dodaten krmilni tranzistor v Darlingtonovi vezavi. Tok na izhodu integriranega
vezja je tako β-krat manjši. Upora R1 in R2 znižata referenčno napetost na
neinvertirajočem vhodu primerjalnika na 2V. S pomočjo potenciometra na
invertirajočem vhodu primerjalnika pa reguliramo izhodno napetost (napetosti
na obeh vhodih primerjalnika morata biti enaki). Ko izhodni tok naraste preko
dovoljene mere, se padec napetosti na uporu R3 toliko poveča, da se zaščitni
tranzistor v integriranem vezju odpre in zniža napetost med bazo in emitorjem
krmilnega tranzistorja. Ta se zapre in tok na izhodu pade. Upornost upora R3
izračunamo tako, da pri mejnem toku doseže padec napetosti 0,7V. V našem
primeru je mejni tok enak:
0,7 V 0,7 V
I MAX = = = 2,1A
R3 0,33Ω
2N3055 0,33 /2W
C1 R3
27...40V 0,1
C4 2...25V
0,1
11 10
12 2
6 3
R1 A723 4 P1
1K2 5 13 5K
C3 680p
C2 7 R4
R2
10 430
470
Slika 7.34. Vezje regulatorja napetosti z µA723.
232
7.4. TEHNOLOGIJA MONOLITNIH INTEGRIRANIH VEZIJ

Elementi v monolitnem integriranem vezju so izdelani na skupni ploščici
polprevodnika, ki je navadno silicij. Osnovni elementi so: diode, bipolarni in
unipolarni tranzistorji, tiristorji ter drugi polprevodniški elementi. Poleg teh
lahko izdelamo še manjše upornosti in kapacitivnosti. Glede na število kompo-
nent ločimo integrirana vezja z:
• majhno stopnjo integracije SSI (angl. small scale integration),
• srednjo stopnjo integracije MSI (angl. medium scale integration),
• veliko stopnjo integracije LSI (angl. large scale integration) ter
• zelo veliko stopnjo integracije VLSI (angl. very large scale integration).
V tej tehnologiji izdelujejo mikroprocesorje ter druga zahtevnejša
vezja, ki jih najpogosteje srečamo v računalniških vezjih.
metalizirane povezave izolacija iz SiO2
n p n n
p
n
n
p
polprevodniški substrat iz p-tipa
Slika 7.35. Prerez skozi monolitno ploščico (dioda in tranzistor).
Na sliki 7.35 vidimo poenostavljen globinski prerez polprevodniškega substrata

(osnove) z vgrajeno diodo in bipolarnim npn tranzistorjem. Osnova, ki je iz p-
tipa, je spojena na negativen priključek integriranega vezja. To pa zato, da je
med osnovo in posameznimi elementi zaporna napetost, ki preprečuje, da bi
tok iz posameznih elementov tekel v osnovo. Na ta način so elementi v mono-
litnem vezju med seboj izolirani.
233
ploščica z
integriranim vezjem
testno vezje
Slika 7.36. Ploščica polpre-
vodnika pri izdelavi.
7.4.1. Difuzija primesi

Osnovni material za izdelavo polprevodnikov za integrirana vezja je kristal
SiO2, iz katerega z raznimi tehnološkimi postopki najprej izdelajo izredno čist
polprevodnik cilindrične oblike. Nato ga razrežejo v tanke polprevodniške
plošče, ki jih spolirajo. Na taki plošči je prostor za več integriranih vezij (slika
7.36).
V polprevodniku je potrebno izdelati plasti n in p-tipa. V ta namen uporabljajo
tehnološki postopek, ki mu pravimo difuzija primesi. Ta poteka v peči ob
prisotnosti plina, ki vsebuje primesi. Zaradi visoke temperature (okrog
1000°C) in visoke koncentracije primesi, ki se usedajo na površino pol-
prevodnika, primesi prodrejo (difundirajo) v notranjost: najprej se veliko
število primesi usede na površino polprevodnika, nato prodrejo v globino. Po
končanem postopku difuzije je tik pod površino največja koncentracija
primesi, z globino pa njihova količina upada. Tip in koncentracija primesi
določata, katerega tipa bo polprevodnik.
Primesi prodrejo v substrat samo tam, kjer smo naredili odprtine v oksidni
plasti (o tem več v naslednjih dveh razdelkih). Z difuzijo primesi lahko
izdelamo več plasti n in p-tipa polprevodnika.
7.4.2. Oksidacija
Površino polprevodnika oksidiramo iz več razlogov:
• Oksidno plast uporabimo kot masko pri postopku difuzije. Primesi prodrejo
v globino polprevodnika samo tam, kjer naredimo odprtine v oksidni plasti.
• Oksidno plast uporabimo kot izolacijsko plast med polprevodnikom in
metaliziranimi povezavami na površini integriranega vezja.
234
• S pomočjo tanke oksidne plasti izdelamo krmilni priključek pri MOS

tranzistorjih.
Oksidacija polprevodniških ploščic poteka v peči pri visoki temperaturi (od
900 do 1200°C). Atomi kisika se hitro vežejo s polprevodnikom v SiO2, ki je
zelo dober izolant. Temu postopku pravimo suha oksidacija: Si+O2→SiO2.
Poznamo tudi vlažno oksidacijo, kjer uporabljamo vodno paro. Pri tem nas-
tane: Si+2H2O→SiO2+2H2.
izdelava odprtine
p v oksidni plasti
difuzija donorjev in
n
nastanek n-tipa
p
izdelava druge odprtine

n
v oksidni plasti
p
p difuzija akceptorjev in
n nastanek p-tipa
p
Slika 7.37. Postopek difuzije primesi.
235
7.4.3. Fotolitografija
S pomočjo fotolitografije selektivno odstranjujemo plasti s površine polpre-
vodnika. Najpogosteje jo uporabimo za izdelavo odprtin v oksidni plasti ter za
izdelavo povezav v metalizirani plasti. Na površino polprevodnika nanesemo
na svetlobo občutljivo fotoemulzijo, ki ji pravimo tudi fotorezist. Fotorezist
osvetlimo z ultravijolično svetlobo skozi posebno masko, na kateri so izrisana
področja, ki jih želimo odtraniti. Osvetljeni del fotorezista (ali neosvetljeni,
odvisno od tipa fotoemulzije) nato z razvijalcem odstranimo, preostali foto-
rezist pa s segrevanjem otrdimo. Površino polprevodnika sedaj jedkamo in
povsod tam, kjer so površine nezaščitene, bo oksidna oz. metalizirana plast
odtranjena. Na koncu še odstranimo preostali fotorezist s celotne površine
polprevodnika.
7.4.4. Epitaksija
Epitaksija je postopek, s katerim na površino polprevodnika nanašamo nov
polprevodnik. Skupaj s polprevodniškim materialom se na površino usedajo
tudi primesi. Na ta način – za razliko od difuzije primesi – naredimo plast
polprevodnika z enakomerno koncentracijo primesi. Z epitaksijo lahko
sestavimo tudi plasti iz različnih polprevodniških materialov (npr. na silicij
položimo plast iz galijevega arzenida).
7.4.5. Metalizacija
Ko so elementi v polprevodniški ploščici izdelani, jih med seboj povežemo z
metaliziranimi povezavami. Najprej izdelamo odprtine v oksidni plasti pol-
prevodnika (oksidna plast služi kot izolant). Nato metaliziramo celotno
površino ter s fotolitografskim postopkom in jedkanjem odstranimo odvečni
material, ostanejo samo povezave.
Kovino nanašamo na polprevodnik s pomočjo naparevanja ali naprševanja. Pri
postopku naparevanja kovino segrejemo, da se upari. Uparjena kovina se nato
useda na površino polprevodnika. Najpogosteje uporabijo aluminij, ker ima
nizko temperaturo tališča.
Pri postopku naprševanja se ionizirani atomi, ki potujejo z veliko hitrostjo,
zaletavajo v material, ki ga želimo nanesti. Iz materiala izbijajo atome, ki se
nato usedejo na površino polprevodnika.
236
VPRAŠANJA
1. Kako delimo integrirana vezja glede na tehnologijo?
2. Kaj je monolitno integrirano vezje?
3. Ali lahko s tankoplastno tehnologijo izdelamo ojačevalnik? Obrazloži?
4. Kakšne so osnovne lastnosti operacijskega ojačevalnika?
5. Zakaj ima operacijski ojačevalnik dva vhoda?
6. Poleg dveh vhodnih, izhodnega in dveh napajalnih priključkov ima opera-
cijski ojačevalnik lahko še nekaj dodatnih priključkov. Čemu služijo?
7. Kaj je napetostni sledilnik?
8. Kakšna je prednost primerjalnika s histerezo v primerjavi z navadnim pri-
merjalnikom?
9. Kaj je izravnalni tok in kaj je izravnalna napetost?
10. Čemu je enak CMRR?
11. Zakaj moramo kompenzirati vhodni tok operacijskega ojačevalnika?
12. Kako deluje mostični ojačevalnik?
13. Kako deluje (zaporedni) napetostni regulator? Kaj pomeni oznaka 7905?
14. Kaj je referenčni člen in čemu služi?
15. Kaj je VLSI?
16. Kaj dosežemo z difuzijo primesi?
17. Kakšno vlogo ima oksidacija površine polprevodnika?
18. Kako poteka metalizacija površine polprevodnika? Čemu služi?
237
NALOGE
1. Nariši in izračunaj R1, R2, RK, CVH in CIZH invertirajočega ojačevalnika.
Podatki: RVH=1kΩ, AU=-100, fL=25Hz ter breme RL=1kΩ! (Odg.: 1kΩ,
100kΩ, 990Ω, 6,3µF, 6,3µF)
2. Na sliki je vezje odštevalnika z vhodnima napetostima +3V in +2V.
Izračunaj, kolikšna je izhodna napetost! (Odg.: +2,5V)
4K 2K
+3V
1K 2K
+2V
3. Kolikšna mora biti napetost referenčnega vira in upornost upora R2

primerjalnika s histerezo, da bo nivo vklopa pri vhodni napetosti 2,4V in
nivo izklopa pri 2,0V (glej sliko 7.13)? Izhodna napetost niha med +6 in
-6V, upornost R1=1kΩ. (Odg.: 2,2V, 29kΩ)
4. Ugotovi, pri kateri vhodni napetosti primerjalnik na sliki preklopi! V
katerem primeru je na izhodu visok nivo (pozitivna napetost): ko je
vhodna napetost večja ali manjša od primerjalne? (Odg.: 8,24V, manjša)
+10V
10K
47K
238
239
240
VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI
Poglavje 8
VAKUUMSKI IN
PLINSKI ELEMENTI
V tem poglavju bomo spoznali nekatere elemente, ki so najpogosteje zaprti v

steklene bučke, v katerih je vakuum ali zelo redek plin. Prva taka »elektronka«
izvira še iz časa Thomasa Edisona, ko je delal poskuse z žarnicami (okrog leta
1884). Notranjost steklenih bučk njegovih žarnic je nerazumljivo počrnila in
svetilnost žarnic se je zato zmanjšala. Zato je v žarnico vgradil dodatno
elektrodo in ugotovil, da je iz žarilne nitke na elektrodo skozi vakuum tekel
električni tok.
Po iznajdbi triode leta 1906 se je začela elektronika naglo razvijati in elektron-
ke so bile dolgo časa pomemben element v radijskih in televizijskih napravah.
241
8.1. VAKUUMSKI ELEMENTI
8.1.1. Termična emisija elektronov

Elektroni, ki krožijo na zunanjih oblah atomov prevodnega materiala, po-
trebujejo zelo malo energije, da zapustijo atom. Pri sobni temperaturi je v
kovini ogromno število prostih elektronov, ki se skoraj neovirano gibljejo po
notranjosti kovine, a je ne morejo zlahka zapustiti. Z višanjem temperature
pridobivajo elektroni vse večjo kinetično energijo, ki jo je pri nekaterih dovolj,
da zapustijo kovino. Čim višja je temperatura, tem več je elektronov, ki
zapuščajo površino kovine. Pojavu pravimo termična emisija elektronov, delu,
ki ga pri tem opravijo, pa izstopno delo. Elektroni tvorijo na površini kovine
elektronski oblak.
Ta pojav je zelo pomemben za delovanje vakuumskih elementov. Omogoča
namreč, da elektroni izstopijo iz kovine v prazen prostor, kjer delujejo elek-
trične sile. Elektronke, imajo pod katodo žarilno nitko, ki služi za segrevanje
katode (indirektno segrevanje). Kot katodo lahko uporabimo tudi samo
žarilno nitko (direktno ogrevanje), vendar izmenična napetost, ki segreva
nitko, povzroča nezaželjeno nihanje toka v elektronki.
anoda
krmilna
katoda mrežica
grelna žica
(v notranjosti) vakuum
steklena
bučka
podnožje
Slika 8.1. Elektronka in njena zgradba.
242
8.1.2. Vakuumska dioda

Vakuumska dioda je sestavljena iz anode, katode in žarilne nitke, ki so vse
skupaj zaprte v stekleni bučki. Tlak v njej je zelo nizek, kar pomeni, da je v
bučki zelo malo atomov oz. molekul, ki bi preprečevali gibanje elektronov –
elektroni lahko neovirano potujejo iz katode na anodo.
A
IA
steklena
bučka UAK
žarilna
K nitka
f f
Slika 8.2. Vakuumska dioda.
Ko s pomočjo žarilne nitke segrevamo katodo, prihaja do termične emisije

elektronov. Med anodo in katodo priključimo električno napetost tako, da je
anoda pozitivnejša. Nastalo električno polje deluje na elektrone, ki so zapustili
katodo, tako, da elektroni stečejo skozi vakuum proti pozitivnejši elektrodi –
anodi.
IA
tok nasičenja
UAK
Slika 8.3. Vezje polvalnega usmernika ter karakteristika vakuumske diode.
243
Če napetostni vir med anodo in katodo obrnemo, tako da je sedaj katoda po-
zitivnejša, delujejo električne sile na elektrone v obratno smer. Zato se
elektroni, ki zapuščajo katodo, ponovno vrnejo k njej. Električnega toka med
anodo in katodo zato ni. Vakuumska dioda prevaja električni tok samo v eno
smer in jo zato lahko uporabimo v usmerniških vezjih.
Vakuumski elementi prevajajo električni tok skozi vakuum. Da stečejo elek-

troni iz katode proti anodi, moramo katodo ogrevati do te mere, da na njej
nastane termična emisija elektronov. Elektrone, ki izstopijo iz katode, pritegne
pozitivnejša anoda.
8.1.3. Vakuumska trioda

Zgradba vakuumske triode je podobna vakuumski diodi, le da ima trioda med
anodo in katodo še krmilno mrežico G, ki je narejena v obliki spirale in ima na
elektrone zaviralni učinek. Na ta način lahko vplivamo na velikost anodnega
toka.
A
IA
krmilna
G mrežica
UAK
UGK
K
f f
Slika 8.4. Vakuumska trioda.
Segreta katoda oddaja elektrone, ki jih privlači pozitivnejša anoda. Krmilno

mrežico priključimo na negativnejši električni potencial kot katodo. Negativna
napetost na mrežici bolj ali manj odbija elektrone, zato je število elektronov, ki
prispejo na anodo, manjše. Čim bolj je napetost med mrežico in katodo
negativna, tem manj elektronov prileti na anodo. Na ta način z vhodno nape-
tostjo UGK spreminjamo anodni tok IA.
244
IA [ mA ]
UGK =0V
30 30 -1V
-2V
0 0V
20 20
-3V
=2
0V
30
K
10 10
UA
UGK [V ] -6 -4 -2 100 200 300 UAK [V ]
Slika 8.5. Karakteristike vakuumske triode.
Karakteristiko triode vidimo na sliki 8.5. Karakteristični podatki so transkon-

duktanca g (ali strmina), preseg D, faktor ojačenja µ in notranja upornost rA.
∆I A
g=
∆U GK
(U AK = konst.) strmina
∆U GK
D=
∆U AK
( I A = konst.) preseg
∆U AK
µ=
∆U GK
( I A = konst.) faktor ojačenja
∆U AK
rA =
∆I A
(U GK = konst.) notranja upornost
Strmino, notranjo upornost in faktor ojačenja povezuje med seboj tako imeno-
vana Barkhausenova enačba:
g ⋅ rA
=1
µ
Delovno točko triode nastavimo približno tako kot pri JFET. Ker mora biti
krmilna mrežica na negativnejšem električnem potencialu, si pomagamo s
katodnim uporom RK. Anodni tok povzroči na tem uporu padec napetosti,
zato je katoda za enako vrednost na pozitivnejšem potencialu. Tok v mrežico
je zanemarljivo majhen, zato tudi tok skozi upor RG.
245
RA
iA
G A
UA
g uGK rA
RG uGK RG RA uAK
K
RK CK
iK
Slika 8.6. Primer nastavitve delovne točke vakuumske triode in poenostavljeno

nadomestno vezje.
Triode za velike moči so zgrajene za moči do nekaj sto kW in za napetosti

nekaj deset kV. Pri velikih močeh se sprošča tudi velika toplota, ki jo odvaja-
mo s pomočjo zračnega ali vodnega hlajenja, izkoriščamo pa lahko tudi
izparevanje vode.
Trioda ima sorazmerno majhen faktor ojačenja in majhno notranjo upornost.
Predvsem izrazite so kapacitivnosti med elektrodami, ki povzročijo upadanje
ojačenja s frekvenco. Velik vpliv ima zlasti kapacitivnost med krmilno mrežico
in anodo. Skozi to kapacitivnost se ojačani signal na izhodu ponovno vrača na
vhod. To pomeni, da je na vhodu ta kapacitivnost večja za faktor ojačenja.
8.1.4. Vakuumska tetroda

Kapacitivnost med krmilno mrežico in anodo znižamo tako, da med obe elek-
trodi vstavimo dodatno elektrodo. Dodatni mrežici pravimo zaščitna mrežica,
elektronki pa tetroda.
Napetost na zaščitni mrežici je nekje na polovici napetosti med anodo in
katodo. Ker je s kondenzatorjem vezana na maso, preprečuje, da bi se signal
vračal iz anode na krmilno mrežico.
Ko napetost med anodo in katodo pade pod napetost na zaščitni mrežici, se
izhodna karakteristika tetrode popači. Elektroni, ki priletijo iz katode, zade-
vajo anodo s tolikšno energijo, da iz nje izbijajo (sekundarne) elektrone. Le-te
privlači pozitivnejša zaščitna mrežica, posledica pa je nižji anodni tok.
246
A IA UGK=0
zaščitna
mrežica
G2
G1
K
f f
UAK
Slika 8.7. Vakuumska tetroda.
8.1.5. Vakuumska pentoda

Vakuumska pentoda ima vgrajeno dodatno mrežico, ki ji pravimo zaviralna
mrežica. Postavljena je med zaščitno mrežico in anodo in priključena na
katodo. Njena naloga je, da odbija sekundarne elektrone nazaj na anodo.
Izhodna karakteristika tako ni več popačena kot pri tetrodi.
A IA [ mA ] UGK=0V
zaviralna
30
G3 mrežica -1V
G2 20
G1 -2V
10 -3V
K f f
100 200 300 UAK [V]
Slika 8.8. Vakuumska pentoda.
Zaradi večjega števila elektrod nastaja pri pentodah večji šum, zato niso pri-
merne za ojačitev signalov zelo majhnih napetosti.
247
Anodni tok v elektronki lahko krmilimo s pomočjo mrežice, ki jo vstavimo

med anodo in katodo. Dobljena elektronka se imenuje trioda. Poznamo tudi
elektronke z več mrežicami, ki jim pravimo tetrode, pentode, heksode...
8.1.6. Ojačevalniki z vakuumskimi elementi

Podobno kot tranzistorji lahko tudi elektronke služijo kot ojačevalni element
ali kot stikalo. Uporabljamo jih lahko v vseh treh orientacijah: s skupno ka-
todo, s skupno anodo in s skupno krmilno mrežico.
Orient.: s skupno katodo s skupno anodo s skupno mrežico
RA
RA
RG RG RK
RK CK RK
AU g ⋅ rA R A <1 g ⋅ rA R A
RVH RG RG RK
RIZH rA R A 1/g g ⋅ RA
248
Ojačevalniki z elektronkami se delijo na podobne razrede, kot smo jih srečali

pri tranzistorskih oječevalnikih. Tako poznamo ojačevalnike z elektronkami v
»A«, »B«, »AB« in »C« razredu. Razlika je v nastavitvi delovne točke. V »A«
razredu je delovna točka nastavljena nekje na sredini delovne premice. Na sliki
8.9 je vezje nizkofrekvenčnega ojačevalnika v »A« razredu. Povratna zanka (iz
transformatorja nazaj na triodo) služi za boljšo stabilizacijo ojačenja
ojačevalnika.
C2 R4
47 220K
C4 22n
EL34
C1 33n R9
R7 100
100
R6 C6
R1 470K 47
470K C3 R2 R8 C5
1K5 180 100
4n7
R5 2K7
R3
100
ECC83
Slika 8.9. Ojačevalnik v »A« razredu.
Ojačevalnik v »B« ali v »AB« razredu je narejen kot protitaktni (angl. push-
pull) ojačevalnik. Vsaka od elektronk v vezju na sliki 8.10 ojača eno pol-
periodo vhodnega signala. Zaščitni mrežici pentod sta priključeni na transfor-
mator zato, da je popačenje ojačevalnika čim manjše. Enosmerna napetost na
krmilnih mrežicah je tolikšna, da je enosmerna delovna točka blizu dna
karakteristike. Tako je anodni tok v mirovanju majhen. Ker je delovna točka
znotraj (čeprav na sami meji) linearnega področja, je popačenje zelo majhno.
Pri ojačevalniku v »C« razredu je delovna točka nastavljena tako, da elektron-
ka odreže večji del signala. Kljub visokemu popačenju pa je izkoristek ojače-
valnika boljši kot pri ostalih razredih. Ojačevalnik v »C« razredu uporabimo
kot končno ojačevalno stopnjo pri oddajnikih ter pri množilnikih frekvence.
249
IA
delovna
točka
UGK
Slika 8.10. Protitaktni ojačevalnik v »AB« razredu.
IA
delovna
točka
UGK
Slika 8.11. Ojačevalnik v »C« razredu.
250
Primer
Izračunajmo upornosti uporov ter napetostno ojačenje neobremenjenega
ojačevalnika v »A« razredu z vakuumsko triodo, če je UA=250V, IA=2mA pri
UGK=-2V, g=1,6mS, rA=60KΩ! Koliko znaša ojačevalni faktor µ?
RA
UA
250V
RG 2V
1M
RK CK
Padec napetosti na katodnem uporu je enak prednapetosti na krmilni mrežici,

zato je:
U GK 2V
RK = = = 1kΩ
IA 2mA
Delovna točka je postavljena na sredino delovne premice, zato je med anodo
in katodo polovična napajalna napetost. Anodni upor je tedaj:
U A − U AK − U RK 250 V − 125 V − 2 V
RA = = = 61,5kΩ
IA 2 mA
Pri napetostnem ojačenju moramo upoštevati tako notranjo upornost elek-
tronke kot tudi anodni upor:
AU = g ⋅ rA R A = 1,6mS ⋅ 60kΩ 61,5kΩ = 48,6
Ojačevalni faktor µ izračunamo s pomočjo Barkhausenove enačbe:

µ = g ⋅ rA = 1,6mS ⋅ 60kΩ = 96
251
8.1.7. Katodna ali žarkovna cev

Katodna cev služi za prikazovanje slike na zaslonu. Uporabljamo jo v oscilos-
kopih, računalniških monitorjih ter v televizijskih sprejemnikih. V grobem je
sestavljena iz treh delov: elektronskega topa, odklonskega sistema in lumini-
scenčnega zaslona. Na sliki 8.12 je po vrsti: A grelna nitka, B katoda, C krmilna
mrežica (Wehneltov cilinder), D pomožna anoda, E anoda, ki je spojena s
kovinsko prevleko v notranjosti cevi, F elektrode odklonskega sistema ter G
luminiscenčni zaslon.
A B
C
D E F G
elektronski top odklonski

sistem
Slika 8.12. Zgradba katodne cevi osciloskopa.
Elektronski top oddaja tanek snop elektronov, ki letijo proti zaslonu. Top
sestavljajo katoda, krmilna mrežica ter vrsta elektrod, ki fokusirajo in pospešu-
jejo elektrone proti zaslonu. Krmilna mrežica je na negativnem napetostnem
potencialu. Z njo krmilimo število elektronov, ki priletijo na zaslon in s tem
vplivamo na svetlost točke na zaslonu. Elektrode, ki sledijo, so oblikovane
tako, da delujejo kot elektronske leče. Z njihovo pomočjo zadevajo elektroni
zaslon v skupni točki, ki jo vidimo kot svetlo piko na zaslonu. Na sliki 8.13 so
vrisane ekvipotencialne ploskve (ploskve z istim električnim potencialom), ki
delujejo na elektrone kot leča.
252
ekvipotencialne ploskve
Slika 8.13. Oblika

elektronske leče.
Gibanje elektronov, ki potujejo proti zaslonu, ukrivi odklonski sistem. Ta je pri

osciloskopskih katodnih ceveh narejen s pomočjo dveh parov elektrod. Prvi
par je postavljen v navpični ravni (vertikalni odklonski sistem), drugi par pa v
vodoravni ravni (horizontalni odklonski sistem). Ko na odklonske elektrode
priključimo električno napetost, se med njimi ustvari električno polje. Na
mimoidoče elektrone deluje električna sila, ki jih odkloni. Na ta način lahko
krmilimo elektronski žarek po celem zaslonu. Ker je pri televizijskih katodnih
ceveh odklonski kot zelo velik, je odklonski sistem narejen s pomočjo dveh
parov elektromagnetov.
E
Slika 8.14. Odklanjanje
elektronskega snopa s
pomočjo odklonskih
elektrod.
Zaslon je narejen iz luminiscenčnega materiala, to pomeni, da sveti, kadar

udarjajo vanj elektroni. Zaradi velike kinetične energije, ki jo morajo elektroni
doseči pred trkom, je napetost med anodo in katodo zelo visoka (nekaj deset
kV).
Odklonski sistem krmili žarek tako, da preleti celoten zaslon od vrha do dna v
vodoravnih črtah. Na ta način se izrisuje slika na televizijskih katodnih ceveh.
žarek najprej osvetli vse lihe vrstice, nato vse sode. Takemu načinu pravimo
prepletanje (angl. interleaced), ki pa je pri računalniških monitorjih nezaže-
253
ljeno. Poglejmo gibanje žarka na zaslonu brez prepletanja. Naprej potuje od

točke »A« (glej sliko 8.15) do točke »B« in pri tem osvetli prvo črto na
zaslonu. Elektronika nato žarek prekine in odklonski sistem se postavi v
položaj, kjer bo žarek ponovno začel izrisovati sliko – torej na začetek druge
vrste. Ko se osvetli cel zaslon, odklonski sistem vrne (ugasnejen) žarek iz točke
»C« na začetek v točko »A«.
A B
Slika 8.15. Način preleta

elektronskega žarka po
C zaslonu.
Barvna katodna cev deluje s pomočjo treh elektronskih topov. Zaslon je

zgrajen iz velikega števila luminiscenčnih točk rdeče, zelene in modre barve
(od tu kratica RGB: angl. red-green-blue). Pred zaslon je postavljena zaščitna
mreža, sestavljena iz velikega števila odprtin. Le-te so postavljene tako, da
vsak elektronski top »vidi« na zaslonu točke samo ene barve. Če bi na primer
deloval samo eden izmed treh topov, bi na zaslonu videli sliko iz ene same
osnovne barve.
zaslonska mreža
rdeča
luminiscenčne
točke na zaslonu
elektronski topovi zelena
modra
Slika 8.16. Princip delovanja barvne katodne cevi.
254
8.2. PLINSKI ELEMENTI

Plinske elektronke so elektronke, ki imajo v notranjosti namesto vakuuma zelo
razredčen plin. Simboli takih elementov so označeni s piko. Poznamo dve vrsti
plinskih elektronk. Prve, s hladno katodo, imajo relativno velik padec nape-
tosti in prevajajo manjše tokove. Druge, s toplo (ali ogrevano) katodo, pa ima-
jo majhen padec napetosti in prevajajo zelo velike tokove. Prevajati začnejo,
ko plin v notranjosti ionizira.
8.2.1. Tlivka
Tlivka je sestavljena iz dveh elektrod, ki sta postavljeni v stekleno bučko z
razredčenim plinom neonom in argonom. Ker katode ne ogrevamo, spada
tlivka med elektronke s hladno katodo. Prevajati začne, ko pri dovolj veliki
napetosti, ki ji pravimo vžigna napetost, plin v notranjosti ionizira. Pri nižji
napetosti je tok zelo majhen in skoraj konstanten. Ko pa napetost narašča,
dosežejo elektroni v notranjosti tolikšne kinetične energije, da povzročijo
nadaljnjo ionizacijo atomov plina (plazovita ionizacija). Tedaj tok skozi plin
naglo naraste, napetost med priključki pa pade.
Okoli elektrode z nižjim potencialom – torej katode – nastane tlilna plast,
katere prerez narašča sorazmerno s tokom. Če tok povečujemo, postane
katoda tako vroča, da pride do termične emisije. Zaradi tega nastane med
katodo in anodo oblok z zelo veliko prevodnostjo, ki mu pravimo plazma. Ta
pojav izkoriščamo predvsem pri elektronkah z žarilno katodo.
A
G
Slika 8.17. Vezji s tlivkama.
Na sliki 8.17 sta prikazani dve vrsti tlivk: tlivka z dvema a) in s tremi b)
elektrodami. Obe začneta prevajati tedaj, ko napetost med priključki doseže
vžigno napetost. Tlivko s tremi elektrodami vžgemo s pomočjo dodatne
255
elektrode G. Med anodo in katodo je sedaj potrebna nižja napetost, kot bi

bila, če ne bi uporabili dodatne elektrode. Ko doseže napetost med mrežico in
katodo vžigno vrednost, plin ionizira in med anodo in katodo steče tok. Ker je
vžigni tok (tok skozi elektrodo G) zelo majhen (<100µA), tlivko uporabimo
kot elektronsko stikalo.
Vezji na sliki 8.17 delujeta kot oscilator. Ko napetost na kondenzatorju doseže
vžigno vrednost, začne tlivka prevajati in kondenzator se izprazni. Tlivka
ugasne in kondenzator se lahko ponovno polni.
8.2.2. Tiratron
Tiratron je plinska elektronka s toplo katodo. Krmilna mrežica G določa
trenutek ionizacije plina in s tem prevajanje.
K Slika 8.18. Tiratron.

f f
Ogrevana katoda povzroča termično emisijo elektronov, ki – če je med katodo

in anodo napetost – potujejo proti anodi. Ko je napetost med anodo in katodo
dovolj velika, povzročijo elektroni ionizacijo plina. Krmilno mrežico priklju-
čimo na negativnejši električni potencial kot katodo, zato zavira potovanje
elektronov proti anodi. Na ta način lahko reguliramo vžigno napetost. Negativ-
nejša mrežica povzroči, da se bo tiratron vžgal pri večji napetosti med anodo in
katodo, kot bi bila potrebna, če mrežice ne bi uporabili. Ko tiratron vžge,
krmilna mrežica nima več funkcije. Tiratron ugasnemo tako, da spustimo
napetost med anodo in katodo; ko ni dovolj toka za vzdrževanje ionizacije
plina, samodejno ugasne. Tiratron v nasprotno smer ne prevaja, uporabimo pa
ga kot krmiljeni usmerniški ventil. Narejen je za napetosti od 300V do 20kV
ter za tokove od 20mA do 50A.
256
8.2.3. Ignitron
Glavna značilnost te elektronke je živo srebro v njeni notranjosti. Ignitron
uporablja hladno katodo in lahko preko električnega obloka prevaja zelo veli-
ke tokove. Emisijo elektronov iz katode dosežemo z napetostnim impulzom
med ignitorjem in katodo. Ko nastane električni preboj, živo srebro izpari in
ionizirana para omogoči električni lok med anodo in katodo.
ignitor
K Slika 8.19. Ignitron.
Zaradi velikih izgubnih moči in hlajenja živosrebrne pare moramo ignitrone

hladiti z vodo. Ker prenašajo srednje tokove do 2500A, jih uporabimo za
usmerniške ventile velikih tokov (pri točkastem varjenju).
Plinski elementi prevajajo električni tok s pomočjo ioniziranega plina. Nareje-

ni so s hladno ali s toplo (ogrevano) katodo.
257
VPRAŠANJA
1. Kaj je termična emisija elektronov?
2. Zakaj vakuumska dioda prevaja električni tok samo v eno smer?
3. Kakšno vlogo ima krmilna mrežica v vakuumski triodi?
4. Čemu služijo posamezne mrežice pri vakuumski pentodi?
5. Kakšno vlogo imata elektronski top in odklonski sistem žarkovne cevi?
6. Kako žarkovna cev nariše sliko na zaslon?
7. Kako žarkovna cev ustvari barvno sliko?
8. Kakšno vlogo ima plin v plinskih elementih?
9. Zakaj lahko tlivko uporabimo v vezju oscilatorja? Kako deluje?
10. Kako deluje tiratron? Kakšno vlogo ima krmilna mrežica v tiratronu?
11. Kako deluje ignitron? Ima toplo ali hladno katodo? Kakšna je razlika?
NALOGE
1. Izračunaj upornosti upora RA in RK v vezju na sliki 8.6 tako, da bo
IA=3mA in UGK=-3V! Podatki so UA=190V, g=2mS, µ=100. Kolikšno je
napetostno ojačenje? (Odg.: 30,6kΩ, 1kΩ, 38)
2. Izračunaj vhodno upornost, izhodno upornost in napetostno ojačenje
ojačevalnika na sliki, če vemo, da je g=1,8mS in rA=58KΩ! (Odg.: 1MΩ,
31kΩ, 3453)
+200V
100K 68K
1M 470K
2K 1K
258
DODATEK
Poglavje 9
DODATEK
V tem poglavju bomo spoznali nekatere elemente, ki jih pogosto srečujemo in

so zato vredni omembe. Predvsem bomo omenili električne pretvornike, ki jih
uporabljamo tam, kjer želimo najrazličnejše veličine pretvoriti v električno.
Tako lahko spremljamo spremembo temperature, jakosti svetlobe, mehanske
spremembe, spremembe tlaka, jakost in smer magnetnega polja, razdalje,
pretoke, sevanje in podobno.
9.1. TERMOELEKTRIČNI PRETVORNIKI

S pomočjo termoelektričnih pretvornikov pretvarjamo velikost in spremembo
temperature v električni signal. Uporabljamo jih za meritev temperature, nad-
zor, zaščito drugih elementov v vezju in podobno.
259
9.1.1. Termistorji
Termistorji so upori, ki se jim upornost spreminja s temperaturo. Poznamo
dve vrsti termistorjev: NTK in PTK. NTK termistorji imajo negativni tempera-
turni koeficient. To pomeni, da jim upornost s temperaturo pada. Nasprotno
pa imajo PTK termistorji pozitiven temperaturni koeficient.
R
NTK PTK
Slika 9.1. Karakteristika

T NTK in PTK termistorjev.
Termistorje lahko uporabimo za temperaturno stabilizacijo delovne točke in

kot zaščitni element pri ojačevalnikih. V vezju na sliki 9.2 smo enega od baznih
uporov nadomestili z NTK termistorjem. Ta mora biti termično povezan s
tranzistorjem. Ko se tranzistor segreva, se povečuje tok nasičenja in s tem
kolektorski tok. Ker pa se segreva tudi termistor, mu upornost pada, kar
pomeni manjši padec napetosti in znižan bazni tok v tranzistor. Vrednosti
elementov morajo biti izbrane tako, da je tok IP nekajkrat večji od baznega
toka IB.
RB1 RC
IB
UCC
IP
RNTC Slika 9.2. Temperaturna
stabilizacija delovne točke
tranzistorja s termistorjem.
260
DODATEK
9.1.2. Polprevodniška dioda in tranzistor

Ker se polprevodniški diodi zaporni tok nasičenja spreminja s temperaturo, jo
lahko uporabimo kot termoelektrični pretvornik. Z višanjem temperature se v
diodi poveča število ioniziranih atomov, ki povečajo zaporni tok. Ta tok je od
priključene napetosti skoraj neodvisen.
9.1.3. Termočlen
Termočlen je sestavljen iz dveh kovin, ki sta na enem koncu spojeni. Ko spoj
segrevamo, se na priključkih pojavi električna napetost, ki je odvisna od
uporabljenih kovin in temperature. Termočlen meri temperaturno razliko med
vročim (spojenim) in hladnim (nespojenim) koncem. Pogosto je zaporedno za
prvim termočlenom dodan še drugi, ki ima vlogo, da izniči vpliv temperature
okolice.
U [mV]
50
vroč konec
s t. r - Ni
on N iC
25 -k
V Fe
500 1000 T [ oC ]
Slika 9.3. Termočlen in karakteristika.
9.1.4. Monolitni termoelektrični pretvorniki

Dokaj natančne temperaturne pretvornike najdemo v monolitni integrirani
izvedbi. LM334 je nastavljivi tokovni vir, ki ima izhodni tok sorazmeren s
temperaturo. LM335 pa deluje kot nastavljiva prebojna dioda, kjer prebojna
napetost narašča sorazmerno s temperaturo (+10mV/K). Obe integrirani vezji
imata obliko klasičnega tranzistorja s tremi priključki.
261
9.2. OPTOELEKTRIČNI PRETVORNIKI

Optoelektrične pretvornike zelo pogosto srečamo pri prenosu signalov. Oddaj-
nik je v tem primeru svetlobni vir – najpogosteje LED ali laserska dioda,
sprejemnik pa svetlobno občutljiv element, najpogosteje fotodioda ali
fototranzistor. Poznamo pa tudi fototiristor, fototriak ter vakuumsko foto-
celico. Prenos svetlobe poteka po zraku (daljinski upravljalec), po optičnih
kablih ali v majhnem, zaprtem prostoru (optični spojniki).
Optoelektrične pretvornike srečamo tudi pri alarmnih ali kontrolnih napravah
in števcih, kjer svetlobo, ki prihaja do pretvornika, prekinja kakšen gibljiv
predmet (tako izvedbo najdemo v računalniški miški).
9.2.1. Fotoupor
Fotoupor je zgrajen iz polprevodniškega materiala CdS ali CdSe. Ko ga osvet-
limo, se v polprevodnem materialu rojevajo proste elektrine, zato mu upornost
z osvetlitvijo pada. Slabost fotoupora je v temperaturni občutljivosti, prednost
pa v nizki ceni in enostavnosti uporabe.
9.2.2. Fotodioda
Fotodioda je po zgradbi podobna običajni diodi, le da mora biti pri fotodiodi
pn-spoj kar najbliže površini diode (substrata). Ko fotodiodo osvetlimo, se
namreč v prehodnem področju zaradi ionizacij rojevajo novi elektroni in vrzeli.
Zaradi tega se poveča zaporni tok, ki je sorazmeren s svetlobnim tokom.
Poznamo tudi prebojne fotodiode (angl. avalanche fotodiode), kjer svetloba
sproži preboj v zaporni smeri. Njihova dobra lastnost je predvsem v visoki
občutljivosti, vendar povzročajo veliko šuma. To pa zato, ker je plazoviti
preboj neurejen.
9.2.3. Fototranzistor
Občutno boljšo občutljivost kot fotodioda ima fototranzistor. Svetlobno
občutljiv je kolektorski spoj. Ko tranzistor osvetlimo, se zaradi nastalih prostih
elektronov in vrzeli poveča tok nasičenja. Kolektorski tok se zaradi tega
poveča za kratkostični tokovni ojačevalni faktor β, zato je fototranzistor
občutljivejši od fotodiode. Tok, ki teče skozi fototranzistor v temi, je večji kot
262
DODATEK
pri fotodiodi in enak toku nasičnja ICE0. Tranzistor je lahko v izvedbi z baznim
priključkom ali brez njega. Na vrhu ohišja je prozorna odprtina, skozi katero
pronica svetloba. Poznamo tudi Darlington-fototranzistor, pri katerem je
občutljivost še večja.
C emitor kolektor
n+ baza n+
p
B
n
E
Slika 9.4. Simbol, zgradba in slika fototranzistorja.
9.2.4. Fototiristor ali LASCR

Fototiristor (angl. light actuated silicon controlled rectifier) A
je tiristor, ki ga lahko vključimo s pomočjo svetlobe. Osvet-
litev prehodnega področja v srednjem, zapornem spoju ge-
nerira dodatne proste elektrone in vrzeli. Ti povečajo tok G
skozi srednji spoj, ki pri določeni vrednosti prebije. Ko se K
tiristor enkrat vključi, svetloba na njegovo delovanje več ne
vpliva. Izključimo ga kot klasičen tiristor: anodni tok spu- Slika 9.5.
stimo pod držalno vrednost. Fototiristor.
9.2.5. Optični spojniki

Optični spojniki (angl. optocoupler) so sestavljeni iz svetlobnega vira in
optoelektričnega elementa. Svetlobni vir je navadno svetleča dioda (LED),
medtem ko je optoelektrični element lahko fotodioda, fototranzistor, fotodar-
lington, fototiristor, fototriac in podobno. Vezje lahko vključuje še digitalna
vrata ali operacijski ojačevalnik. Najpogosteje ga srečamo kot integrirano vezje
s šetimi priključki.
263
Električni signal se najprej pretvori v svetlobnega, nato spet v električnega.

Prednost optičnih spojnikov je v zelo dobri dielektrični izolaciji med vhodnimi
in izhodnimi priključki. Zato jih najpogosteje uporabimo tam, kjer želimo
galvansko ločitev dveh vej vezja. Če pride do napetostne preobremenitve na
eni strani, ostane vezje na drugi strani zaščiteno, če le ne prekoračimo temen-
ske vrednosti optičnega spojnika (1 do 25KV).
1 6
2 5
Slika 9.6. Optični spojnik:

3
4N37
4 kombinacija med LED in
fototranzistorjem.
9.3. PIEZOELEKTRIČNI PRETVORNIK

Določeni kristali imajo posebne električne lastnosti. Ko jih mehansko obre-
menimo, se na površini kristala pojavi električna napetost. S pomočjo dveh
elektrod naredimo iz piezoelektričnega kristala pretvornik, s pomočjo katerega
pretvarjamo mehanska nihanja v električni signal. Najdemo ga v mikrofonih,
gramofonskih glavah, senzorjih tlaka in podobnih napravah.
Pojav je tudi nasproten. Ko na elektrodi piezoelektričnega kristala priključimo
električno napetost, kristal zaniha. V ta namen ga uporabljajo v zvočnikih,
ultrazvočnih oddajnikih in podobno.
C L
RB1
UCC
Q RB2 Slika 9.7. Oscilator s

RE CE
kremenčevim kristalom.
264
DODATEK
Zelo razširjen piezoelektrični pretvornik je kremenčev kristal (angl. quartz), ki

ga uporabljamo v oscilatorjih (npr. v raznih sprejemnikih in oddajnikih,
digitalnih urah, računalnikih...). Običajno je zaprt v majhno kovinsko ohišje z
dvema priključkoma. Če kristal vzbujamo z napetostjo, bo mehansko zanihal.
To nihanje spet povzroči majhen napetostni signal. Kristal bo najmočneje
nihal ravno tedaj, če ga vzbujamo z lastno resonančno frekvenco. Ta je odvisna
le od vrste kristala in njegovih dimenzij, nič pa od električnih veličin. Zaradi
tega ima oscilator, ki uporablja kremenčev kristal, zelo stabilno frekvenco, ki
se s časom ne spreminja. Kremenčev kristal ima zelo visok faktor kvalitete Q.
9.4. HALLOVA SONDA

Hallova sonda je ploščica polprevodnika, ki dobi v magnetnem polju posebne
električne lastnosti. Ko teče skozi ploščico električni tok in ploščico prebadajo
silnice magnetnega polja, deluje na gibajoče elektrone dodatna sila. Ta je
usmerjena pravokotno na smer toka in magnetnega polja, zato zanaša elek-
trone iz prvotne smeri. Tako se na enem robu ploščice nabere več elektronov
kot na drugem. Pojavu pravimo Hallov efekt, nastali potencialni razliki pa
Hallova napetost. S pomočjo dodatnega para sponk, ki je nameščen
pravokotno na smer toka, lahko s sondo merimo magnetno poljsko jakost.
Hallovi sondi je običajno dodano integrirano vezje z ojačevalnikom, vse skupaj
pa je zaprto v ohišje, ki je podobno kot pri tranzistorju.
V I V
Slika 9.8. Hallova sonda.
265
9.5. PRIKAZOVALNIKI
9.5.1. LED prikazovalniki

Svetleče diode ali LED (angl. light emission diode) smo že spoznali. Spomni-
mo se, da diode svetijo, ko skoznje teče tok v prevodni smeri. Pri tem se prosti
elektroni in vrzeli, ki prehajajo preko spoja, rekombinirajo. Elektroni se tedaj
spustijo iz prevodnega v valenčni energetski pas in oddajo presežek energije v
obliki elektromagnetnega valovanja – svetlobe.
Slika 9.9. Razpored seg-

mentov LED prikazoval-
nika.
LED prikazovalnike izdelujejo kot skupek svetlečih diod (npr. za table s po-
tujočimi napisi) ali kot posamezne enote, podobne integriranim vezjem, z več
segmenti. Z vsako tako enoto, ki ima najpogosteje 7 segmentov (svetlečih
diod, postavljenih v obliki številke 8), lahko prikažemo eno izmed števil.
9.5.2. Prikazovalniki s tekočimi kristali ali LCD

Tekoči kristali so organske snovi z zelo dolgimi molekulami, ki imajo v elek-
tričnem polju posebne lastnosti. Molekule so sicer gibljive kot v tekočini,
vendar razporejene po določenih pravilih, ki veljajo za kristalne strukture. Od
tod ime tekoči kristali.
Prikazovalnik s tekočimi kristali (angl. liquid crystal display) je zgrajen iz dveh
optičnih polarizatorjev, prevodnih prosojnih elektrod ter vmesne celice, kjer so
zaprti tekoči kristali. Vmesna celica s tekočimi kristali je zelo tanka in meri
nekaj 10µm. Razporeditev molekul lahko vsilimo s posebnimi dodatki, ki so v
kontaktu s tekočimi kristali. Molekule razporedimo tako, da so na površini vse
orientirane navpično, z globino pa se postopoma orientirajo vodoravno.
266
DODATEK
tekoči kristali tekoči kristali
izključeno vključeno
Slika 9.10. Princip delovanja nematičnih tekočih kristalov.
Tekoči kristali prepuščajo le svetlobo, ki je enako polarizirana kot so usmer-

jene molekule tekočih kristalov. Če so torej molekule orientirane navpično,
bodo prepuščale le navpično polarizirano svetlobo. Ker se molekule z globino
postopoma zasučejo za 90°, se isto zgodi tudi s svetlobo – postane vodoravno
polarizirana. Ko pa med elektrodama priključimo električno napetost, se vse
molekule tekočega kristala razporedijo v eno smer in sukanja svetlobe ni več.
Opisan način delovanja velja za t.i. nematične tekoče kristale.
prozorna tekoči prozorna

elektroda kristali elektroda
nepolarizirana
svetloba
optični optični
polarizator polarizator
Slika 9.11. Zgradba prikazovalnika s tekočimi kristali.
Tekoče kristale sedaj postavimo med dva optična polarizatorja – s prvim po-
skrbimo, da pada na tekoče kristale le navpično polarizirana svetloba, drugi pa
naj prepušča le vodoravno polarizirano svetlobo. Če na kristalih ni napetosti,
267
bo izhodna svetloba polarizirana vodoravno in jo bo zato vodoravni optični

polarizator prepuščal; če pa na kristale pritisnemo napetost, zasuka svetlobe
na kristalih ne bo, zato (navpično polarizirana) svetloba ne bo mogla skozi
vodoravni optični polarizator – površina bo postala črna.
Poznamo transmisijske in refleksijske prikazovalnike. Pri prvih je vir svetlobe
postavljen za prikazovalnikom, pri drugih pa se svetloba, ki prehaja skozi
prikazovalnik, odbija nazaj s pomočjo ogledala.
Prikazovalnike krmilimo z izmenično napetostjo, saj bi pri enosmerni napeto-
sti prihajalo do nezaželjenih elektrolitskih pojavov. Prikazovalniki s tekočimi
kristali imajo zelo majhno porabo električne moči, njihova slabost pa je v
dolgem odzivnem času.
9.5.3. Vakuumski fluorescenčni prikazovalniki

Ti so narejeni podobno kot direktno ogrevana trioda. Anoda je oblikovana v
obliki osmice (za prikaz številk) ter prevlečena s fosforescenčno snovjo, ki
zaradi naleta elektronov sveti v različnih barvah (odvisno od materiala). Za
katodo je uporabljena žarilna nitka, ki omogoča termično emisijo elektronov.
Med anodo in katodo je krmilna mrežica, s katero krmilimo posamezne pri-
kazne elemente.
ogrevna mrežica
žica
Slika 9.12. Primer

prikaznega elementa pri
anoda vakuumskem fluorescen-
čnem prikazovalniku.
9.5.4. Plazma prikazovalniki

Plazma prikazovalniki delujejo na principu prevajanja električnega toka v
plinih. Posamezno točko prikazovalnika prižgemo s pomočjo križno namešče-
nih elektrod. Pred prikazovalnikom so prevodne elektrode nameščene navpič-
no, za njim pa vodoravno. Ko priključimo napetost na eno navpično in eno
268
DODATEK
vodoravno elektrodo, pride na mestu, kjer se obe dve križata, do tlenja plina in
prikaže se svetla točka plazme.
9.6. CCD
CCD (angl. charge-coupled device) je skupek MOS kondenzatorjev. Ko posta-
vimo več MOS kondenzatorjev enega poleg drugega, lahko elektrina prehaja
od enega do drugega. Na ta način lahko naredimo pomikalni register (angl.
shift register), ki prenaša elektrino.
elektrina
električni t1
potencial
čas
t2
t3
t4
smer pretakanja elektrine
Slika 9.13. Primer delovanja 3-faznega CCD.
Na sliki vidimo osnovni princip delovanja pomikalnega registra za elektrino.

Ko priključimo električno napetosti na prva vrata, se elektrina nabere pod
prvim kondenzatorjem (z leve). Če se nato električna napetost pojavi na
drugih vratih, bo tja odtekla tudi elektrina. Ko električne napetosti na prvih
vratih ni več, je vsa elektrina pod drugimi vrati oz. kondenzatorjem. Enako
ponovimo še s tretjimi vrati in elektrino smo premaknili z leve proti desni za
razdaljo treh kondenzatorjev. CCD enote zelo pogosto uporabljamo pri pret-
vornikih slike v električni signal (pri video kamerah) ter za zakasnilne člene,
kjer lahko zakasnimo signal tudi do ene sekunde.
269
izhod
CCD
celica
optoelektrični
pretvornik n n
CCD celica
(MOS kondenzator) p
Slika 9.14. CCD sklop pri pretvornikih za video kamere in prerez enega od
segmentov s Schottkyjevo fotodiodo.
Pri pretvorbi slike ima vsak od MOS kondenzatorjev še optoelektrični pretvor-

nik. Tako enoto označimo s CCIS (angl. charge-coupled image sensor). V času
osvetlitve se s pomočjo optoelektričnega pretvornika generirajo prosti nosilci
elektrine. Slika se shrani kot količina elektrine, ki jo nato s pomočjo CCD-ja
zaporedno prenesemo v elektronsko vezje.
VPRAŠANJA
1. Kakšne termistorje poznamo?
2. Kako deluje temperaturna stabilizacija tranzistorja v vezju na sliki 9.2?
3. Kako je zgrajen in kako deluje termočlen?
4. Kaj se zgodi, ko osvetlimo fototranzistor?
5. Kaj so optični spojniki? Čemu služijo?
6. Kako deluje kremenčev kristal, ki ga uporabljamo v oscilatorjih?
7. Kaj je Hallova sonda?
8. Kako deluje prikazovalnik s tekočimi kristali? Kakšno vlogo imata optična
polarizatorja?
9. Kaj je CCD in kako deluje?
270
TABELE
Poglavje 10
TABELE
269
10.1. USMERNIKI
U EF U DZ I DM
Vezje UR UR IR η fBR
UR
UEF UR R 2,22 3,45 1,0 1,21 50Hz

t
UR
UEF UR R
1,11 3,45 0,5 0,48 100Hz
t
UR
UEF UR R 1,11 1,73 0,5 0,48 100Hz

t
UEF UR
0,86 2,3 0,33 0,18 150Hz

t
UR R
UR
UR R 0,74 1,15 0,33 0,042 300Hz

t
UEF
UDZ zaporna konična napetost na diodah, IDM trajni mejni tok diod, η
valovitost, fBR frekvenca nihanja napetosti na izhodu.
270
TABELE
10.2. ORIENTACIJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA

Orient. skupni emitor skupni kolektor skupna baza
Shema + + +
RC RC
RE
RVH hie ≈ β ⋅ rE ( )
hie + 1 + h fe ⋅ RE ≈ hie
≈ rE
1 + hfe
≈ β ⋅ ( rE + RE )
RG + hie
RIZH RC RE ≈ rE RE RC
1 + hfe
AI -hfe=-β 1+hfe=1+β -hfb=-α
AU −
h fe ⋅ RC
≈−
RC ( hfe + 1) ⋅ RE ≈ 1 h fe ⋅
RC RC
≈
hie rE hie + ( hfe + 1) ⋅ RE hie rE
RC in RE sta celotni bremeni na izhodu tranzistorja, RG je upornost genera-

torja. Približek za notranjo upornost emitorja rE se izračuna po enačbi:
U T 25mV
rE = ≅
IE IE
271
10.3. ORIENTACIJE UNIPOLARNEGA TRANZISTORJA

Orient. skupni izvor skupni ponor skupna vrata
Shema + +
RD
RD RS
RG
RS
RG
RVH RG RG 1
RS +
gm
RS
RIZH RD RD
1 + g m ⋅ RS
g m ⋅ RS g m ⋅ RD
AU − g m ⋅ RD ≈1
1 + g m ⋅ RS 1 + g m ⋅ RS
RD in RS sta celotni bremeni na izhodu tranzistorja.
272
TABELE
10.4. ORIENTACIJE VAKUUMSKE TRIODE

Orient. skupna katoda skupna anoda skupna mrežica
Shema + +
RA
RA
RG
RK
RG RK
RVH RG RG RK
RIZH rA R A 1/g g ⋅ RA
AU g ⋅ rA R A <1 g ⋅ rA R A
RA je celotna izhodna upornost triode.
273
10.5. POGOSTO UPORABLJENE ENAČBE
10.5.1. Diode
k⋅T termična napetost, ki znaša pri sobni
UT = temperaturi 25mV,
q
UT 25mV diferencialna upornost diode v prevodni

r≅ = smeri,
ID ID
TJ − T A izgubna moč diode.

PTOT =
Θ TOT
10.5.2. Usmerniki
U MAX efektivna vrednost napetosti,
U EF =
2
U MAX srednja vrednost napetosti na izhodu
U SR = polvalnega usmernika,
π
U MAX srednja vrednost napetosti na izhodu
U SR = 2 ⋅ polnovalnega usmernika,
π
UR faktor valovitosti,
FR =
U SR
U EF faktor oblike,
FF =
U SR
PIZH učinkovitost.
η= ⋅ 100
PVH
274
TABELE
10.5.3. Bipolarni tranzistor

I β kratkostični tokovni ojačevalni faktor za
α= C = tranzistor v orientaciji s skupno bazo,
IE 1+ β
IC α kratkostični tokovni ojačevalni faktor za
β= = tranzistor v orientaciji s skupnim
IB 1− α
emitorjem,
I E = IC + I B vsota tokov tranzistorja,
I C = α ⋅ I E + I CB0 ali kolektorski tok,

I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CB0
I CE 0 = ( β + 1) ⋅ I CB0 kolektorski tok nasičenja pri odprtih

vhodnih sponkah,
∆U BE k⋅T U diferencialna upornost med bazo in

rBE = ≅β⋅ =β⋅ T emitorjem,
∆I B q ⋅ IE IE
k ⋅ T 25mV diferencialna upornost emitorja,
rE = ≅
e⋅ IE IE
h fe ⋅ RC RC napetostno ojačenje tranzistorja v
AU = − ≈− orientaciji s skupnim emitorjem (brez
hie rE
emitorskega upora)
10.5.4. Unipolarni tranzistorji

2 ponorski tok nasičenja,
 U 
I DS ≅ I DSS ⋅  1 − GS 
 UP 
 U  transkonduktanca
g m = g mo ⋅  1 − GS 
 UP 
ID transkonduktanca
g m = g mo ⋅
I DSS
275
2 ⋅ I DSS največja transkonduktanca,

g mo = −
UP
AU = − g m ⋅ RD napetostno ojačenje.
10.5.5. Operacijski ojačevalnik

R2 ojačenje invertirajočega ojačevalnika,
AU = −
R1
R2 ojačenje neinvertirajočega ojačevalnika,

AU = 1 +
R1
APR faktor rejekcije, kjer je APR protifazno

CMRR = 20 ⋅ log ojačenje in ASOF sofazno ojačenje.
ASOF
10.5.6. Vakuumske elektronke

g ⋅ rA Barkhausenova enačba,
=1
µ
AU = g ⋅ r A R A napetostno ojačenje ojačevalnika s

skupno katodo.
276
TABELE
10.6. ENAČBE ZNAČILNIH VEZIJ
10.6.1. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom
UEF RL USR
220V
U MAX U MAX = U EF ⋅ 2
U SR = 2 ⋅
π
U SR
U RRM = 2 ⋅ U MAX ID =
RL
10.6.2. Polnovalni mostični usmernik
UEF
220V
RL USR
U MAX U MAX = U EF ⋅ 2
U SR = 2 ⋅
π
U SR
U RRM = U MAX ID =
RL
277
10.6.3. Ojačevalnik z bipolarnim npn tranzistorjem
+ UCC
RB1 RC C IZH
C VH
RG RL
RB2
RE CE
U CC − U CE − U RE U RE
RC = RE =
IC IE
U CC − U BE − U RE U BE + U RE
RB1 = RB2 =
IP + IB IP
1 1
CVH = CIZH =
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RG + RVH ) 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RC + RL )
hfe ⋅ RC RL
RVH = RB1 RB2 hie AU = −
hie
Posplošitve:
U CC
U RE = I P = 10 ⋅ I B
10
U BE ≅ 0,7V (Si) hfe = β
25mV
hie ≈ β ⋅ rE rE ≈
IE
278
TABELE
10.6.4. Ojačevalnik z JFET
+ UDD
RD C IZH
C VH
RGN RL
RG
RS CS
U DD − U DS − U RS U GS
RD = RS =
ID ID
 U  ID 2 ⋅ I DSS
g m = g mo ⋅  1 − GS  = g mo ⋅ g mo = −
 UP  I DSS UP
1 1
CVH = C IZH =
2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ ( RGN + RG ) 2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ ( R D + RL )
RVH = RG AU = − g m ⋅ RD RS
10.6.5. Operacijski ojačevalnik

R2
Invertirajoči R2 AU = −
R1
ojačevalnik
C VH R1 1
C IZH CVH =
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ R1
1
CIZH =
RK RL 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ RL
RK = R1 R2
279
R2
Neinvertirajoči C VH RK AU = 1 +
C IZH R1
ojačevalnik
1
CVH =
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ RK
RL
1
R1 R2 C IZH =
2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ RL
RK = R1 R2
Odštevalnik UA
RA R2 U U 
U IZH = R2 ⋅  B − A 
 RB R A 
RB R2
UB
Primerjalnik s
histerezo R1
∆UVH = ∆U IZH ⋅
(Schmittovo vezje) R1 + R2
R1 R2
UREF
Generator U
konstantne R2 R2
U IZH = − U Z ⋅
napetosti R1
R1
UZ
UIZH
280
TABELE
Generator U
konstantnega toka IL RL UZ
IL =
R1
R1
UZ
10.6.6. Vakuumska trioda
+ UA
RA C IZH
C VH
RGN RL
RG
RK CK
U A − U AK − U RK U GK
RA = RK =
IA IA
g ⋅ rA
AU = − g ⋅ rA R A RL =1
µ
1 1
CVH = C IZH =
2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ ( RGN + RG ) (
2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ r A R A + RL )
281
10.7. SIMBOLI
ohmski upor dioda
spremenljivi upor prebojna dioda

(potenciometer)
nastavljivi (trimer) kapacitivna (varicap)

upor dioda
kondenzator Schottkyjeva dioda
spremenljivi (vrtljivi)
tunelska dioda
kondenzator
nastavljivi (trimer)
svetleča (LED) dioda
kondenzator
elektrolitski
foto dioda
kondenzator
diodni tiristor
dušilka
dušilka s feritnim
diac
jedrom
vir izmeničnega idealen napetostni

signala generator
idealen tokovni
napetostni vir
generator
282
TABELE
bipolarni npn bipolarni pnp

tranzistor tranzistor
unipolarni JFET s unipolarni JFET s

kanalom n tipa kanalom p tipa
MOSFET z inducira- MOSFET z inducira-

nim n kanalom nim p kanalom
MOSFET z vgrajenim MOSFET z vgrajenim

n kanalom p kanalom
enospojni tranzistor tranzistor z možnostjo

UJT programiranja PUT
dvosmerna dioda tiristor
ugasljivi tiristor GTO tetrodni tiristor SCS
zaporno prevodni triac

tiristor RCT
vakuumska dioda vakuumska trioda
tlivka tlivka s tremi

elektrodami
tiratron ignitron
283
10.8. PREDPONE
predpona faktor simbol

exa 1018 E
peta 1015 P
tera 1012 T
giga 109 G
mega 106 M
kilo 103 k
mili 10-3 m
mikro 10-6 µ
nano 10-9 n
piko 10-12 p
femto 10-15 f
ato 10-18 a
284
INDEKSNO KAZALO
INDEKSNO KAZALO
A C
α, 73, 79 C razred, 146, 247
A razred, 140, 247 CCD, 267
AB razred, 144, 247 CCIS, 268
akceptor, 20 CMOS, 181
aktivni elementi, 1 CMRR, 108, 207, 220
aktivno področje tranzistorja, 71
amplitudno popačenje, 139
analogno stikalo, 53 Č
anoda, 25, 190, 240 časovna konstanta, 49, 152, 173
atom, 15, 17, 18 četveropoli, enačbe, parametri, 11
B D
β, 73, 79 Darlingtonovo vezje, 119, 230
B razred, 142, 247 debeloplastno integrirano vezje, 206
baza, 69, 72 decibel, 127
bipolarni tranzistor, 69 Delonovo vezje, 45
delovanje, 71 delovna premica, 85
karakteristika, 81 delovna točka, 86
nadomestno vezje, 77 diac, 193
nastavitev delovne točke, 87 diferencialna upornost, 12, 30, 81
npn, 69 diferencialni ojačevalnik, 106
orientacije, 76 diferenciator, 219
pnp, 69 difuzija primesi, 233
preklopne lastnosti, 147 difuzijska kapacitivnost, 33, 130
simbol, 69 difuzijska napetost, 23, 27
stabilizacija delovne točke, 92 difuzijski tok, 21
zgradba, 69 dinamična upornost, 12, 31
285
dioda, 25 F
delovanje, 26 faktor popačenja, 139
vrste, 55 faktor stabilizacije, 57
diodni tiristor, 192 FAMOS, 182
direktno ogrevanje, 240 fazna regulacija, 199
DMOS, 179 fazni zasuk, 122, 131, 223
donor, 19 fazno popačenje, 140
držalni tok, 193, 196, 198 fluorescenčni prikazovalnik, 266
dvosmerna dioda, 191 fotodioda, 260, 63
dvosmerni diodni tiristor, 193 fotoemulzija, 234
fotolitografija, 234
E fotoresist, 234
fototiristor, 261
Earlyjev efekt, 78, 82
fototranzistor, 260
efektivna vrednost, 37
fotoupor, 260
elektron, 15-19
frekvenčna kompenzacija, 223
elektron volt, 15
frekvenčno popačenje, 140
elektronske leče, 250
elektronski top, 250
elementi, 1 G
pasivni, 1 generacija, 18
aktivni, 1 generator konstantnega toka, 109
linearni, 2 generatorji, 2
nelinearni, 2 gladilni faktor, 57
emitor, 69 Greatzov mostiček, 42
emitorski spoj, 71 grelna žica, 240
emitorski kondenzator, 95 GTO, 197
emitorski upor, 90, 107
energijski pasovi, 16, 18
enojno napajanje, 221 H
enosmerna delovna premica, 85 h-četveropol, 11, 78
enosmerna povezava, 115 Hallova sonda, 263
enospojni tranzistor, 187 HEXFET, 180
z možnostjo programiranja, 190 HFET, 174
epitaksija, 235 hibridna integrirana vezja, 206
EPROM, 182 hibridni četveropol, 77
hladna katoda, 253
286
INDEKSNO KAZALO
I
IGBT, 183
ignitron, 255 kapacitivnost tranzistorja, 130, 137
indirektno ogrevanje, 240 kaskadni ojačevalnik, 137, 179
induktivnost, 86, 124, 150 kaskadni usmernik, 46
integrator, 218 katoda, 25, 190, 240
integrirano vezje, 70 katodna cev, 250
intermodulacijsko popačenje, 140 Kirchhoffov zakon, 3
invertirajoči ojačevalnik, 208 kolektor, 69
izhodna karakteristika, 82 kolektorski spoj, 71
izhodna izravnalna napetost, 220 kombinacijsko-rekombinacijski šum,
izkoristek ojačenja moči, 138 129
izkrmiljenje, 138 komplementarni par, 143, 181, 227
izolanti, 16 končni tranzistor, 145, 226
izravnalni tok, napetost, 220, 222 kontaktna napetost, 23
izravnava, 222 kontaktni šum, 128
izvor, 159 kratkostični tokovni ojačevalni faktor,
izvor simetrične napetosti, 217 73
kremenčev kristal, 263
krmiljeni generator, 2
J krmilna mrežica, 240, 242
JFET, 159, 160 krmilni polprevodniški elementi, 187
delovanje, 161 diac, 193
karakteristika, 163 diodni tiristor, 192
nadomestno vezje, 165 dvosmerna dioda, 191
nastavitev del. točke, 166 enospojni tranzistor, 187
orientacije, 169 tiristor, 195
stabilizacija del. točke, 166 triac, 198
zadrgnitev kanala, 162 z možnostjo programiranja, 190
kvaliteta Q, 127, 263
K
L
kapacitivna dioda, 58
LASCR, 261
kapacitivnost, 33, 86, 95, 103, 120,
laserska dioda, 64
130, 146, 151, 166
LCD, 264
kapacitivnost diode, 33
LC povezava, 124
LED, 62, 264
287
linearizacija, 12, 98 napetost nasičenja, 83, 162, 176, 178

linearna integrirana vezja, 205 napetost od temena do temena, 50
debeloplastna, 206 napetost zadrgnitve, 162
monolitna, 205 napetostni izvor, 216
operacijski ojačevalnik, 207 napetostni regulator, 229
tankoplastna, 205 napetostni sledilnik, 105, 210
linearni elementi, 1 napetostno-tokovni pretvornik, 216
naprševanje, 235
nastavitev delovne točke, 87, 89, 90,
M 140, 142, 144, 147, 166
manjšinski nosilci, 21 negativa upornost, 60, 189
MESFET, 173 neinvertirajoči ojačevalnik, 172, 209
metalizacija, 235 nelinearni elementi, 2
Millerjev teorem, 10 nelinearno popačenje, 139
množilniki napetosti, 44 nihajni krog, 126
močnostni ojačevalnik, 138, 225 Nortonov ojačevalnik, 221
monolitna integrirana vezja, 205, 231 Nortonov teorem, 7
MOSFET, 159, 174 npn transisitor, 69
močnostni, 179 NTK termistor, 258
nastavitev delovne točke, 178
z dvoje vrati, 178
z induciranim kanalom, 175 O
z vgrajenim kanalom, 177
odklonski sistem, 250
MOS kondenzator, 174, 267
odštevalnik, 211
mostični ojačevalnik, 212, 227
odvajanje toplote, 35
mostični usmernik, 42
delovna temperatura, 35
motnja, 110
izgubna moč, 35
mrežica, 240
termična upornost, 35
krmilna, 240, 242
segrevanje tranzistorja, 148
zaščitna, 244
Ohmov zakon, 3
zaviralna, 245
ojačenje tranzistorja, 83, 100, 102-
104, 131
N ojačevalnik, 98,130
n-tip polprevodnika, 19, 21 okenski diskriminator, 218
nadomestno vezje, 77, 80, 165 oksidacija, 234
naparevanje, 235 omejevanje napetosti, 52
napetost kolena, 28, 37 omejitve tranzistorja, 138
288
INDEKSNO KAZALO
operacijski ojačevalnik, 207 polvalni usmerniki, 36, 37

kompenzacija, 222 pomikalni register, 267
lastnosti, 207 pomnilnik, 182
značilni podatki, 219 ponor, 159
optični polarizator, 264 popačenje, 88, 139
optični spojnik, 62, 261 amplitudno, 139
optoelektrični pretvorniki, 260 faktor popačenja, 139
fotodioda, 260 fazno, 140
fototiristor, 261 frekvenčno, 140
fototranzistor, 260 intermodulacijsko, 140
fotoupor, 260 nelinearno, 139
optični spojnik, 261 stopnja popačenja, 139
orientacija tranzistorja, 76, 169 pragovna napetost, 176
osiromašeno področje, 22 pravila vezij, 2
preboj, električni, 29
prebojna dioda, 55, 105
P prebojna fotodioda, 260
p-tip polprevodnika, 19, 21 predpone, 284
pasivni elementi, 1 preklopne lastnosti diode, 34
pentoda, 245 preklopne lastnosti tranzistorja, 147,
piezoelektrični pretvornik, 262 149
PIN dioda, 59 preklopni časi, 34, 149
plazma prikazovalnik, 266 čas kopičenja, 34
plazovita ionizacija, 30, 191 čas preklopa, 34
plinski elementi, 253 čas upadanja, 34, 149
ignitron, 255 čas vzpona, 149
tlivka, 253 čas zakasnitve vzpona, 149
tiratron, 254 čas zaradi kopičenja naboja, 149
pn spoj, 21 sprostitveni, 196
pnp tranzistor, 69 preostali tok, 76
področje nasičenja, 83, 148, 163 prepletanje, 251
polarizator, optični, 264 preseg, 243
polnovalni usmerniki, 39 preščipnjen kanal, 162, 176
polprevodniki, 16, 17 prevodna smer diode, 27
n-polprevodnik, 19, 21 prevodniki, 16
p-polprevodnik, 19, 21 prevodnost, 16, 18
289
prikazovalniki, 264 simboli, 282

LED, 264 simetrična napetost, 217
plazma, 266 skrajna frekvenca tranzistorja, 133
tekoči kristali, 264 sončna celica, 64
vakuumski fluorescenčni, 266 spodnja mejna frekvenca, 115, 121
prilagoditev, 112 spojna kapacitivnost, 33, 58, 131
primerjalnik, 212, 229 sprememba koeficienta ojačenja, 211
s histerezo, 214 sprostitveni čas, 196
propustnost, frekvenčna, 115 srednja vrednost, 38
PSRR, 220 stabilizacija delovne točke, 90, 96,166,
PTK termistor, 258 258
push-pull, 141 statična upornost, 12
PUT, 190 step-recovery dioda, 34
stimulirana emisija, 64
stopnja popačenja, 139
R strmina, 220, 243
razmerje signal/šum, 130 substitucijski teorem, 10
RC člen, 173, 199 superpozicija, teorem, 9
filter, 48 svetleča dioda, 62
oscilator, 189
povezava, 120
RCT, 198 Š
rejekcijski faktor, 108, 207, 220 šum, 128
rekombinacija, 18 termični, 128
rekombinacijski center, 33 kontaktni, 128
resonančna frekvenca, 126, 263 kombinacijsko-rekombinacijski,
RGB, 252 129
ROM, 183 šumno število, 129
razmerje signal/šum, 130
S šumno število, 129
samodejna vključitev, 196
Schottkyjeva dioda, 61 T
SCR, 195
SCS, 197 tabele, 269
selektivni transformator, 126 tankoplastna integrirana vezja, 205
seštevalnik, 211 tehnologija monolitnih integriranih
signalna dioda, 53 vezij, 231
290
INDEKSNO KAZALO
difuzija, 233 tranzistor z izoliranimi vrati, 183

epitaksija, 235 transkonduktanca, 77, 163, 243
fotolitografija, 234 trioda, 242
metalizacija, 235 tunelska dioda, 60
oksidacija, 234
tekoči kristali, 264 U
Tellegenov teorem, 7
UJT, 187
temperaturna kompenzacija, 110
unipolarni tranzistor, 159
termična emisija elektronov, 240
CMOS, 181
termični pobeg, 149
DMOS, 179
termični šum, 128
FAMOS, 182
termistor, 258
HEXFET, 180
termočlen, 259
HFET, 174
termoelektrični pretvorniki, 257
IGBT, 183
monolitni, 259
JFET, 159, 160
polprevodni elementi, 259
MESFET, 173
termistorji, 258
MOSFET, 159, 174
termočlen, 259
VMOS, 181
tetroda, 244
simboli, 160
tetrodni tiristor, 197
usmerniki, 36
Theveninov teorem, 7
polvalni, 36, 37
tiratron, 254
polnovalni, 39
tiristor, 195
glajenje, 47
tetrodni, 197
množilniki, 44
zaporno neprevodni, 195
zaporno prevodni, 198
z možnostjo ugašanja, 197 V
tlivka, 253 vakuumski elementi, 239
tok nasičenja, 26, 32, 75, 149 dioda, 241
tok nasičenja tranzistorja, 75, 163 katodna ali žarkovna cev, 250
tokovna varovalka, 199 pentoda, 245
tokovni izvor, 216 tetroda, 244
tokovni ojačevalni faktor, 73 trioda, 242
topla katoda, 253 valovitost napetosti, 48
toplotna preobremenitev, 226 faktor valovitosti, 48
transformator,37-45 ,125, 141 faktor oblike, 48
selektivni, 126 usmerniško razmerje, 48
transformatorska povezava, 125 učinkovitost, 48
291
varicap dioda, 58 zaviralna mrežica, 245

večinski nosilci, 21 Zenerjev preboj, 29
večstopenjski ojačevalnik, 111 Zenerjeva dioda, 55
vezja, 2 zgornja mejna frekvenca, 115, 131,
generatorji, 2 178
krmiljeni generator, 2
pravila vezij, 2
Ohmov zakon, 3 ž
Kirchhoffov zakon, 3 žarilna nitka, 240
Tellegenov teorem, 7 žarkovna cev, 250
Theveninov teorem, 7
Nortonov teorem, 7
superpozicija, teorem, 9
substitucijski teorem, 10
Millerjev teorem, 10
vhodna karakteristika, 81
vhodna izravnalna napetost, 220
vhodni izravnalni tok, 220
Villardovo vezje, 44
višjeharmoniki, 139
VMOS, 181
vrata, 159, 190
vrzel, 18, 20
vzorčevalnik, diodni, 54
vzporedna vezava diod, 47
Z
zadrgnitev kanala, 162
zaporedna vezava diode, 46
zaporna plast, 22, 26
zaporna smer diode, 26
zaporno neprevodni tiristor, 195
zaporno prevodni tiristor, 198
zaščitna mrežica, 244
292

Elektronski Elementi in Vezja

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronski Elementi in Vezja

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Robert Lorencon

Lektorirala: Iva Sivec

CIP - Kataložni zapis o publikaciji

 1996, 2003 Robert Lorencon, STUDIO MAYA

4.7. OJAČEVALNIKI PRI VISOKIH FREKVENCAH............................130

5. UNIPOLARNI TRANZISTORJI 159

6. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI 187

7. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA 205

8. VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI 239

9.5. PRIKAZOVALNIKI ...............................................................................264

10. TABELE 269

INDEKSNO KAZALO 285

Preden začnemo spoznavati elektronske elemente in vezja, je prav, da se za

Elementi so lahko linearni ali nelinearni, časovno spremenljivi ali nespremen-

Slika 1.1. Linearna karakteristika upora ter nelinearna karakteristika diode.

UG Slika 1.2. Napetostni in

Najpogosteje uporabimo idealne napetostne in tokovne generatorje. Idealen

1.2.2. Osnovna pravila vezij

Postopek za izračun vezja je naslednji:

Uporabimo samo prvi dve enačbi in skupaj z vozliščno rešimo vezje:

Preostala dva tokova znašata: I2=12,5mA ter I3=18,75mA.

Najprej si moramo označiti smeri tokov in padce napetosti. Nato postavimo

Če ne vemo, ali se padci napetosti v enačbi seštevajo ali odštevajo, potem

Rešitev naloge je: I1=16,13mA, I2=10,32mA in I3=-5,8mA. Negativni pred-

Tellegenov teorem združuje oba Kirchhoffova zakona in pravi, da je v

Theveninov in Nortonov teorem veljata le za linearna vezja. Prvi pravi, da

Slika 1.3. Nadomestno vezje po Theveninu ter Nortonu.

Theveninovo vezje: Najprej izračunajmo nape-

Sedaj izračunajmo še zaporedno upornost RTh. Dobimo jo tako, da izmerimo

10V 300 6V 320

Nortonovo vezje: Najprej izračunamo tok, ki ga bo imel Nortonov tokovni vir.

Upornost RNo izračunamo enako kot upornost RTh.

10V 300 18,5mA

200 200 18,5mA 320

Teorem o superpoziciji pravi, da je v vsakem linearnem vezju, ki ga

U1 300 200 U2 U1 300 200 300 200 U2

Najprej izračunamo napetost UX, ko je priključen samo prvi vir. Drugi

Po teoremu o superpoziciji lahko obe napetosti seštejemo in dobimo:

Substitucijski teorem: Vsak element vezja smemo nadomestiti s primerno

Slika 1.4. Pretvorba po Millerjevem teoremu.

tip četveropola četveropolni enačbi

Slika 1.5. Smeri tokov in i1 = g11 ⋅ u1 + g12 ⋅ i2

Posamezni parameter je lahko vhodni (povezuje vhodni veličini), izhodni

Vrednost parametra dobimo tako, da pripišemo drugemu členu enačbe vred-

napetost [V] Slika 1.6. Odsek karakteri-

Če si na krivulji izberemo točko (t.i. mirovno delovno točko), lahko skoznjo

2. Izračunajte vrednost napetostnega vira in upornost upora za Theveninovo

3. Za naslednje vezje izračunaj četveropolna parametra z11 in z22! (Odg.:

Leta 1911 je britanski fizik Ernest Rutherford ugotovil, da je atom sestavljen iz

elektroni, ki so vezani v atomu, negativno energijo. Ko atomu dovedemo

2.1. PREVODNOST MATERIALOV

prevodniki polprevodniki izolanti prosti elektroni

Slika 2.1. Razpored energijskih pasov.

Na sliki 2.1 vidimo energijske pasove za prevodnik, polprevodnik in izolant.

Slika 2.2. Zgradba polpre-

Polprevodniki so materiali, ki imajo posebne električne lastnosti. Pri zelo nizki

2.2.1. Elektroni in vrzeli

Prevodnost polprevodnika je odvisna od števila prostih elektronov in vrzeli. Ko

2.2.2. Polprevodnik s primesmi

2.2.3. N-tip polprevodnika

Večje število primesi povzroči povečanje števila prostih elektronov, ki občutno

2.2.4. P-tip polprevodnika

Slika 2.4. Trivalenčna

Če polprevodniku dodajamo primesi petvalenčnih atomov, se v polprevodniku